清溢光電：已實現(xiàn)180nm節(jié)點(diǎn)掩膜版量產(chǎn) 佛山基地2025年末遷入設(shè)備
清溢光電5月16日披露了最新投資者調(diào)研紀(jì)要。
紀(jì)要內(nèi)容顯示，清溢光電已實現(xiàn) 180nm 工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體芯片掩膜版的量產(chǎn)，以及 150nm 工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體芯片掩膜版的客戶測試認(rèn)證與小規(guī)模量產(chǎn)，正在推進(jìn) 130nm-65nm 的 PSM 和 OPC 工藝的掩膜版開發(fā)和 28nm 半導(dǎo)體芯片所需的掩膜版工藝開發(fā)規(guī)劃。
此外，高端半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)基地建設(shè)項目主要設(shè)備已下單，設(shè)備交期總體較之前預(yù)計縮短，未受到海外限制政策限制的影響，目前佛山生產(chǎn)基地項目已進(jìn)入廠房建設(shè)階段，預(yù)計將于2025年第四季度逐步進(jìn)行設(shè)備的遷入。
審核編輯 黃宇
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