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引領(lǐng)電動(dòng)汽車革新,羅姆PCIM展重磅展出二合一SiC模塊

章鷹觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友原創(chuàng) ? 作者:章鷹 ? 2024-09-03 18:21 ? 次閱讀
(電子發(fā)燒友報(bào)道 文/章鷹)8月28日到30日,羅姆半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的 “2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia),在本次展會(huì)上,羅姆首次展出其今年最新發(fā)布的適用于車載引逆變器的新型二合一SiC功率模塊(TRCDRIVE pack?)。


羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司深圳分公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦表示:“我們今天重點(diǎn)展示了基于TRCDRIVE pack?碳化硅塑封模塊的三相全橋評(píng)估套件。TRCDRIVE pack?是用于電動(dòng)汽車主機(jī)逆變器的電控領(lǐng)域的模塊產(chǎn)品。該產(chǎn)品主要特點(diǎn)是小型化、高功率,具備四大優(yōu)勢(shì):一、該系列內(nèi)置第四代SiC MOSFET,采用了溝槽工藝,達(dá)到業(yè)界超低的單位面積導(dǎo)通電阻;二、產(chǎn)品優(yōu)化了基板的布局,可以做到低寄生電感,開(kāi)關(guān)損耗比傳統(tǒng)的模塊降低一個(gè)等級(jí);三、模塊采用了press fit pin和塑封工藝結(jié)合,小型化水平做到更低,實(shí)現(xiàn)了普通SiC塑封模塊1.5倍的業(yè)界超高密度;四、這款二合一的SiC模塊系列產(chǎn)品陣容,分為兩個(gè)耐壓級(jí)別:一個(gè)是750V,另外一個(gè)是1200V,分別對(duì)應(yīng)400V電壓平臺(tái)和800V的電壓平臺(tái)。滿足大功率輸出應(yīng)用場(chǎng)景,助力xEV逆變器小型化發(fā)展趨勢(shì)。”

羅姆發(fā)布碳化硅品牌EcoSiCTM,驅(qū)動(dòng)SiC業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)

國(guó)際調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole報(bào)告顯示,車載SiC的主戰(zhàn)場(chǎng)是牽引逆變器,全球SiC模塊主要分為兩類:塑封型和灌膠型。現(xiàn)在300A 以上的大電流和400V以上的高耐壓區(qū)需要全SiC模塊。


今年羅姆正式發(fā)布了EcoSiCTM品牌,這個(gè)品牌有兩大寓意,前半部分Eco有“環(huán)保、生態(tài)”的含義,SiC是羅姆重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略產(chǎn)品之一。 “E”代表地球、元器件,“E”的藍(lán)色底色是代表羅姆對(duì)未來(lái)技術(shù)的創(chuàng)新,現(xiàn)在主流的碳化硅器件都是6HSiC,于是采用六邊形的結(jié)構(gòu),羅姆希望EcoSiCTM可以引領(lǐng)碳化硅朝著創(chuàng)新和更環(huán)保、更生態(tài)的路線發(fā)展。

羅姆半導(dǎo)體從2009年已經(jīng)開(kāi)始在SiC領(lǐng)域進(jìn)行大規(guī)模的投入,預(yù)計(jì)2025財(cái)年銷售目標(biāo)預(yù)計(jì)將達(dá)到1100億日幣,2027財(cái)年SiC業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)銷售將達(dá)到2200億日幣。目前統(tǒng)計(jì)到2027年量產(chǎn)的所有項(xiàng)目,羅姆已經(jīng)在全球范圍內(nèi)獲得130家以上的Design-win。

除了車載逆變器,隔離柵極驅(qū)動(dòng)器也是羅姆半導(dǎo)體主要發(fā)力的領(lǐng)域。2016年2月,羅姆開(kāi)始量產(chǎn)磁隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。現(xiàn)在市場(chǎng)份額全球第一。后面隨著電動(dòng)車對(duì)高可靠性、高性能的需求越來(lái)越多,羅姆在隔離柵極驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)的份額繼續(xù)增長(zhǎng)。

2025年量產(chǎn)第五代SiC MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在迅速進(jìn)入8英寸SiC生產(chǎn)領(lǐng)域。自2023年以來(lái),包括英飛凌意法半導(dǎo)體安森美、羅姆和博世在內(nèi)的公司都已啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)認(rèn)證

在PCIM展位上,羅姆半導(dǎo)體首次在中國(guó)展示了8英寸SiC Wafer和8英寸SiC襯底工藝。“2023年底,羅姆已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的量產(chǎn),是由羅姆收購(gòu)的德國(guó)SiCrystal公司完成,這里展示了8英寸SiC MOSFET Wafer產(chǎn)品。2025年,羅姆第五代SiC MOSFET將會(huì)在8英寸SiC晶圓上量產(chǎn)。”羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司深圳分公司技術(shù)中心高級(jí)經(jīng)理蘇勇錦在當(dāng)天的媒體交流會(huì)上透露。

據(jù)悉,搭載羅姆的第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊成功應(yīng)用于浙江吉利控股集團(tuán)的電動(dòng)汽車品牌“極氪”的“X”、 “009”、 “001”3種車型的主機(jī)逆變器上。

蘇勇錦透露,羅姆正在推進(jìn)SiC器件的開(kāi)發(fā),計(jì)劃于2025年推出第5代SiC MOSFET,同時(shí)也提前了第6代及第7代產(chǎn)品的市場(chǎng)投入計(jì)劃。并且,通過(guò)構(gòu)筑SiC供應(yīng)體制,實(shí)現(xiàn)以裸芯片、分立器件和模塊等各種形態(tài)供貨,從而促進(jìn)SiC的普及,為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)做出貢獻(xiàn)。

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