近日,美光科技宣布即將開始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存(HBM),并將這一高性能產(chǎn)品供應(yīng)給領(lǐng)先的AI半導(dǎo)體公司英偉達。這一消息的發(fā)布,標
發(fā)表于 02-18 14:51
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NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺式電腦、移動終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場合.
NAND閃存類型
按照每個單元可以存儲的位數(shù),可以將NAND閃存類型分為SL
發(fā)表于 01-15 18:15
近日,根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財年第一財季財報電話會議文稿,公司高管在會上確認了針對當前閃存市場需求放緩的應(yīng)對措施。 美光執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官Mark Murphy指出,在
發(fā)表于 12-26 14:30
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技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主,NAND閃存顆粒根據(jù)存儲原理分為SLC、MLC、TLC和
發(fā)表于 12-17 17:34
美光科技近日宣布推出旗艦企業(yè)級SSD——6500 ION,這款SSD號稱是世界上容量最大、速度最快、能效最高的SSD。它支持PCIe 5.0接口標準,最高容量可達60TB,并采用先進的TLC(三層單元)技術(shù),而非
發(fā)表于 11-14 16:22
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近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲需求日益增長的移動應(yīng)用程序領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用前景。
發(fā)表于 10-31 18:22
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SK海力士近日宣布了一項重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn),這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提
發(fā)表于 09-27 16:49
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三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品,集成了多項前沿技術(shù)突破,標志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的
發(fā)表于 09-23 14:53
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三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先,也預(yù)示著
發(fā)表于 09-12 16:27
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據(jù)最新韓媒報道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲解決方案供應(yīng)商美光科技已決定在中國西安的工廠率先啟動LPCAMM(低功耗客戶異步內(nèi)存模組)和MRDIMM(多排名直接內(nèi)存訪問內(nèi)存模組)的量產(chǎn)計劃。這
發(fā)表于 09-02 16:42
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2024 年 7 月 31 日,美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開始出貨,成為業(yè)界首家實現(xiàn)這一里程碑的
發(fā)表于 08-02 15:34
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全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進入量產(chǎn)出貨階段,標志著
發(fā)表于 08-01 16:38
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知名存儲品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該
發(fā)表于 07-31 17:11
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美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)近日宣布,推出數(shù)據(jù)中心 SSD 產(chǎn)品美光 9550 NVMe SSD,性能業(yè)界領(lǐng)先,同時具備卓
發(fā)表于 07-29 18:12
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友好關(guān)系。 近期美光與上海交通大學微電子學院攜手,在校企共建課程《集成電路設(shè)計前沿技術(shù)》中開設(shè)“美光課堂”。連續(xù)五年走進交大課堂,美
發(fā)表于 06-25 15:50
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