高速器件采用表面發射器芯片技術
優異的VF溫度系數達-1.0 mV/K
Vishay推出一款采用透明無色引線型塑料封裝的新型890 nm高速紅外 ( IR ) 發光二極管,擴充其光電子產品組合。Vishay Semiconductors ?TSHF5211?基于表面發射器芯片技術,優異的VF溫度系數達 -1.0 mV/K,輻照強度和升降時間優于前代器件。
日前發布的發光二極管100mA驅動電流下典型輻照強度達235 mW/sr,比上一代解決方案提高50 %。器件開關時間僅為15 ns,典型正向電壓低至1.5 V,半強角只有± 10°,適用作煙霧探測器和工業傳感器的高強度發光二極管。這些應用中,TSHF5211可與硅光電探測器實現良好的光譜匹配。 器件符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素,無鉛( Pb ),可采用溫度達260 °C的無鉛焊接。
TSHF5211 現可提供樣品并已實現量產,大宗訂貨供貨周期為 20 周。
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原文標題:新型 890 nm 紅外發光二極管,典型輻照強度達 235 mW/sr
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Vishay推出多款采用工業標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應用效率

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