精工愛普生株式會(huì)社（TSE:6724，“愛普生”）目前正在銷售單芯片DMOS-ASIC1產(chǎn)品為特定應(yīng)用集成IP核2，并在DMOS（雙擴(kuò)散MOSFET）上集成邏輯電路3其支持高電壓和高電流。愛普生已開始接受S1X8H000和S1K8H000系列DMOS ASIC的國內(nèi)訂單。

與此同時(shí)，隨著世界越來越關(guān)注應(yīng)對(duì)全球變暖的努力為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，半導(dǎo)體市場(chǎng)正在尋求解決電力損失的問題。對(duì)半導(dǎo)體的需求正在上升即使與高壓兼容，也能有效利用電力的組件以及高電流。此外，對(duì)低功耗半導(dǎo)體元件的需求由于家用電器的持續(xù)擴(kuò)張，減少電力損失的速度正在加快新興國家的電子市場(chǎng)以及電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車的增長，以及其他下一代汽車。

為了滿足這一需求并解決環(huán)境問題，愛普生決定進(jìn)入市場(chǎng)用于支持高電壓和高電流的DMOS ASIC。這是一個(gè)公司可以利用低功耗CMOS工藝和DMOS工藝技術(shù)，在內(nèi)部開發(fā)和生產(chǎn)供內(nèi)部使用的芯片過程中積累的。愛普生已經(jīng)積累了一系列基于知識(shí)產(chǎn)權(quán)的IP內(nèi)核，這些內(nèi)核是該公司為自己的成品開發(fā)的。愛普生將使用基于四十年經(jīng)驗(yàn)的ASIC開發(fā)方法將產(chǎn)品商業(yè)化，為行業(yè)提供長期穩(wěn)定的供應(yīng)和靈活的設(shè)計(jì)。

愛普生將首先提供S1X8H000和S1K8H000系列低功耗ASIC產(chǎn)品（嵌入式陣列和標(biāo)準(zhǔn)單元），結(jié)合了0.15微米CMOS和DMOS技術(shù)以支持高電壓和高電流，并且還可以集成控制邏輯電路實(shí)現(xiàn)低功耗。

愛普生利用其獨(dú)特的電路工程技術(shù)來解決以前的難題集成模擬控制元件。功率半導(dǎo)體元件、專用IC和高

預(yù)先提供占據(jù)板空間的電壓和高電流組件作為IP集成了由客戶設(shè)計(jì)的芯片、內(nèi)核甚至邏輯電路以創(chuàng)建單芯片DMOS ASIC。這減輕了采購多個(gè)零件的需要，減少了零件的數(shù)量，并通過優(yōu)化控制電流消耗來節(jié)省電力，這有助于客戶使產(chǎn)品更小，降低功耗，降低開發(fā)成本。這些產(chǎn)品非常適合雙向通信網(wǎng)絡(luò)電路的廣泛應(yīng)用，如IO-Link、高壓開關(guān)、開關(guān)電源、具有內(nèi)置控制功能的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的H橋。

產(chǎn)品特點(diǎn)

-與傳統(tǒng)的高壓MOS工藝相比，DMOS晶體管的導(dǎo)通電阻降低了50%或更多，降低了功耗，在保持高壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高效率。

-0.15微米CMOS邏輯電路、DMOS工藝、非易失性存儲(chǔ)器等可以集成在芯片上。

-許多功能可以作為IP核提供。

IP核示例*：具有過電流檢測(cè)功能的DMOS晶體管、H橋電路、LDO、，

EEPROM、SRAM、安全功能欠壓檢測(cè)、過壓檢測(cè)、發(fā)熱檢測(cè)

*愛普生計(jì)劃開發(fā)一系列額外的IP核。

外形規(guī)格

系統(tǒng)架構(gòu)

1 ASIC：專用集成電路。ASIC是一種電子元件，是任何集成電路其將用于特定應(yīng)用的多個(gè)功能的電路組合到單個(gè)封裝中。愛普生的ASIC產(chǎn)品線包括多個(gè)系列的門陣列、嵌入式陣列和標(biāo)準(zhǔn)單元，具體取決于定制的程度。

2 IP核（知識(shí)產(chǎn)權(quán)核）：用于配置LSI的電路信息塊，尤其是提供特定功能。

3 DMOS（雙擴(kuò)散MOSFET）：一種從表面到表面使用大量電力的晶體管并且具有通過在垂直方向上傳遞大電流來實(shí)現(xiàn)高耐壓的結(jié)構(gòu)晶片的方向。DMOS通常用于幾十秒到幾百秒之間的耐壓范圍伏特。

4 CMOS（互補(bǔ)MOS）：一種使用互補(bǔ)對(duì)n型MOS晶體管和p型MOS晶體管的邏輯電路MOS晶體管，可以通過改變添加到半導(dǎo)體中的雜質(zhì)來創(chuàng)建。電力消耗CMOS半導(dǎo)體的厚度可以遠(yuǎn)低于僅由n型或僅由p型組成的半導(dǎo)體的厚度MOS晶體管。