機(jī)電繼電器和斷路器產(chǎn)生的噪音來自于它們的物理特性，電磁吸引/放開快速移動(dòng)的金屬觸點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生音頻和電氣噪音。其中，機(jī)械觸點(diǎn)的動(dòng)作是一個(gè)故障點(diǎn)，壽命有限，疲勞主要發(fā)生在觸點(diǎn)的表面，這是因?yàn)榻油ǜ唠妷嚎赡軙?huì)產(chǎn)生電弧，導(dǎo)致在觸點(diǎn)在完全接觸之前氣隙已經(jīng)擊穿，產(chǎn)生弧隙電壓和弧隙電流，并產(chǎn)生高溫，觸點(diǎn)分?jǐn)鄷r(shí)會(huì)出現(xiàn)相同的現(xiàn)象，甚至更嚴(yán)重。

這里需要說明的是，觸點(diǎn)在接通和分?jǐn)鄷r(shí)，觸點(diǎn)會(huì)出現(xiàn)交流或直流電壓。接通和分?jǐn)嘟涣麟妷簳r(shí)不是零電壓開關(guān)，則每次繼電器動(dòng)作時(shí)都有可能會(huì)產(chǎn)生電弧。最終導(dǎo)致觸點(diǎn)迅速退化，觸點(diǎn)之間的電阻增加，甚至熔合在一起。這也是為什么機(jī)電繼電器和斷路器制造商在產(chǎn)品手冊(cè)中給出了使用壽命。

使用固態(tài)繼電器切換交流電時(shí)，通常會(huì)執(zhí)行零電壓開關(guān)，可以確保器件電壓達(dá)到最低時(shí)動(dòng)作。在切換直流電壓和電流時(shí)，可以利用固態(tài)開關(guān)快速特性，快速分?jǐn)嘁员苊膺^大的浪涌電流，這最終使得繼電器或斷路器在整個(gè)使用壽命期間變得更加可靠，其壽命可能要比機(jī)電繼電器/斷路器更長。

工程師喜歡使用機(jī)電繼電器/斷路器，其理由非常簡單充分：成本、性能和功能。的確，在成本方面，固態(tài)繼電器/斷路器要高于機(jī)電繼電器/斷路器，但考慮到使用壽命以及維護(hù)、保養(yǎng)和運(yùn)行成本，固態(tài)繼電器/斷路器更具成本優(yōu)勢(shì)。

在性能方面，最重要的參數(shù)就是觸點(diǎn)開關(guān)的電阻引起的功率損耗。對(duì)于機(jī)電觸點(diǎn)來說，新的時(shí)候觸點(diǎn)電阻較低，但隨著時(shí)間的推移，觸點(diǎn)電阻勢(shì)必會(huì)增大，損耗也增大。（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）而使用固態(tài)解決方案時(shí)，其功率損耗與導(dǎo)通電阻直接相關(guān)，新一代的功率半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻有了長足的改進(jìn)，在使用壽命期間，導(dǎo)通電阻不會(huì)發(fā)生變化。在理想情況下，導(dǎo)通損耗和半導(dǎo)體成本，可以通過品質(zhì)因數(shù)（即面積導(dǎo)通電阻，RDS(on)*A）來表示, 這是半導(dǎo)體制造商的關(guān)注重點(diǎn)，也是英飛凌通過CoolMOS?技術(shù)平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)。

圖1：超級(jí)結(jié)MOSFET RDS(on)*A隨耐壓值變化的優(yōu)勢(shì)

另一個(gè)問題是安全性。固態(tài)開關(guān)沒有活動(dòng)部件，開關(guān)速度要比機(jī)電開關(guān)快得多，這是優(yōu)點(diǎn)，但也存在一個(gè)缺點(diǎn)：輸入和輸出之間沒有任何物理斷點(diǎn)，在許多人機(jī)接觸界面中，安全法規(guī)對(duì)高壓輸入和輸出之間的電氣絕緣有相關(guān)規(guī)定。

電氣絕緣是固態(tài)技術(shù)的劣勢(shì)，所以混合式斷路器或繼電器的概念應(yīng)運(yùn)而生，即使用固態(tài)器件來切換高壓，然后機(jī)電繼電器做為機(jī)械斷點(diǎn)在零電壓、零電流下開關(guān)，這時(shí)可以選用小規(guī)格的機(jī)電開關(guān)。

當(dāng)然，也有許多應(yīng)用并不需要電氣絕緣，但是，斷路器的現(xiàn)有法規(guī)仍然是依據(jù)機(jī)電器件制定的，沒有充分考慮固態(tài)器件的特點(diǎn)和卓越性能。固態(tài)開關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)正在制定中，就電氣絕緣要求而言，對(duì)于某些具體應(yīng)用，它們可能會(huì)不再這么嚴(yán)格。

超級(jí)結(jié)MOSFET的興起

固態(tài)開關(guān)是通過功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)的，迄今為止，使用最為廣泛的材料是硅。對(duì)于交流開關(guān)，特別是在零電壓開關(guān)應(yīng)用中，三端雙向可控硅開關(guān)Triac和可控硅整流器SCR為首選，MOSFET通常用于開關(guān)直流電壓，而IGBT可用于交流和直流開關(guān)。

但是，這些功率半導(dǎo)體開關(guān)都會(huì)因?yàn)閷?dǎo)通電阻而產(chǎn)生損耗，損耗產(chǎn)生熱，可能需要散熱器，最終增加了系統(tǒng)空間和材料清單。

圖2：固態(tài)繼電器的體積大大縮小

超級(jí)結(jié)MOSFET可以有效降低了導(dǎo)通電阻RDS(on)。自二十世紀(jì)九十年代以來，英飛凌始終是超級(jí)結(jié)MOSFET的領(lǐng)航人，且不斷開發(fā)該技術(shù)。與其他MOSFET結(jié)構(gòu)相比，它具有明顯的優(yōu)勢(shì)，特別是在按面積計(jì)算的導(dǎo)通電阻RDS(on)*A方面，這就相應(yīng)地降低了損耗，而且成本更低，還可在自然冷卻的條件下，用于更高電壓和電流的應(yīng)用。

憑借CoolMOS? 7技術(shù)，英飛凌成為了RDS(on)*A的領(lǐng)航人。另外，英飛凌發(fā)布一個(gè)新技術(shù)——CoolMOS? S7，該技術(shù)提供更低的RDS(on)*A，并通過適當(dāng)提高開關(guān)損耗，優(yōu)化降低導(dǎo)通電阻。在固態(tài)繼電器和斷路器應(yīng)用中，這完全符合對(duì)器件的性能要求，固態(tài)繼電器和斷路器無需高頻開關(guān)。

審核編輯 黃宇