“頻率控制是確保時(shí)鐘和定時(shí)穩(wěn)定性的關(guān)鍵。現(xiàn)代計(jì)算機(jī)依賴數(shù)字時(shí)鐘，以確保各項(xiàng)操作在精確的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行，而無線電頻率收發(fā)器等設(shè)備則使用模擬時(shí)鐘。先進(jìn)技術(shù)行業(yè)，如醫(yī)療技術(shù)、汽車、工業(yè)自動(dòng)化、制造和網(wǎng)絡(luò)等，都依賴晶體振蕩器電路提供的時(shí)鐘信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的同步、組織和協(xié)調(diào)。”

當(dāng)你開始為需要定時(shí)解決方案的應(yīng)用程序設(shè)計(jì)時(shí)，可以使用本指南與TROQ創(chuàng)捷電子（全球頻率器件制造商）討論相關(guān)問題。

常見的頻率單位

這些縮寫將幫助你理解由晶體振蕩器電路產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)頻率。

• Hz:赫茲；每秒1個(gè)周期。（每秒鐘振動(dòng)（或振蕩、波動(dòng)）一次為1赫茲，或可寫成次/秒，周/秒。因德國科學(xué)家赫茲而命名）
• kHz:千赫茲；每秒1000赫茲。
• MHz:兆赫茲；每秒1000000赫茲。
• GHz:千兆赫茲；1000 MHz。
• mS:毫秒；1/1000秒。，（ 1秒 = 10分秒；1分秒 = 10厘秒；1厘秒 = 10毫秒；1毫秒 = 1000微秒；1微秒 = 1000納秒；1納秒 = 1000皮秒。典型照相機(jī)的最短曝光時(shí)間為一毫秒）
• μS:微秒；1/1000000秒。
• nS:納秒；1/1000微秒。
• pS:皮秒；1/1000納秒。
• fs:飛秒；1/1000皮秒。

電子設(shè)備中的常見頻率

在與技術(shù)緊密聯(lián)系的世界中，頻率是我們生活中不可或缺的一部分。以下頻率用于我們?nèi)粘Ｉ钪惺褂玫脑O(shè)備和器具。

• 50 Hz:中國的交流電頻率。其他的還有歐洲、亞洲、非洲以及澳大利亞等地區(qū)也在使用的標(biāo)準(zhǔn)交流電頻率
• 60 Hz:美國的交流電頻率。其他的還有加拿大、部分中美洲和南美洲國家在使用的標(biāo)準(zhǔn)交流電頻率。
• 32.768 kHz:實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）的頻率。
• 13 MHz / 26 MHz: GSM手機(jī)時(shí)鐘和LTE手機(jī)時(shí)鐘的頻率。
• 13.56 MHz:射頻識(shí)別（RFID）和近場通信（NFC）的頻率。
• 900 MHz:這是全球使用最廣泛的GSM（全球移動(dòng)通信系統(tǒng)）頻率，主要用于歐洲、亞洲、非洲和澳大利亞等地區(qū)。
• 1575.42 MHz:常見的GPS頻率。用于標(biāo)準(zhǔn)定位服務(wù)（SPS），大多數(shù)民用和商用GPS設(shè)備都依賴這個(gè)頻率進(jìn)行定位。
• 2450 MHz / 2.45 GHz至 5000 MHz / 5 GHz:常見的Wi-Fi頻率。
• RF:射頻帶寬通常為3 kHz至300 GHz。

晶振中的常用名詞

在確定如何使用晶體振蕩器電路產(chǎn)生的頻率信號(hào)時(shí)，這些術(shù)語將幫助你理解高質(zhì)量時(shí)鐘制造商如何描述他們?cè)O(shè)計(jì)的產(chǎn)品。

• 石英:單晶硅石（SIO2），通過蝕刻或研磨工藝切割出特定頻率。
• 標(biāo)稱頻率:指定的中心頻率，也稱為給定電子設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率。
• 基頻模式:晶體切割的主要頻率。
• 泛音（3次、5次、7次等）:基頻的整數(shù)倍。
• AT切割:最常見的石英晶體切割角度。
• 石英片:安裝在支架上的完成晶體。
• 晶體電極:石英片兩側(cè)的鍍層區(qū)域。
• DIP晶體:插孔晶體，通過插孔鉆孔安裝在印刷電路板上。
• SMD晶體:表面貼裝晶體，直接安裝在電路板上。
• ESR:等效串聯(lián)電阻，指電路運(yùn)行過程中電容器和電感器所經(jīng)歷的損耗。
• CL:負(fù)載電容，指電容器運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)的外部能量量。

常見的振蕩器術(shù)語

以下是TROQ創(chuàng)捷電子為你設(shè)計(jì)的項(xiàng)目提供的最常用振蕩器的列表。

• 32.768 kHz:這種石英產(chǎn)生的頻率常用于手表或具有時(shí)間保持功能的設(shè)備。
• XO:晶體振蕩器的縮寫。也稱有源晶振。
• VCXO:壓控晶體振蕩器，通過施加電壓來移動(dòng)振蕩器的頻率，以匹配正在傳輸或接收的頻率。
• TCXO:溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，調(diào)整頻率以防止溫度對(duì)信號(hào)的影響。
• VC-TCXO:壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，像VCXO一樣允許頻率調(diào)整，同時(shí)像TCXO一樣提供頻率穩(wěn)定性以應(yīng)對(duì)不利溫度。
• OCXO:恒溫晶體振蕩器具有內(nèi)部加熱器和溫度控制電路，以保持晶體在其“轉(zhuǎn)點(diǎn)”溫度。OCXO提供顯著更好的穩(wěn)定性、抖動(dòng)和相位噪聲。
• 可編程:數(shù)字可編程振蕩器允許用戶通過接口調(diào)整振蕩器的頻率。
• AEC-Q200: AEC-Q200是專門針對(duì)被動(dòng)電子元件（如電容器、電阻器、電感器等）在汽車應(yīng)用中的質(zhì)量和可靠性要求的標(biāo)準(zhǔn)。
• IATF 16949：是全球汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)，專門針對(duì)汽車生產(chǎn)和相關(guān)服務(wù)零部件組織的質(zhì)量管理體系要求。（TROQ創(chuàng)捷電子剛好就通過車規(guī)認(rèn)證。）

常見的振蕩器輸出方式

設(shè)計(jì)社區(qū)中的工程師依賴定時(shí)解決方案為他們的應(yīng)用提供頻率輸出，這些術(shù)語幫助他們描述晶體振蕩器電路的頻率輸出。

• TTL:晶體管-晶體管邏輯，使用雙極結(jié)晶體管和電阻器，使用5V電源。
• LVCMOS / CMOS:低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，是集成電路中常見的低電壓CMOS技術(shù)，通常為3.3V，但JEDEC標(biāo)準(zhǔn)允許最低1.1V的電壓。
• LVDS:低電壓差分信號(hào)，可以在低功耗下運(yùn)行，并可以在非常高的速度下運(yùn)行。它們通常使用2.5V電源，適用于>100 MHz的應(yīng)用。
• LVPECL:低電壓發(fā)射耦合邏輯，主要用于高速和時(shí)鐘分配電路的差分信號(hào)系統(tǒng)。
• HCSL:高速電流轉(zhuǎn)向邏輯，是一種差分邏輯輸出，產(chǎn)生0V和0.725V的電源擺動(dòng)。它適用于低抖動(dòng)和低電磁干擾的應(yīng)用。
• 削波正弦波:一種正弦波形，其上限和下限峰值被調(diào)整，使其不會(huì)達(dá)到高或低。這會(huì)產(chǎn)生方波輸出，而不會(huì)犧牲任何期望的相位噪聲性能。
• 正弦波輸出:正弦波是一種交流（AC）模擬信號(hào)，其波形為正弦波。這些在許多電子設(shè)備中至關(guān)重要，包括計(jì)算機(jī)、手機(jī)、雷達(dá)和無線電及電視接收器和發(fā)射器。正弦波振蕩器很有用，因?yàn)樗鼈兛梢陨蓽?zhǔn)確且可重復(fù)的頻率。

最受歡迎的晶體封裝尺寸

當(dāng)今晶體振蕩器的外形尺寸是近年來電子技術(shù)發(fā)展的結(jié)果，旨在為用戶提供最有效的應(yīng)用。

晶體封裝正在日益縮小。目前，TROQ創(chuàng)捷電子提供1.6 x 1.2 mm - 8.0 x 4.5mm的封裝尺寸。全方位滿足客戶的需求，在全球范圍內(nèi)，最常見的晶體封裝尺寸為3.2 x 2.5 mm和2.0 x 1.6mm。

振蕩器也正趨向于越來越小。目前，TROQ創(chuàng)捷電子提供2.0 x 1.6 mm - 7.0 x 5.0mm的封裝尺寸。在過去的五年里，最受歡迎的振蕩器封裝為3.2 x 2.5 和2.0 x 1.6 mm。

要為您的頻率控制解決方案建立成功的合作關(guān)系，了解如何與提供高質(zhì)量、高性能定時(shí)組件的制造商合作至關(guān)重要。

在過去的20多年里，TROQ創(chuàng)捷電子 一直為工程師提供他們?cè)诟鞣N行業(yè)的關(guān)鍵應(yīng)用中所需的定時(shí)組件和工程支持。隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、人工智能（AI）以及更先進(jìn)的數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和通信技術(shù)的出現(xiàn)，TROQ創(chuàng)捷電子 繼續(xù)滿足工程師的需求，提供領(lǐng)先的解決方案。

與TROQ創(chuàng)捷電子這樣的公司合作，您將獲得可靠的定時(shí)解決方案和專家支持，幫助您在快速變化的技術(shù)環(huán)境中保持領(lǐng)先。