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時間分辨微波光電導測量系統(tǒng)簡介

jf_64961214 ? 來源:jf_64961214 ? 作者:jf_64961214 ? 2024-07-23 06:23 ? 次閱讀
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時間分辨微波電導(Time Resolved Microwave Conductivity, TRMC)是研究半導體材 料中非平衡載流子復合動力學的一種方法。它通過監(jiān)測激光照射樣品引起反射微波功 率的變化來反映出樣品載流子衰減壽命、遷移率、復合速率等微觀物理性質。這種技 術具有可操作性強、采集速度塊、時間分辨率高等優(yōu)點,可測量薄膜、粉末樣品且不 會損壞樣品,已成為表征半導體材料和光電器件基本性能的重要方法。

本文介紹了微波和傳輸線的基本理論,利用麥克斯韋方程組和邊界條件推導了規(guī) 則波導和諧振腔的場分布和傳輸特性,引入了 TRMC 測量半導體載流子復合動力學的 基礎理論,介紹了半導體的能帶結構、非平衡載流子的產生與復合方式。此外,本文 還介紹了開放式 TRMC、消直流背景式 TRMC、腔微擾式 TRMC 測量系統(tǒng)的設計原理、 以及各部件的使用。開放式 TRMC 的靈敏度較低,難以測得低電導率材料的光電信號,基于此,本文通過相移器與衰減器將測量系統(tǒng)的底噪背景消除至0,設計了消直流背景式 TRMC,并通過測量多晶MAPbBr3薄膜載流子壽命比較了兩種測量系統(tǒng)的差異。

對于腔微擾式 TRMC,介紹了腔微擾現(xiàn)象和原理,推導了腔微擾式 TRMC 測量系統(tǒng)的 靈敏度因子 K 與介電常數(shù)實部和虛部的關系,發(fā)現(xiàn)在諧振腔正常時介電常數(shù)虛部對靈 敏度因子影響最大。本文以石英片為例,利用腔微擾法測量了石英片的介電常數(shù),在 此諧振腔的基礎上使用高頻結構仿真軟件 HFSS(High Frequency Structure Simulation, HFSS)對諧振腔進行電磁仿真,得到了諧振腔的特性參數(shù),針對其反射系數(shù)低的問題,本文使用 HFSS 對耦合片的半徑和厚度進行參數(shù)掃描,得到了最佳耦合效果下的諧振腔模型。

硒化銻(Antimony selenide ,Sb2Se3)是近年來非常熱門的光伏材料,具有較低的電 導率,傳統(tǒng)的開放式 TRMC 測量系統(tǒng)難以測量其光電導信號。本文使用消直流背景式 TRMC 測量了單晶 Sb2Se3 和多晶 Sb2 Se3 薄膜的光電導衰減動力學,為 Sb2Se3 薄膜制備 和生長工藝提供了參考。此工作分為三部分:(1) 對單晶 Sb2 Se3 和多晶 Sb2 Se3 薄膜進行 結構和形貌表征。(2) 對于單晶 Sb2 Se3 ,分析了不同激發(fā)光波長和光生載流子密度對單晶 Sb2 Se3 ,得出單晶 Sb2 Se3 的體壽命 τB 為 2.7 ns ,載流子表面復合速率為 5.12×104cm · s-1 ;對于多晶 Sb2 Se3 薄膜,分析了不同光生載流子密度對它的有效壽命和衰減動力 學的影響,結果表明厚度為 200 nm 左右的多晶 Sb2 Se3 薄膜的光電導衰減對光生載流子 密度敏感,而厚度小于 100 nm 的多晶 Sb2 Se3 薄膜的光電導衰減不隨光生載流子密度變 化而變化。(3) 給出了多晶 Sb2 Se3 薄膜的載流子復合模型,分析了不同沉積厚度的 Sb2 Se3 薄膜的樣品質量優(yōu)劣。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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