新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產品擴展
新品
采用2000V SiC M1H芯片的
62mm半橋模塊系列產品擴展
2000V的62mm CoolSiC MOSFET半橋模塊系列新增5.2mΩ新規格。其采用了M1H芯片技術，模塊還提供預涂導熱界面材料（TIM）版本。
相關產品：
FF5MR20KM1H (P) 5.2mΩ，
2000V 62mm半橋模塊
(P)為預涂導熱界面材料（TIM）版本
產品特點
堅固的集成體二極管，優化了熱阻
卓越的柵極氧化層可靠性
抗宇宙射線能力強
應用價值
按照應用苛刻條件優化
更低的電壓過沖
導通損耗最小
高速開關，損耗極低
對稱模塊設計實現對稱的上下橋臂開關行為
標準模塊封裝技術確保可靠性
62毫米高產量生產線的生產
競爭優勢
通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用
電流密度最高，防潮性能強
應用領域
儲能系統
電動汽車充電
光伏逆變器
UPS
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
459文章
51893瀏覽量
433322 -
SiC
+關注
關注
31文章
3087瀏覽量
64076 -
半橋模塊
+關注
關注
1文章
9瀏覽量
1509
發布評論請先 登錄
相關推薦
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200
派恩杰半導體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內置二極管提升高頻應用可靠性
派恩杰半導體上新 ；1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊，內置二極管提升高頻應用可靠性！
CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE
的應用，CAB450M12XM3的體積和重量僅為傳統62mm模塊的一半，完美適配空間受限的安裝環境。
低電感架構：其6.7nH的低電感設計優化了功率總線布局，顯著降低了開關過程中的能量
發表于 03-17 09:59
國產SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案
基本半導體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優勢分析以及全面取代老舊的2000V器件兩電平MPPT升壓方案成為趨勢 一、方案
瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊
日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產品(IV3B20023BA2)，為光伏等領域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該
英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎，CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就
利用AgileSwitch Augmented Switching?柵極驅動器對62 mm SiC功率模塊進行表征
電子發燒友網站提供《利用AgileSwitch Augmented Switching?柵極驅動器對62 mm SiC功率模塊進行表征.pdf》資料免費下載
發表于 01-21 14:00
?0次下載
天合光能榮獲全球首張210系列組件UL 2000V認證
近日，天合光能至尊N型2000V高壓組件，憑借其在高功率輸出、高系統電壓和卓越可靠性等方面的顯著優勢，成功通過第三方權威機構UL Solutions認證，榮獲全球首張210系列組件UL 61730
新品 | CoolSiC? MOSFET 3.3 kV XHP? 2半橋模塊
新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半橋模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝，采用.XT互
英飛凌再次榮膺2024年全球電子產品獎，CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
11月5日，英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年
2000V SiC分立器件雙脈沖或連續PWM評估板
CoolSiC? 2000V SiC MOSFET分立器件和EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅動器1ED31xx系列。 該電路板設計靈活，可在不同的測試條件下，通過雙脈沖或連
工商網監
評論