汽車水泵是傳統內燃機汽車冷卻系統中的一個重要部件,它的主要作用是循環發動機冷卻液以保持發動機的工作溫度穩定。在新能源汽車中,雖然沒有了傳統的內燃機,但水泵仍然扮演著重要的角色,尤其是在電動汽車(EVs)和插電式混合動力汽車(PHEVs)中。
新能源汽車中的水泵用途:1)電池組冷卻:2)電機及逆變器冷卻:3)熱管理系統集成:新能源汽車往往具備更加復雜的熱管理系統,水泵作為其中的一部分,不僅可以用于冷卻,還可以用于加熱座艙(例如通過熱泵系統),以及預熱電池等。
綜上所述,盡管新能源汽車的動力系統與傳統燃油車不同,但水泵仍然是其熱管理系統中不可或缺的組成部分,對于保障車輛性能和延長關鍵部件的使用壽命具有重要作用。
- BLDC電機工作原理介紹
BLDC的基本工作原理是,當通電給其中一相定子繞組時,其產生的磁場與轉子產生的磁場之間互相影響,轉子便可以轉動起來。同時,通過位置傳感器得到電機位置信號,并把信號傳送給主控制器,然后根據轉子信號按照一定的順序開通或關斷功率管,使得 BLDC可以穩定運行。
BLDC的工作原理圖如右圖所示,A、B、C三相定子繞組通過星型連接,并直接與三相逆變器的開關電路連接。Q1作為電池的防反接保護,三相逆變器包括里六個 MOSFET,上橋臂有 Q2、Q4、Q6,下橋臂有 Q3、Q5、Q7。
![wKgZomarNIWAJguKAAEx-4j-t6Y834.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/EC/wKgZomarNIWAJguKAAEx-4j-t6Y834.png)
- SMT4005AHPDQ技術參數
![wKgZomarNTKAWNHiAAD2lla-Hvc625.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/ED/wKgZomarNTKAWNHiAAD2lla-Hvc625.png)
- MOSFET控制方式
FOC矢量控制的基本過程為,第一步,通過主芯片的AD采樣模塊得到電機的三相定子電流,位置傳感器檢測到轉子所在的位置及其角度,然后把位置信號和角度信號用于坐標變換,對電流進行解耦。第二步,通過將Clark和Park變換來完成坐標系的轉換。第三步,將設定轉速與實際轉速反饋量之間的偏值進行 PI調節,其輸出用于id和iq, 經過 PI調節,其輸出的Vd和Vq相電壓經過 Revpark變換,得到Vα和Vβ相電壓。最后,利用SVPWM算法,產生PWM控制信號,對系統進行PI雙閉環控制。
![wKgaomarNYaAWjuxAADGQSGSiL4942.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D7/wKgaomarNYaAWjuxAADGQSGSiL4942.png)
- 實物&測試波形
如右圖所示,BLDC電機滿載功率為70W,工作頻率為20KHZ,水泵為離心泵。
![wKgaomarNfeAI_P6AA9Sobn5ldU202.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D7/wKgaomarNfeAI_P6AA9Sobn5ldU202.png)
![wKgZomarNhGAB5lcAAPoeIvNXXI391.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/ED/wKgZomarNhGAB5lcAAPoeIvNXXI391.png)
在汽車水泵電機驅動系統中,為了能夠順利的通過EMC實驗,一般在測試前,6個驅動MOSFET的驅動電壓Vgs波形、關斷電壓Vds波形,振鈴的幅值和頻率都要求越小越好。
- Vgs波形
在橋式電路中,Vgs波形振鈴的產生,主要有兩種根源。
![wKgaomarNpCAOn_YAAVWLeNdPuw110.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D7/wKgaomarNpCAOn_YAAVWLeNdPuw110.png)
![wKgZomarNsmAQa5oAAAKWPY4zj0255.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/ED/wKgZomarNsmAQa5oAAAKWPY4zj0255.png)
而MOSFET寄生電容之間的關系如下:
![wKgaomarNrWAMoN0AABVbWq639k615.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D7/wKgaomarNrWAMoN0AABVbWq639k615.png)
因此,
![wKgaomarNt2AbnixAAAIW9R0XEk081.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D7/wKgaomarNt2AbnixAAAIW9R0XEk081.png)
這就意味著,Crss/Ciss的比例越小,Vgs的振鈴幅值就越小。SMT4005AHPDQ的Crss/Ciss的比值僅為2.5%。
![wKgaomarNvCAKiymAACjUW-7UE8958.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D7/wKgaomarNvCAKiymAACjUW-7UE8958.png)
MOSFET內部等效電路圖如下:
![wKgZomarNxaACqLdAAER0hjx2Cg180.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/ED/wKgZomarNxaACqLdAAER0hjx2Cg180.png)
- 根源2:驅動回路構成的RLC欠阻尼回路
- RLC組成串聯諧振電路,當R<2時,系統處于欠阻尼情況 ,在這種情況下,電路發生振蕩;
![wKgaomZYTS-AR9SKAACBggVN3WY654.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/EB/54/wKgaomZYTS-AR9SKAACBggVN3WY654.png)
消除振鈴的方法:
- 增大驅動電阻R,使其工作在臨界阻尼;
Rg上限值:為防止MOS管關斷時產生很大的dV/dt使得MOS管再次誤開通。一般要求Rg≤Vth/(Cgd*dv/dt),dV/dt可以根據電路實際工作時MOS的D、S間電壓和mMOS管關斷時D、S電壓上升時間求得。
- MOSFET柵極的驅動PCB走線盡可能的短;
- 在GS端并聯一個nF級的瓷片電容;
在汽車水泵驅動電路中,大部分研發工程師都會做EMI優化設計,在MOSFET D-S端預留RC snubber電路,以順利通過EMC實驗,參照《CISPR25》標準。
- EMI設計優化
- SGT MOS開關速度較快,Qg通常比較小,關斷時,di/dt通常會DS電壓波形上形成振鈴,對系統的EMI造成一定的困擾。
- 為了減輕振鈴的影響,幫助客戶順利通過EMC試驗,通常會在MOS D-S端并聯RC snubber電路。
![wKgZomarN5SAHmzcAADJmhoeYpU449.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/ED/wKgZomarN5SAHmzcAADJmhoeYpU449.png)
- RC snubber電路增加前后的波形對比:
![wKgaomarN72ABRgZAACKDNNkO5Y027.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D7/wKgaomarN72ABRgZAACKDNNkO5Y027.png)
- 在EMC實驗室,傳導輻射(150 kHz - 150 MHz)測試結果對比:
![wKgaomarN_SAFguXAAAkxBE_HME031.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D8/wKgaomarN_SAFguXAAAkxBE_HME031.png)
![wKgZomarN_-Ae_XbAANQwTXJR_U839.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/ED/wKgZomarN_-Ae_XbAANQwTXJR_U839.png)
- 電機母線電壓,相電流波形
控制算法為FOC,相電流為正弦波,PID調節。
![wKgZomarODGAGLGmAASmlkc832A827.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/ED/wKgZomarODGAGLGmAASmlkc832A827.png)
![wKgZomarOE2AaBTlAA0nkGIUTZo276.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/ED/wKgZomarOE2AaBTlAA0nkGIUTZo276.png)
- SVPWM控制下MOSFET開關狀態
![wKgaomarOKaAPcV9AACnHw_KsBw158.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D8/wKgaomarOKaAPcV9AACnHw_KsBw158.png)
電機相電壓波形
![wKgaomarON2AK7z_AAZeuU6YLoM860.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D8/wKgaomarON2AK7z_AAZeuU6YLoM860.png)
第一扇區PWM波形
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- MOSFET溫升
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![wKgaomarOa-AWtP_AAQC4_Cqpww107.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D8/wKgaomarOa-AWtP_AAQC4_Cqpww107.png)
MOSFET的溫升最高為54.7℃,器件整體損耗較小,所以溫升不高;在72%負載輸出時,系統整體效率超過90%。此外,BLDC電機應用,FOMg代表器件的整體損耗大小。
![wKgZomarOeaAWxTwAABHzSw1sK4008.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/EE/wKgZomarOeaAWxTwAABHzSw1sK4008.png)
- PDFN5060封裝仿真—仿真環境
![wKgaomarOgWARk8kAAKSvw35BWE558.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D8/wKgaomarOgWARk8kAAKSvw35BWE558.png)
![wKgZomarOiqAbQdDAAFr-GNBYnE438.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/EE/wKgZomarOiqAbQdDAAFr-GNBYnE438.png)
![wKgaomarOkaAJmcUAAEOsQ-1PyM450.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D8/wKgaomarOkaAJmcUAAEOsQ-1PyM450.png)
-
仿真輸入
- 對兩個工作器件不斷施加1.5W負載,總功耗為3W;
- 環境溫度25?C;
- 氣流為自然靜態;
- 瞬態熱仿真結構
- 仿真結果
![wKgZomarOneAT0MKAAG38f_GzW0281.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/EE/wKgZomarOneAT0MKAAG38f_GzW0281.png)
![wKgaomarOqGAEs-wAAGYXcK9_1Y359.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D8/wKgaomarOqGAEs-wAAGYXcK9_1Y359.png)
![wKgaomarOrGAfNujAAH6DpFpVy0171.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/00/D8/wKgaomarOrGAfNujAAH6DpFpVy0171.png)
最高溫度:127.04?C
- 仿真結果:溫度上升過程(最高溫度)
![wKgZomarOu6AcdcnAASt19cowug601.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FF/EE/wKgZomarOu6AcdcnAASt19cowug601.png)
審核編輯 黃宇
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