現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求,需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此,混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。
BTD25350雙通道隔離,原方帶死區時間設置,副方帶米勒鉗位功能,非常適合光伏儲能BUCK-BOOST中。BTD25350系列雙通道隔離型門極驅動器,峰值輸出電流可達10A(典型值),采用SOW-18(寬體)封裝, 高達5000Vrms的隔離電壓,適用于于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。

功能框圖
SiC MOSFET BTD25350使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器,實現直流升壓降壓轉換,高壓側接入PV直流側,低壓側接電池組。LLC諧振變換器能實現全負載范圍內開關管的零電壓開通相比其他開關電源,其輸入輸出電壓調節范圍較寬,且具有高效率,低噪聲,高功率密度等諸多優點。與傳統Si基功率器件相比,該BTD25350具有更加優良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場合。
雙通道隔離驅動BTD25350產品特點介紹:
?隔離電壓高達5000VRMS(SOW-18)@UL1577
?峰值輸出電流典型值高達10A
?傳輸延時低至60ns
?瞬態共模抗擾度(CMTI)典型值為150kV/us
?最高支持開關頻率1MHz
?原邊電源支持3~20V
?副邊電源最高支持33V
?原邊副邊電源分別支持欠壓保護
?輸入電平兼容3.3V、5V、15V電平
?SOW-18(寬體)封裝,爬電距離8.5mm
?工作環境溫度:-40~125℃
注:如涉及作品版權問題,請聯系刪除。
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高可靠隔離驅動方案:BTD25350x 雙通道隔離型門極驅動器在電源領域的創新應用

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