在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

高壓功率IC片上靜電防護器件

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-06-22 00:13 ? 次閱讀

導語:LDMOS晶體管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor, LDMOS)已廣泛應用于電源管理集成電路、LED/LCD驅動器、手持和汽車電子高壓功率集成電路。了解LDMOS的靜電防護性能,有益于高壓功率IC的片上靜電防護器件設計。

正文:

高壓功率集成電路是半導體產(chǎn)業(yè)的一個重要分支,在汽車電子、電源管理、高壓驅動、航天航空、武器裝備里有著廣泛的應用。功率IC往往因為大電壓、大電流、強電磁干擾、頻繁拔插、室外高低溫等特殊工作環(huán)境,對其片上ESD設計提出了更高的防護要求。

LDMOS是功率IC的常用器件,它與低壓MOSFET一樣存在靜電泄放電流非均勻分布的問題,因而而器件在不做任何改進的情況下,不能充分發(fā)揮其靜電防護的潛能,是LDMOS器件靜電魯棒性提高的主要障礙。

1. 單指器件靜電泄放電流非均勻分布的TCAD仿真

對單指nLDMOS器件建模,對器件進行瞬態(tài)仿真。如圖1、圖2所示為器件在靜電泄放不同的時刻,器件剖面的電流密度分布,證明了單指器件的部分開啟,會導致ESD電流非均勻分布,單指器件的失效電流實際上只是開啟部分的寄生BJT失效時承受的ESD電流。

wKgZomZ1phKAZ1HoAARumJAPF5c187.png

圖1 t=0.4ns時M1、M2的電流分布

wKgZomZ1piOAUQgBAAHCe8Z4WLI638.png

圖2 t=3ns時M1、M2的電流分布

2. 多指器件靜電泄放電流非均勻分布的TCAD仿真

多指nLDMOS器件,其各叉指等效的寄生三極管基極因被深N阱隔離,使得各個叉指基極電阻一樣大。因而從理論上講,相對于基極電阻差異化的低壓多叉指NMOS器件而言,各叉指應該同時觸發(fā)。但事實上,還有其他因素無法保證所有叉指在ESD應力下被同時觸發(fā),比如,材料本身的不均勻性、在物理版圖位置上距離IO/GND PAD的遠近、金屬連線的區(qū)別、器件本身的大面積特征。如圖3、圖4所示的2叉指和4叉指器件,分別只開啟了1叉指和2叉指。

wKgZomZ1pj2AQ0tAAAGUId5b6Vc566.png

圖3 兩叉指 nLDMOS的泄放電流分布

wKgaomZ1plmAaRbXAAGUPnty-fY534.png

圖4 四叉指nLDMOS的泄放電流分布

3. 單指、多指器件的TLP測試驗證

從圖5可以看出,單指器件失效電流不與指長W成正比例增加;從圖6可知,多指器件失效電流不與叉指數(shù)目F成正比例增加。測試結果從側面證明了,高壓LDMOS的單指、多指器件存在電流的非均勻泄放,簡單地增加器件指長或叉指數(shù)目,無法有效地提高LDMOS器件的靜電防護等級。

wKgaomZ1pnSAfUbJAAGs5J3BPJ4752.png

圖5 單指器件的TLP測試IV曲線對比

wKgZomZ1poSAE3QQAAI2SE4xDkk712.png

圖6 多指器件的TLP測試IV曲線對比

湖南靜芯微電子技術有限公司經(jīng)過五年的工作積累,從器件結構、觸發(fā)方式、版圖形式多個角度對LDMOS器件進行專業(yè)設計,開發(fā)成功系列5kV/8kV/15kV的高壓片上LDMOS靜電器件,解決了單指、多叉指LDMOS器件的電流非均勻性問題。直接選用本公司靜電器件或委托定制設計,可提升客戶功率IC的靜電可靠性。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率IC
    +關注

    關注

    2

    文章

    50

    瀏覽量

    11059
  • 靜電防護
    +關注

    關注

    11

    文章

    201

    瀏覽量

    47778
  • 防護器件
    +關注

    關注

    0

    文章

    37

    瀏覽量

    41191
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    靜電對電子元器件的危害及防護原理

    IC的破壞不僅體現(xiàn)在電子元器件的制作工序當中,而且在IC的組裝、運輸?shù)冗^程中都會對IC產(chǎn)生破壞。 要解決以上問題,可以采取以下各種靜電
    發(fā)表于 09-21 10:41

    靜電對電子元器件的危害及防護原理

    IC的破壞不僅體現(xiàn)在電子元器件的制造工序當中,而且在IC的組裝、遠輸?shù)冗^程中都會對IC產(chǎn)生破壞。 要解決以上問題,可以穿防靜電大褂或者以下
    發(fā)表于 06-06 10:10

    高壓功率IC靜電防護器件

    [size=1em]導讀LDMOS晶體管已廣泛應用于電源管理集成電路、LED/LCD驅動器、手持和汽車電子等高壓功率集成電路。了解LDMOS的靜電防護性能,有益于
    發(fā)表于 03-03 17:54

    高壓功率IC靜電防護器件之BSDOT結構

    [size=1em]導讀LDMOS是功率IC的常用器件,它作為靜電
    發(fā)表于 03-12 14:12

    高壓功率IC靜電防護器件之BSDOT結構

    [size=1em]導讀LDMOS是功率IC的常用器件,它作為靜電
    發(fā)表于 04-06 09:24

    淺析ESD 防護與ESD 防護器件

    ,我們不可能在使用手機之前先戴上靜電手環(huán),通話結束后將手機放到靜電袋中以避免ESD。事實,由于用戶鮮有機會接觸到產(chǎn)品內部的元器件及電路板,因此也不需要如此嚴格的ESD
    發(fā)表于 07-31 14:59

    電路級靜電防護設計技巧與ESD防護方法

    了幾個試驗等級,目前手機CTA測試執(zhí)行得是3級,即接觸放電6KV,空氣放電8KV。很多手機廠家內部執(zhí)行更高的靜電防護等級。  當集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時,放電回路
    發(fā)表于 10-23 16:08

    【轉】電路級靜電防護設計技巧與ESD防護方法

    CTA測試執(zhí)行得是3級,即接觸放電6KV,空氣放電8KV。很多手機廠家內部執(zhí)行更高的靜電防護等級。當集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時,放電回路的電阻通常都很小,無法限制放
    發(fā)表于 04-23 16:38

    電路靜電防護小科普:了解放電器件與ESD防護方法

    手機CTA測試執(zhí)行得是3級,即接觸放電6KV,空氣放電8KV。很多手機廠家內部執(zhí)行更高的靜電防護等級。當集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時,放電回路的電阻通常都很小,無法限
    發(fā)表于 05-28 08:00

    電路級靜電防護設計技巧與ESD防護方法

    等級,目前手機CTA測試執(zhí)行得是3級,即接觸放電6KV,空氣放電8KV。很多手機廠家內部執(zhí)行更高的靜電防護等級。 當集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時,放電回路的電阻通
    發(fā)表于 07-07 08:26

    器件在應用中的靜電防護

    器件在應用中的靜電防護
    發(fā)表于 10-17 13:34 ?18次下載
    元<b class='flag-5'>器件</b>在應用中的<b class='flag-5'>靜電</b><b class='flag-5'>防護</b>

    USB接口靜電防護器件選型要點

    USB接口靜電防護器件選型要點 USB接口靜電防護器件是一種用于防止USB接口設備受到
    的頭像 發(fā)表于 01-03 11:31 ?1320次閱讀

    如何從利用靜電防護器件來降低ESD危害?

    保護設備和元件免受靜電損害。本文將詳細介紹如何利用靜電防護器件來降低ESD危害。 首先,了解ESD的原理非常重要。靜電放電是指由于電荷累積在
    的頭像 發(fā)表于 01-03 13:42 ?951次閱讀

    高壓功率IC靜電防護器件之BSDOT結構

    導語:LDMOS是功率IC的常用器件,它作為靜電防護
    的頭像 發(fā)表于 06-22 00:17 ?585次閱讀
    <b class='flag-5'>高壓</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>片</b><b class='flag-5'>上</b><b class='flag-5'>靜電</b><b class='flag-5'>防護</b><b class='flag-5'>器件</b>之BSDOT結構

    高壓功率IC靜電防護器件之版圖形式

    導語:nLDMOS已經(jīng)被廣泛應用在電源管理芯片、LED/LCD驅動、便攜產(chǎn)品和汽車電子等功率IC領域,其優(yōu)點是:它可以被同時用作內核電路的輸出驅動管和輸出端口的ESD箝位器件。湖南靜芯微電子技術有限公司研究發(fā)現(xiàn),nLDMOS版圖
    的頭像 發(fā)表于 06-22 00:21 ?791次閱讀
    <b class='flag-5'>高壓</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>片</b><b class='flag-5'>上</b><b class='flag-5'>靜電</b><b class='flag-5'>防護</b><b class='flag-5'>器件</b>之版圖形式
    主站蜘蛛池模板: 天天射天天干天天操 | 天天综合网网欲色 | 综合婷婷 | 夭天干天天做天天免费看 | a级网| 日本aaaa级毛片在线看 | 手机看片日韩福利 | 日本一区二区免费看 | 国内精品伊人久久大香线焦 | 自偷自拍亚洲欧美清纯唯美 | 国产全肉乱妇杂乱视频 | 亚洲一级特黄特黄的大片 | 综合网激情 | 亚洲成片在线观看12345ba | 欧美国产一区二区二区 | 色爱区综合激情五月综合色 | 午夜啪啪片 | 国产美女作爱 | 一级做a爰片久久毛片免费 一级做a爰片久久毛片免费看 | 国产亚洲精品aa在线观看 | 国模欢欢炮交啪啪150 | 色色色色色网 | 欧美视频一区二区三区在线观看 | 亚洲深爱 | 日本视频h | 午夜免费免费啪视频观看 | 激情在线网站 | 日本片免费观看一区二区 | 欧美日本一区二区三区道 | 亚洲图色视频 | 丁香啪啪天堂激情婷婷 | 国产色网| 1024 cc香蕉在线观看看中文 | 亚洲天天更新 | 卡2卡三卡四卡精品公司 | 黄色成人一级片 | 午夜影院啊啊啊 | 国产精品毛片一区二区三区 | 久久精品美女久久 | gav久久 | 玖玖玖精品视频免费播放 |