現(xiàn)代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開關頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結(jié)合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。

BTD25350雙通道隔離，原方帶死區(qū)時間設置，副方帶米勒鉗位功能，非常適合光伏儲能BUCK-BOOST中。BTD25350系列雙通道隔離型門極驅(qū)動器，峰值輸出電流可達10A（典型值），采用SOW-18（寬體）封裝， 高達5000Vrms的隔離電壓，適用于于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。

功能框圖

SiC MOSFET BTD25350使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換，高壓側(cè)接入PV直流側(cè)，低壓側(cè)接電池組。LLC諧振變換器能實現(xiàn)全負載范圍內(nèi)開關管的零電壓開通相比其他開關電源，其輸入輸出電壓調(diào)節(jié)范圍較寬，且具有高效率，低噪聲，高功率密度等諸多優(yōu)點。與傳統(tǒng)Si基功率器件相比，該BTD25350具有更加優(yōu)良的特性，更加適用于高頻高壓大功率場合。

雙通道隔離驅(qū)動BTD25350產(chǎn)品特點介紹：

?隔離電壓高達5000VRMS（SOW-18）@UL1577

?峰值輸出電流典型值高達10A

?傳輸延時低至60ns

?瞬態(tài)共模抗擾度（CMTI）典型值為150kV/us

?最高支持開關頻率1MHz

?原邊電源支持3~20V

?副邊電源最高支持33V

?原邊副邊電源分別支持欠壓保護

?輸入電平兼容3.3V、5V、15V電平

?SOW-18（寬體）封裝，爬電距離8.5mm

?工作環(huán)境溫度：-40~125℃

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