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反相器和非門的區(qū)別 反相器電路圖介紹

科技綠洲 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-20 18:06 ? 次閱讀

反相器和非門是數(shù)字邏輯電路中的基本組件,它們在數(shù)字電路設(shè)計中扮演著重要的角色。盡管它們在功能上有一定的相似性,但它們之間還是存在一些關(guān)鍵的區(qū)別。

  1. 定義

反相器(Inverter)是一種只有一個輸入端和一個輸出端的數(shù)字邏輯門,其輸出狀態(tài)與輸入狀態(tài)相反。當(dāng)輸入為高電平時,輸出為低電平;當(dāng)輸入為低電平時,輸出為高電平。反相器的邏輯功能可以用邏輯非(NOT)運算表示。

非門(NAND gate)是一種具有兩個輸入端和一個輸出端的數(shù)字邏輯門,其輸出狀態(tài)為兩個輸入端的邏輯與(AND)運算的反(NOT)。當(dāng)兩個輸入端都為高電平時,輸出為低電平;當(dāng)至少有一個輸入端為低電平時,輸出為高電平。非門的邏輯功能可以用邏輯與非(NAND)運算表示。

  1. 工作原理

反相器的工作原理相對簡單。當(dāng)輸入端接收到高電平時,反相器內(nèi)部的晶體管或邏輯門會將電流導(dǎo)向地線,使輸出端呈現(xiàn)低電平狀態(tài);反之,當(dāng)輸入端接收到低電平時,反相器內(nèi)部的晶體管或邏輯門會將電流導(dǎo)向電源,使輸出端呈現(xiàn)高電平狀態(tài)。

非門的工作原理稍微復(fù)雜一些。非門內(nèi)部通常包含兩個晶體管或邏輯門,它們通過與門(AND gate)和非門(NOT gate)的組合實現(xiàn)邏輯與非運算。當(dāng)兩個輸入端都為高電平時,與門的輸出為高電平,經(jīng)過非門后,輸出端呈現(xiàn)低電平狀態(tài);當(dāng)至少有一個輸入端為低電平時,與門的輸出為低電平,經(jīng)過非門后,輸出端呈現(xiàn)高電平狀態(tài)。

  1. 電路結(jié)構(gòu)

反相器的電路結(jié)構(gòu)相對簡單,通常由一個晶體管或邏輯門組成。在CMOS技術(shù)中,反相器通常由一個N型晶體管和一個P型晶體管組成,它們通過互補對稱的方式實現(xiàn)反相功能。

非門的電路結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜,通常由兩個晶體管或邏輯門組成。在CMOS技術(shù)中,非門通常由兩個N型晶體管和兩個P型晶體管組成,它們通過與門和非門的組合實現(xiàn)邏輯與非功能。

  1. 邏輯功能

反相器的邏輯功能是邏輯非(NOT)運算,其真值表如下:

輸入A輸出Y
01
10

非門的邏輯功能是邏輯與非(NAND)運算,其真值表如下:

輸入A輸入B輸出Y
001
011
101
110
  1. 應(yīng)用場景

反相器和非門在數(shù)字電路設(shè)計中都有廣泛的應(yīng)用場景。

反相器主要用于實現(xiàn)信號的反向、信號的緩沖、信號的隔離等。在實際電路設(shè)計中,反相器可以用于消除信號的延遲、提高信號的穩(wěn)定性、減少信號的干擾等。

非門則主要用于實現(xiàn)復(fù)雜的邏輯運算,如與非、或非、異或等。在實際電路設(shè)計中,非門可以用于實現(xiàn)各種復(fù)雜的邏輯功能,如數(shù)據(jù)選擇、數(shù)據(jù)編碼、數(shù)據(jù)解碼等。

  1. 優(yōu)缺點

反相器的優(yōu)點是電路結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、速度快。但是,反相器的缺點是功能單一,只能實現(xiàn)邏輯非運算。

非門的優(yōu)點是功能強大,可以組合成各種復(fù)雜的邏輯功能。但是,非門的缺點是電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗較高、速度較慢。

反相器與非門的差異:

  1. 功能與邏輯表達(dá)式
    • 功能:反相器和非門在功能上都實現(xiàn)了信號的取反,即輸入和輸出之間具有反相關(guān)系。但反相器主要應(yīng)用于模擬電路,而非門則更多地應(yīng)用于數(shù)字電路和邏輯運算。
    • 邏輯表達(dá)式:反相器和非門的邏輯表達(dá)式均為Y = ?A(其中A為輸入信號,Y為輸出信號,?表示邏輯非操作)。這表明兩者在邏輯功能上是等效的。
  2. 構(gòu)成方式與實現(xiàn)
    • 構(gòu)成方式:反相器通常通過晶體管等元件構(gòu)成的電路來實現(xiàn),其實現(xiàn)方式較為單一。而非門則可以用多種電子元件實現(xiàn),包括晶體管、集成電路等,具有更靈活的實現(xiàn)方式。
    • 實現(xiàn)技術(shù):在CMOS技術(shù)中,反相器是基本的構(gòu)建模塊,而非門則是基于CMOS或其他邏輯技術(shù)(如TTL)實現(xiàn)的。這反映了兩者在實現(xiàn)技術(shù)上的差異。
  3. 符號表示
    • 反相器在電路圖中通常用一個圓圈或帶小圓圈的三角形表示,強調(diào)其相位反轉(zhuǎn)的功能。
    • 非門在電路圖中則通常用一個三角形表示,強調(diào)其邏輯非的功能。這種符號表示的差異有助于在電路圖中快速識別兩者的功能。
  4. 應(yīng)用領(lǐng)域
    • 反相器主要應(yīng)用于模擬電路中,如音頻放大、時鐘振蕩器等。這些應(yīng)用需要對信號的相位進(jìn)行精確控制。
    • 非門則廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路設(shè)計和邏輯運算中,如計算機、微處理器、數(shù)字顯示等領(lǐng)域。這些應(yīng)用需要精確的邏輯運算和信號處理。

反相器是所有數(shù)字設(shè)計的核心。靜態(tài)CMOS反相器具有以下重要特性:

①輸出高電平為V DD ,輸出低電平為GND;

②屬于無比邏輯,功能不受晶體管相對尺寸影響;

③具有低輸出阻抗,輸入電阻極高;

④理論上具有無窮大扇出,單個反相器可以驅(qū)動無窮多個門,增加扇出會增加傳播延時,動態(tài)特性會變差,但不會影響穩(wěn)態(tài)特性;

⑤在穩(wěn)態(tài)工作情況下,電源線和地線之間沒有直接通路,沒有電流存在,意味著理論上沒有靜態(tài)功耗。

如下圖是一個靜態(tài)CMOS反相器的電路圖,由一個上拉的PMOS器件和一個下拉的NMOS器件組成。通過使用MOS管的開關(guān)模型,可以將其等效成右邊所示的反相器開關(guān)模型。當(dāng)V in =VDD時,下拉NMOS器件開始工作,PMOS器件斷開,將存儲在負(fù)載電容CL上的電壓放電至0V。當(dāng)V in =0V時,上拉PMOS器件開始工作,NMOS器件斷開,向負(fù)載電容CL充電至V DD
8C81F933-7AF8-441f-A0F5-EAA900052BFE.png

我們?yōu)槭裁匆褂肗MOS器件作為下拉器件,PMOS器件作為上拉器件呢?主要原因是PMOS器件是強1器件,而NMOS器件是強0器件。如下圖所示,使用NMOS器件放電時可以將存儲在負(fù)載電容CL上的電壓放電至0V,而使用PMOS器件只能放電至|V Tp |。同樣,使用PMOS器件充電時,可以向負(fù)載電容CL充電至V DD ,而使用NMOS器件只能充電至V DD -V Tn

8C81F933-7AF8-441f-A0F5-EAA900052BFE.png
CMOS反相器的總功耗分為動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗,我們首先看一下動態(tài)功耗。動態(tài)功耗主要有兩種,由充放電電容引起的動態(tài)功耗和由直接通路電流引起的動態(tài)功耗。充放電電容引起的動態(tài)功耗大致過程是在充電過程中,一半能量被PMOS管消耗,一半能量存儲在CL負(fù)載電容中;放電過程中,存儲在電容上的能量被NMOS管消耗。

8C81F933-7AF8-441f-A0F5-EAA900052BFE.png

f 0→1 :稱為開關(guān)活動性,是消耗能量的翻轉(zhuǎn)頻率,也就是每秒通斷次數(shù)

另一種動態(tài)功耗是由于輸入波形存在上升和下降時間,導(dǎo)致在開關(guān)過程中從VDD到GND之間在短期內(nèi)出現(xiàn)一條直流通路,造成短路電流。
8C81F933-7AF8-441f-A0F5-EAA900052BFE.png

接下來,我們分析一下峰值電流

? 當(dāng)負(fù)載很大,輸出的下降時間明顯比輸入上升時間大,輸入在輸出改變之前就已經(jīng)通過了過渡區(qū),PMOS的源漏電壓近似為0,P管就基本關(guān)斷了,所以Ipeak很小

? 反之,當(dāng)負(fù)載很小,輸出下降時間明顯小于輸入上升時間,PMOS的VDS大部分時間等于V DD ,所以導(dǎo)致了最大的短路電流

我們得到的結(jié)論是:使輸出的下降時間大于輸入上升時間可以減小短路功耗,但輸出的上升/下降時間太大會降低電路速度,并在扇出門中引起短路電流。換句話說,當(dāng)負(fù)載電容比較小時,直接通路電流引起的動態(tài)功耗將占主導(dǎo),而當(dāng)負(fù)載電容較大時,充放電負(fù)載電容引起的動態(tài)功耗將占主導(dǎo)。

靜態(tài)功耗一般由源(或漏)與襯底之間的反偏二極管漏電和亞閾值漏電構(gòu)成:

①源(或漏)與襯底之間的反偏二極管漏電

通常情況下非常小,該部分漏電是由熱產(chǎn)生的載流子引起的,該數(shù)值隨結(jié)溫而增加,并且呈指數(shù)關(guān)系。

②亞閾值漏電

VGS接近閾值電壓時會有源漏電流,在深亞微米工藝下,電源電壓降低導(dǎo)致這一電流越發(fā)顯著。

靜態(tài)功耗計算公式為:
8C81F933-7AF8-441f-A0F5-EAA900052BFE.png

I stat :指在沒有開關(guān)活動存在時在電源兩條軌線之間流動的電流。

CMOS反相器的總功耗為:

8C81F933-7AF8-441f-A0F5-EAA900052BFE.png

應(yīng)當(dāng)指出的是在典型的CMOS電路中由充放電電容引起的動態(tài)功耗占主導(dǎo)地位,直接通路電流引起的功耗可以通過設(shè)計控制在限定范圍內(nèi),而漏電造成的靜態(tài)功耗在未來的工藝制程下會占據(jù)更大比重。

反相器和非門在數(shù)字邏輯電路中都有重要的作用。它們在定義、工作原理、電路結(jié)構(gòu)、邏輯功能、應(yīng)用場景等方面都存在一定的區(qū)別。在實際電路設(shè)計中,需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求和性能要求,選擇合適的邏輯門。

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