IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種高效的半導體器件，集成了MOSFET的輸入特性和BJT的輸出特性。這種結合使得IGBT在開關速度、電壓承載能力和電流處理能力方面表現出色，特別適合于中高功率的應用，如電力傳輸、電動汽車、軌道交通、可再生能源系統以及工業電機控制等領域。

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種結合了晶體三極管和MOS管技術的復合型半導體設備。這種設備因其高輸入阻抗、低電壓控制損耗、簡單的控制電路、高耐壓能力和大電流容量等特性，在眾多電子電路領域中得到了廣泛的應用。

盡管IGBT的電路符號尚未標準化，繪制原理圖時通常采用類似三極管或MOS管的符號表示，但可以通過型號標注來區分IGBT和MOS管。此外，應注意檢查IGBT是否包含體二極管。即便原理圖上未標明，也通常應假定其存在，除非官方資料明確指出其缺失。

IGBT中的體二極管并非是一個寄生元件，而是專門設計的用以保護IGBT免受反向電壓損害的部件，常被稱為FWD（Free Wheeling Diode，續流二極管）。判斷IGBT內部是否存在體二極管的方法相對簡單：使用萬用表測量IGBT的集電極（C）和發射極（E）。如果測得的電阻值無窮大，則表明該IGBT不包含體二極管。

IGBT的核心結構包括一個MOSFET和一個BJT。MOSFET作為輸入級，用于控制BJT的開關；而BJT作為輸出級，負責承載高電流和高電壓。IGBT的柵極（Gate）通過一層薄氧化物與源極（Source）相隔，類似于MOSFET的結構，這使得IGBT具有很高的輸入阻抗。當正向電壓施加到柵極和發射極（相當于MOSFET的源極）之間時，MOSFET部分導通，進而觸發BJT部分導通，使整個IGBT進入導通狀態。當柵極電壓移除或反向時，IGBT截止。

總之，IGBT作為一種高效的電力電子器件，以其獨特的優勢在許多要求嚴苛的應用中發揮著關鍵作用，特別是在需要處理高電壓和大電流的場景中。