SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存（HBM）市場的領軍企業，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄，顯示其產品的強勁需求。
為維持市場領先地位，SK海力士不僅在技術上持續升級HBM，同時也在產能上大幅提升。此舉無疑將為其未來在HBM市場的競爭中奠定堅實基礎。
此外，瑞銀集團對臺積電和世界先進給予買入評級，但對日月光持中立態度。這一評級反映了瑞銀集團對各公司在半導體領域發展前景的獨到見解。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
459文章
51839瀏覽量
432472 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
983瀏覽量
39118 -
HBM
+關注
關注
1文章
398瀏覽量
15017 -
HBM4
+關注
關注
0文章
50瀏覽量
169
發布評論請先 登錄
相關推薦
特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛，內存大廠加速HBM4進程
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）近日據韓媒報道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。
特斯拉也在搶購HBM 4
據報道，特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發第六代高帶寬內存芯片原型。據KEDGlobal報道
特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片
近日，SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉，特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后，選擇其中一家作為其
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品
的領先地位，更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，盡管業界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起，但
英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日，英偉達（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應商南韓SK集團會長崔泰源透露，英偉達執行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI
HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新
董事長崔泰源透露，英偉達公司首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出請求，希望其能提前六個月供應最新一代的高帶寬內存芯片——HBM4。
英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求
近日，韓國SK集團會長透露了一項重要信息，即英偉達公司的首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個
英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達的首席執行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能
SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內存
在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次引領行業潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海
SK海力士探索無焊劑鍵合技術，引領HBM4創新生產
在半導體存儲技術的快速發展浪潮中，SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正積極探索前沿技術，以推動高帶寬內存（HBM）的進一步演進。據最新業界消息，
臺積電攜手創意電子，斬獲SK海力士HBM4芯片大單
在全球半導體市場的激烈競爭中，臺積電再次憑借其卓越的技術實力和創新能力，攜手旗下子公司創意電子，成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4（High Bandwidth Memory 4）
SK海力士加速HBM4E內存研發，預計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發進程，預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比
SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年
SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議，原本預計
SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產HBM4
4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進 HBM4 研發和下一代封裝技術，目標在 2026 年投產 HBM4
SK海力士與臺積電共同研發HBM4，預計2026年投產
自 HBM3E（第五代 HBM 產品）起，SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產；然而，從 HMB
工商網監
評論