全球領先的半導體制造商Nexperia今日宣布將投入高達2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，以顯著擴大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導體研究、開發及生產能力。

此次投資的核心聚焦于下一代高性能、高功率密度的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術的研發與生產。這兩種材料以其卓越的導電性、熱穩定性和高頻特性，正逐漸成為能源存儲、電力轉換以及電動汽車等前沿領域不可或缺的關鍵元件。Nexperia計劃利用這些資金，加速SiC和GaN技術的商業化進程，為市場帶來更加高效、可靠且成本效益顯著的解決方案。

具體而言，Nexperia漢堡工廠將增設先進的生產線和研發設施，專注于SiC和GaN功率半導體的設計與制造。這些產品不僅將大幅提升能源轉換效率，減少能量損耗，還將在電動汽車的電機控制、電池管理系統及快速充電技術中發揮關鍵作用，推動電動汽車行業向更高效、更可持續的方向發展。

此外，為了進一步增強其半導體制造領域的綜合實力，Nexperia還計劃將部分資金用于擴大其硅(Si)晶圓制造能力。這一舉措旨在提升公司在傳統半導體器件如二極管和晶體管的生產能力，這些組件在現代電力系統設計中扮演著至關重要的角色，從智能電網到消費電子，無處不在。

Nexperia的首席執行官在聲明中表示：“我們堅信寬帶隙半導體技術將是推動未來能源革命和交通電氣化的關鍵力量。此次對漢堡工廠的重大投資，不僅體現了我們對這一領域的堅定承諾，也彰顯了我們在全球半導體市場中的領先地位。我們期待通過不斷的技術創新和產能擴張，為全球客戶創造更多價值，共同推動行業進步。”

隨著Nexperia漢堡工廠寬帶隙半導體項目的推進，全球半導體行業正迎來一場前所未有的技術革新與產業升級，為構建更加綠色、智能的未來世界奠定堅實基礎。