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適用于隔離式ADC信號鏈解決方案的低EMI設(shè)計(jì)

德州儀器 ? 來源:德州儀器 ? 2024-06-22 17:01 ? 次閱讀

歡迎再次來到我們的技術(shù)專欄——模擬芯視界。在上一期中,我們討論了使用理想二極管控制器進(jìn)行 ORing 和電源多路復(fù)用的概念和優(yōu)勢、不同類型和架構(gòu),以及在汽車系統(tǒng)中使用理想二極管控制器實(shí)現(xiàn) ORing 和電源多路復(fù)用的挑戰(zhàn)和解決方案。

本次為大家?guī)淼氖恰哆m用于隔離式 ADC 信號鏈解決方案的低 EMI 設(shè)計(jì)》。該文章將解釋 EMI(特別是輻射發(fā)射)的來源,并介紹了一些盡可能減少模擬信號鏈的 EMI 的技術(shù),包括詳細(xì)的布局示例和測量結(jié)果。

引言

如今人們使用的電子設(shè)備數(shù)量龐大,而這些設(shè)備的體積卻在不斷縮小,這使得電磁干擾 (EMI) 成為電路設(shè)計(jì)人員面臨的一大難題。用于通信、計(jì)算和自動化的電路需要近距離工作。產(chǎn)品還必須符合政府的電磁兼容性 (EMC) 規(guī)定。幾乎每個國家/地區(qū)都對在其境內(nèi)銷售的電子產(chǎn)品的 EMC 做出了規(guī)定。在美國,聯(lián)邦通信委員會 (FCC) 監(jiān)管所有商業(yè)(非軍事)電磁輻射源,并在美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會 (ANSI) 的標(biāo)準(zhǔn) C63.4 等標(biāo)準(zhǔn)中定義了輻射和傳導(dǎo) EMI 測試程序。歐盟 (EU) 國家對電子設(shè)備的電磁輻射和抗擾度都有規(guī)定;電磁兼容性指令基本上規(guī)定,設(shè)備必須符合統(tǒng)一的 EMC 標(biāo)準(zhǔn),并進(jìn)行相應(yīng)的測試和標(biāo)記。

與各類設(shè)備相關(guān)的 EMC 標(biāo)準(zhǔn)有很多。例如,國際電工委員會 (IEC) 61000 標(biāo)準(zhǔn)涵蓋大多數(shù)商用產(chǎn)品的抗擾度要求,而國際無線電干擾特別委員會 (CISPR) 32 標(biāo)準(zhǔn)則規(guī)定傳導(dǎo)和輻射發(fā)射的限制。 表 1 列出了相關(guān)產(chǎn)品領(lǐng)域的 CISPR、歐洲規(guī)范和 FCC 標(biāo)準(zhǔn)。美國和歐盟以外的許多其他國家/地區(qū)要么規(guī)定要符合 FCC 或歐盟的 EMC 要求,要么有它們自己的要求。美國和歐洲以外國家/地區(qū)的法規(guī)通常與 FCC 或歐盟的要求類似。

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表1: 輻射和傳導(dǎo)發(fā)射的主要產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)摘要

在考慮特定類型的設(shè)備(例如智能電表)時,對低 EMI 的需求變得更加明顯。智能電表是未來能源分配的重要組成部分。它們向電力公司和終端用戶提供實(shí)時用電數(shù)據(jù),幫助人們監(jiān)測能源使用情況,并且無需上門抄表。大多數(shù)智能電表通過無線通信 連接,如無線 M-Bus 或 ZigBee,或者連接到蜂窩電話網(wǎng)絡(luò)(GSM、LTE cat NB1 - NB2、2G/3G/5G)。如圖 1 所示,智能電表包含一個射頻 (RF) 發(fā)射器電路,通常與電能計(jì)量電路板位于同一外殼內(nèi)。必須盡可能減少計(jì)量電路的輻射發(fā)射,以免干擾射頻通信,射頻通信的工作頻率為 800MHz、900MHz、1,800MHz、 2,100MHz 或 2,700MHz 等。計(jì)量電路還需要具有抗電磁易感性(能夠承受無線通信產(chǎn)生電磁能量),以避免因射頻噪聲注入靈敏的能量計(jì)量前端而產(chǎn)生的計(jì)費(fèi)誤差。

本文解釋了 EMI(特別是輻射發(fā)射)的來源,并介紹了一些盡可能減少模擬信號鏈的 EMI 的技術(shù),包括詳細(xì)的布局示例和測量結(jié)果。

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圖1:支持射頻的智能電表

EMI 和輻射發(fā)射來源

EMC 是指在存在 EMI 的情況下,電氣系統(tǒng)在其預(yù)定環(huán)境中正常運(yùn)行的能力,以及不成為超出相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定限制的電磁環(huán)境干擾源的能力。

EMI 可以是輻射干擾,也可以是傳導(dǎo)干擾。輻射干擾以無線電波的形式傳播,也稱為射頻干擾。傳導(dǎo)干擾來自傳輸信號和電力的電纜中電流產(chǎn)生的磁場。

本文重點(diǎn)關(guān)注如何盡可能減少輻射干擾。在印刷電路板 (PCB) 上或安裝在 PCB 上的集成電路 (IC) 內(nèi)部,輻射發(fā)射的一些主要來源包括:

開關(guān)信號,如時鐘信號,在數(shù)字信號轉(zhuǎn)換過程中電壓電平會快速發(fā)生變化。這是因?yàn)樾盘栔泻懈哳l成分。開關(guān)和時鐘信號對于 IC 內(nèi)部和 IC 之間各種元件的同步運(yùn)行至關(guān)重要。

開關(guān)穩(wěn)壓器和其他元件,它們會導(dǎo)致電源線上的電流消耗快速變化。

輸入/輸出緩沖器,尤其是與 USB、HDMI以太網(wǎng)等高速接口相關(guān)的緩沖器,因?yàn)樗鼈冃枰幚砀咚傩盘栟D(zhuǎn)換。

在頻率高于基波信號時,IC 內(nèi)部電路中的非線性行為產(chǎn)生的諧波。

IC 互連和結(jié)構(gòu)中的寄生電容、電感和電阻。

觸發(fā) ESD 保護(hù)電路的靜電放電 (ESD) 事件。

圖 2 展示了德州儀器的 AMC131M03 電隔離模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 及其內(nèi)部架構(gòu)和印刷電路板上的連接所產(chǎn)生的主要輻射源。ADC 用于三相電能計(jì)量應(yīng)用,圖 2 顯示了單相(相 A)的電路。信號鏈的設(shè)計(jì)目的是提取電壓和電流測量值,用于能源監(jiān)測。ADC 通道 0 通過分流電阻器測量相電流,通道 1 通過電阻分壓器測量相電壓 。對輻射影響最大的是內(nèi)部開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器(圖 1 中的 a),它在高壓側(cè)產(chǎn)生隔離電源。第二大輻射發(fā)射源是數(shù)字隔離(圖 2 中的 b),因?yàn)樗峭ㄟ^堆疊電容屏障使用高頻開/關(guān)鍵控傳輸實(shí)現(xiàn)的。此外,時鐘信號也會在很寬的頻率范圍內(nèi)產(chǎn)生輻射,例如 ADC 調(diào)制器時鐘 CLKIN(圖 2 中的 c),以及 ADC 和微控制器之間的數(shù)字通信接口(圖 2 中的 d)。

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圖 2: 帶有隔離式 ADC 的模擬信號鏈和輻射發(fā)射源

更大限度減少 EMI 的技術(shù)

有幾種常見的 PCB 設(shè)計(jì)技術(shù)可以更大限度地減少 EMI :

正確接地:這是減少輻射發(fā)射的有效方法之一。小心地接地可避免可能充當(dāng)天線的接地環(huán)路。使用接地平面還有助于減少環(huán)路面積,并為信號提供返回路徑,從而降低產(chǎn)生 EMI 的可能性。但在其他情況下,接地平面會在敏感節(jié)點(diǎn)上形成天線,并增加輻射發(fā)射(參閱圖 5 中的具體示例)。

元件放置:放置元件時應(yīng)盡可能減少信號線的長度,尤其是高速信號。將數(shù)字和模擬元件分開,以避免干擾。

直而短的布線:以直線方式進(jìn)行高速布線并盡可能縮短布線,可以更大限度地減少潛在 EMI。此外,還要注意避免在布線中形成直角,因?yàn)橹苯菚?dǎo)致反射和信號損失。

使用去耦電容器:去耦電容器可為高頻噪聲提供一條短的接地返回路徑。將去耦電容器放置在盡可能靠近 IC 電源引腳的位置。

受控阻抗:控制信號布線的阻抗將與信號源和負(fù)載的阻抗相匹配,有助于防止可能導(dǎo)致輻射發(fā)射的信號反射。

屏蔽:有時,在 PCB 的某些區(qū)域使用金屬屏蔽層或屏蔽材料可以防止輻射發(fā)射。

使用濾波器:濾波器可以阻擋引起輻射發(fā)射的某些頻率,在電源電路中特別有用。

層堆疊:在多層 PCB 中,應(yīng)注意各層的排列方式,以盡可能減少 EMI。通常來說,交替使用電源層和接地層是一種很好的做法,因?yàn)檫@有助于減少環(huán)路面積,并為信號提供返回路徑。頂層和底層接地層可作為內(nèi)部信號層(如產(chǎn)生輻射發(fā)射的時鐘)的屏蔽場。

避免時鐘諧波:時鐘信號會產(chǎn)生諧波,從而干擾電路的其他部分。展頻技術(shù)有助于分散這些諧波,減少其影響。

EMI 仿真:輻射發(fā)射仿真工具有助于在 PCB 設(shè)計(jì)階段預(yù)測和更大限度地減少 EMI。

圖 3 是圖 2 中介紹的模擬信號鏈的詳細(xì)示意圖。

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圖 3: 圖 2 中模擬信號鏈的詳細(xì)示意圖

圖 4 和圖 5 展示了減少輻射發(fā)射的技術(shù)在 AMC131M03 的相應(yīng) PCB 布局中的應(yīng)用。圖 4 顯示了一種“良好”布局,高壓域(AMC131M03 位置左側(cè)的 PCB 區(qū)域)的 ADC 輸入和電源線路的布線較短,將旁路電容器 C1、C6、C8、C9、C11、C13、C14 和 C24 放置在靠近 IC 的位置。

減輕 EMI 的一個重要方面是隔離式接地節(jié)點(diǎn) ISO_GND 的接地方案。盡可能縮短布線長度,并且不在高壓域放置接地平面,可更大限度地減少該節(jié)點(diǎn)上的天線,從而更大限度地減少輻射發(fā)射。鐵氧體磁珠 F1 和 F2 插入電源連接 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND,以阻隔高頻噪聲。您還可以在具有過高輻射發(fā)射的頻率處(取決于 PCB 設(shè)計(jì))額外放置一個高阻抗鐵氧體磁珠 (F3),與電阻分壓器串聯(lián),用于測量電壓。

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圖 4:良好的PCB布局(低 EMI )

圖 5 展示了一種“不良”布局,其中顯示接地平面連接到 ISO_GND 節(jié)點(diǎn),這起到天線的作用,會顯著增加輻射發(fā)射。

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圖 5:不良 PCB 布局(高 EMI )

圖 6 和圖 7 顯示了使用圖 4 中所示布局實(shí)現(xiàn)方案的AMC131M03 PCB 的輻射發(fā)射測量。測量是按照 CISPR 11 的要求進(jìn)行的,即在半電波暗室中使用為水平和垂直極化配置的寬帶天線,距離為 3m。ADC 通過 CLKIN 引腳接收連續(xù)時鐘,并生成轉(zhuǎn)換結(jié)果。不過,在對發(fā)射曲線進(jìn)行表征期間沒有串行外設(shè)接口通信。該設(shè)計(jì)符合 CISPR 11 A 級和 B 級標(biāo)準(zhǔn),裕度為 13dB,為市場上具有數(shù)據(jù)和電源增強(qiáng)型隔離功能的 ADC 提供超低輻射發(fā)射性能。

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圖 6:水平輻射發(fā)射 CISPR

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圖 7:垂直輻射發(fā)射 CISPR 11 測量

結(jié)語

為確保電子電路按設(shè)計(jì)運(yùn)行,必須防止電磁干擾。同時,電路本身不得產(chǎn)生可能威脅或降低其他設(shè)備性能的輻射。要符合 EMC 標(biāo)準(zhǔn),必須在四個層面上提供 EMI 保護(hù):元件層面、電路板層面、系統(tǒng)層面和整個系統(tǒng)層面 。

本文介紹的技術(shù)可更大限度地減少 PCB 設(shè)計(jì)層面的 EMI,并可輕松應(yīng)用于一個實(shí)際例子,即用于電能計(jì)量的具有增強(qiáng)隔離功能的一流精密 ADC 信號鏈 。憑借使用建議的 EMI 降低技術(shù)進(jìn)行精心設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)相關(guān) EMC 標(biāo)準(zhǔn)要求的足夠裕量 。

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