歡迎再次來到我們的技術(shù)專欄——模擬芯視界。在上一期中,我們介紹了 EMI(特別是輻射發(fā)射)的來源,以及一系列旨在減少模擬信號(hào)鏈的 EMI 的技術(shù),包括詳細(xì)的布局示例和測量結(jié)果。
本次為大家?guī)淼氖?strong>《在高密度 GaN 優(yōu)化型 PFC 轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復(fù)問題》。本文利用基于變頻、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱 PFC 參考設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證數(shù)據(jù)來討論交流壓降和恢復(fù)問題的解決方案。
引言
數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源單元斷電會(huì)導(dǎo)致從娛樂到金融交易再到家庭安防系統(tǒng)的所有方面發(fā)生中斷。諸如開源計(jì)算項(xiàng)目 (OCP) 中的 V2 電源架規(guī)范等各種規(guī)范突顯出需要使用穩(wěn)健的交流壓降控制算法來減少服務(wù)器停機(jī)時(shí)間。此外,在傳統(tǒng)的連續(xù)導(dǎo)通模式控制中,數(shù)據(jù)中心需要具有成本效益的解決方案來提高功率因數(shù)校正 (PFC) 輕負(fù)載和峰值效率,同時(shí)縮小無源器件,這變得越來越困難。
為了解決這個(gè)問題,德州儀器使用兩相集成三角電流模式 (iTCM) PFC 開發(fā)了基于氮化鎵 (GAN) 的高密度設(shè)計(jì)(圖 1)。在高頻下運(yùn)行的低值電感器使得此設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)高效率 (>99%) 和高功率密度 (120W/in3)。這些小型電感器在交流壓降恢復(fù)過程中存在一個(gè)獨(dú)特的問題,即只有幾微秒的開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間也可能會(huì)產(chǎn)生超過 70A 的開關(guān)電流。此外,時(shí)序中的任何延遲也會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)明顯的反向電流,從而進(jìn)一步加劇 PFC 的恢復(fù)問題。要將電流水平保持在安全水平并防止反向電流,需要開發(fā)一種新的解決方案來解決交流壓降和恢復(fù)問題。本文利用基于變頻、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱 PFC 參考設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證數(shù)據(jù)來討論此解決方案,表 1 列出了主要元件和系統(tǒng)規(guī)格。
圖 1:采用電感器和電流包絡(luò)的 iTCM 拓?fù)?/p>
表 1 : 采用電感器和電流包絡(luò)的 iTCM 拓?fù)?/p>
拓?fù)涓攀?/strong>
該拓?fù)涫褂脙蓚€(gè)以 180° 異相運(yùn)行的相位,使用單個(gè)直流阻斷電容器 Cb,利用兩相架構(gòu)提供的紋波電流消除,并降低 Cb 中的均方根 (RMS) 電流應(yīng)力。調(diào)整 Lb1 和 Lb2 來處理 TCM 運(yùn)行所需的高頻交流紋波電流,從而消除 TCM 中使用的電感器所需的直流偏置負(fù)擔(dān)。為 Lb1 和 Lb2 使用鐵氧體磁芯,確保在存在零電壓開關(guān) (ZVS) 所需的高磁通擺幅的情況下具有低損耗。Lg1 和 Lg2 的值大于 Lb1 和 Lb2(約大 10 倍),可防止大部分高頻電流流入輸入源,進(jìn)而改善 EMI。此外,由于 Lg1 和 Lg2 中的紋波電流較低,因此可以使用成本更低的磁芯材料。圖 1 還顯示了適用于電感器和開關(guān)節(jié)點(diǎn)的紋波電流包絡(luò)。
交流壓降技術(shù)挑戰(zhàn)
要強(qiáng)調(diào)的第一個(gè)挑戰(zhàn)是,在交流輸入電壓消失時(shí)會(huì)生成反向電流。由于圖騰柱 PFC 拓?fù)渲械乃虚_關(guān)都是雙向的,因此在去除交流電源時(shí),必須盡快關(guān)斷作為同步整流器運(yùn)行的 FET。這種關(guān)斷可防止產(chǎn)生負(fù)向電流,從而避免輸出電壓的放電,并減少可用的保持時(shí)間。圖 2 展示了在正半周期內(nèi)為同步導(dǎo)通間隔生成此負(fù)向電流的路徑。此外,關(guān)斷同步整流器過程中出現(xiàn)任何較大延遲也會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)一個(gè)大電流尖峰,該電流尖峰會(huì)激活過流保護(hù) (OCP)。例如,如果同步整流器在沒有輸入電壓時(shí)保持導(dǎo)通,則您可以解算在生成 70A 電流所花的時(shí)間(即 2.5μs)內(nèi)的
這么短的時(shí)間會(huì)給交流壓降檢測帶來一個(gè)重大問題,因?yàn)樵谙到y(tǒng)觸發(fā) OCP 或造成損壞之前,交流壓降檢測需要及時(shí)識(shí)別問題并停止開關(guān)操作。
圖 2: 同步整流器 S21 延遲關(guān)斷 Vdc 放電路徑
第二個(gè)挑戰(zhàn)是,在恢復(fù)交流電后恢復(fù) PFC 的運(yùn)行。此事件的核心問題來自這樣一個(gè)事實(shí):PFC 上的旁路二極管將輸出電壓充電至輸入正弦波的峰值,當(dāng)輸出電壓降至遠(yuǎn)低于這個(gè)峰值時(shí),在高壓線路上最容易發(fā)生這種情況。在此類事件期間,轉(zhuǎn)換器沒有用于停止電流的機(jī)制,從而使浪涌電流變得非常大。在此類事件期間,如果不恰當(dāng)?shù)乜刂崎_關(guān),則會(huì)使電感器飽和、觸發(fā) OCP 事件并進(jìn)一步使輸出電壓放電,從而使情況變得更糟。由于為 Lb1 和 Lb2 使用了小數(shù)值電感器,iTCM 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)經(jīng)常在較高的頻率范圍內(nèi)運(yùn)行,這會(huì)進(jìn)一步增加對(duì)精確控制算法的需求。
交流壓降解決方案
為了精確地確定是否存在交流輸入,該解決方案使用虛擬交流輸入信號(hào)來監(jiān)控實(shí)際交流輸入的完整性。通過測量輸入電壓幅度、頻率和相位來生成此虛擬信號(hào),因此在正常運(yùn)行期間,它可以很好地跟蹤實(shí)際交流輸入的 50Hz 和 60Hz 分量。該系統(tǒng)可以比較實(shí)際輸入與虛擬輸入,從而輕松地識(shí)別是否存在交流輸入電壓。這兩個(gè)信號(hào)之間的差值如果出現(xiàn)任何突然變化,則表明存在輸入瞬態(tài)事件。此瞬態(tài)事件用于檢測交流輸入電壓的損失和恢復(fù)。圖 3 展示了虛擬交流輸入以及發(fā)生壓降事件期間的實(shí)際輸入。
圖 3: 交流輸入壓降與虛擬交流信號(hào)
圖 4 展示了控制壓降和恢復(fù)過程的狀態(tài)機(jī)。在啟動(dòng)期間,系統(tǒng)會(huì)經(jīng)歷初始化周期(同步初始化),系統(tǒng)在這個(gè)過程中確定 RMS 輸入電壓幅度。它使用軟件鎖相環(huán) (SPLL) 來確保 Vac,virtual 的相位與 Vac,actual 的相位匹配。鎖定 SPLL(同步開啟)后,處理器會(huì)監(jiān)控 Vac,actual/Vac,virtual 之間的比率(請(qǐng)參閱圖 3)。如果此比率小于目標(biāo)閾值,則聲明壓降事件且開關(guān)立即停止(停止?fàn)顟B(tài))。此時(shí),系統(tǒng)會(huì)清除發(fā)生的任何故障并進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)(就緒),在此狀態(tài)下,系統(tǒng)會(huì)監(jiān)控 Vac,actual/Vac,virtual 比率來確定該比率何時(shí)高于恢復(fù)閾值。狀態(tài)機(jī)確定交流已恢復(fù)之后,它會(huì)立即恢復(fù)開關(guān)并重新同步 SPLL(恢復(fù)狀態(tài))。通過將 Vac,actual/Vac,virtual 比率與 SPLL 結(jié)合使用,該算法能夠確定任何輸入電壓或頻率下的交流壓降和恢復(fù)時(shí)間。此外,由于該算法始終會(huì)監(jiān)視 Vac,actual/Vac,virtual 比率,而基于電平的傳統(tǒng)解決方案要檢測交流輸入電壓何時(shí)變?yōu)榱悖虼怂梢员葌鹘y(tǒng)解決方案更快響應(yīng)。基于電平的壓降監(jiān)測會(huì)產(chǎn)生延遲,從而導(dǎo)致產(chǎn)生大的電流尖峰和明顯的反向電流。
圖 4: 交流壓降和恢復(fù)狀態(tài)機(jī)
結(jié)果
圖 5 展示了在交流壓降和恢復(fù)事件期間使用上述算法的兩相 iTCM 圖騰柱 PFC 的性能。60Hz 時(shí)的交流輸入電壓為 230VRMS,輸出電壓為 400V。負(fù)載為恒流 5kW(400V、12.5A),會(huì)出現(xiàn) 20ms 的交流壓降事件。為了對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生最壞情況應(yīng)力,移除了交流電,使其在交流線路周期的峰值時(shí)重新接入。這是浪涌電流的最壞情況,因?yàn)楫?dāng)交流線路峰值超過 VOUT 時(shí),輸入旁路二極管會(huì)導(dǎo)致大量浪涌電流進(jìn)入輸出電容器。
圖 5 中的波形還提供事件恢復(fù)部分的放大圖像。我們可以清楚地看到,PFC 開關(guān)電流得到良好控制,低于 GaN FETOCP 限制。最小的反向電流可防止 VOUT 的不必要放電。此外,因?yàn)樵撍惴軌蜉p松確定輸入電壓是高于還是等于輸出電壓,所以旁路二極管的導(dǎo)通間隔沒有異常行為。
圖 5: 5kW 時(shí)的交流壓降和恢復(fù)性能
除了交流壓降,該設(shè)計(jì)還提供低 THD、高效率、高功率密度和快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。
-
轉(zhuǎn)換器
+關(guān)注
關(guān)注
27文章
8748瀏覽量
148108 -
德州儀器
+關(guān)注
關(guān)注
123文章
1739瀏覽量
141011 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
1966瀏覽量
74300
原文標(biāo)題:模擬芯視界 | 在高密度 GaN 優(yōu)化型 PFC 轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復(fù)問題
文章出處:【微信號(hào):tisemi,微信公眾號(hào):德州儀器】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB布局第二部分
高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB布局第一部分
基于GaN的高效率CrM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器包括BOM及層圖
三路輸出三相控制器改善高密度功率轉(zhuǎn)換器性能設(shè)計(jì)
一種高密度降壓型轉(zhuǎn)換器布局
DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局
應(yīng)用于高密度電源設(shè)計(jì)的GaN半導(dǎo)體材料
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器資料下載
![基于SiC/<b class='flag-5'>GaN</b>的新一代<b class='flag-5'>高密度</b>功率<b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換器</b>資料下載](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局(上)
高密度GaN基功率級(jí)的熱設(shè)計(jì)
![<b class='flag-5'>高密度</b><b class='flag-5'>GaN</b>基功率級(jí)的熱設(shè)計(jì)](https://file.elecfans.com/web2/M00/29/08/pYYBAGHFdiKAPfvlAABK9Zzy8_4412.jpg)
高密度30W DCDC降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
![<b class='flag-5'>高密度</b>30W DCDC降壓<b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換器</b>參考設(shè)計(jì)](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器
![AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、<b class='flag-5'>高密度</b>多相<b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換器</b>](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
評(píng)論