三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
隨著DDR3內(nèi)存的停產(chǎn)，其價格近期出現(xiàn)明顯上漲，漲幅最高達(dá)20%。與此同時，DDR5內(nèi)存的供應(yīng)將受到影響，考慮到存儲行業(yè)正處于上升周期，預(yù)計DDR5價格也將上漲20%。
雖然美光及南亞等臺系廠商將繼續(xù)生產(chǎn)DDR3內(nèi)存，但業(yè)界普遍預(yù)測，隨著DDR5技術(shù)的逐步成熟和市場需求的增長，DDR3內(nèi)存的供應(yīng)將逐漸減少。美光等公司也可能不會長期堅守DDR3市場，而是跟隨行業(yè)趨勢轉(zhuǎn)向DDR5等高端市場。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DDR3
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
279瀏覽量
42810 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
985瀏覽量
39144 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1674瀏覽量
32130
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
DDR4或年內(nèi)停產(chǎn)，三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場變局
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年
發(fā)表于 02-21 00:10
?939次閱讀
三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4
據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停
SK海力士與三星或停用中國EDA軟件
列入貿(mào)易限制名單，也對SK海力士的決策產(chǎn)生了影響。業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測，SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件，而三星電子也可能緊隨其后，做出類似
三星與SK海力士市值份額差距縮至13年最小
韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導(dǎo)體
隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務(wù)報告，市場焦點轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預(yù)期差距如何進(jìn)一步拉大。
SK
SK海力士下半年擴(kuò)招加碼,鞏固AI半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍地位
全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士近日宣布了一項重大人才招募計劃，旨在通過下半年的大規(guī)模新員工及資深行業(yè)人才招聘活動，進(jìn)一步強化其在高帶寬存儲器（HBM）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并積極擁抱人工智能（AI）半導(dǎo)體市場的迅猛增長浪潮。
三星、SK海力士及美光正全力推進(jìn)HBM產(chǎn)能擴(kuò)張計劃
近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存（HBM）的產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。據(jù)預(yù)測，至2025年，這一領(lǐng)域的
三星與SK海力士啟動芯片浸沒式液冷測試
近日，科技界迎來了一則重要消息：三星電子與SK海力士已攜手啟動芯片產(chǎn)品對浸沒式液冷的兼容測試。這一舉措旨在響應(yīng)服務(wù)器運營方對于建立浸沒式液冷解決方案保修政策的需求，進(jìn)一步推動數(shù)據(jù)中心冷卻技術(shù)的革新。
TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB，并向三星和SK海力士提供首批樣品
近日，韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB，并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度
在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲，這
SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)
值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK
漲價20%！三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片
業(yè)界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存
SK海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，帶動市場價格上行
雖然 DDR3 逐漸淪為邊緣化產(chǎn)品，但其在電視機(jī)頂盒、無線路由器、交換機(jī)以及顯示器等設(shè)備中的應(yīng)用仍然廣泛。值得關(guān)注的是，全球第四大內(nèi)存商美光雖尚未明確決定是否停產(chǎn) DDR3，但其供應(yīng)量
SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年
SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議，原本預(yù)計HBM4內(nèi)存
SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足
韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可能在
工商網(wǎng)監(jiān)
評論