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碳化硅功率器件的原理簡述

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2024-09-11 10:47 ? 次閱讀

隨著科技的飛速發展,電力電子領域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨特的性能優勢,逐漸成為業界關注的焦點。本文將深入探討碳化硅功率器件的原理、應用、優勢以及未來的發展趨勢。

一、碳化硅功率器件的原理

碳化硅功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,其基本結構包括P型和N型兩個導電類型。通過在碳化硅基底上制備PN結或其他特殊結構,碳化硅功率器件實現了電壓控制和電流開關的作用。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件的工作原理基于PN結的整流作用和肖特基勢壘降低效應。當正向偏置時,PN結處于導通狀態,電流可以通過歐姆接觸層流入源/漏電極中;當反向偏置時,PN結處于截止狀態,電流無法通過歐姆接觸層,此時碳化硅功率器件的輸出電壓等于輸入電壓減去漏電流所產生的電壓降。

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二、碳化硅功率器件的應用

碳化硅功率器件具有高溫、高頻、高效等優點,因此在多個領域得到了廣泛應用。

電動汽車:在電動汽車領域,碳化硅功率器件被廣泛應用于電池管理系統、電機驅動系統等關鍵部位。由于電動汽車對電池管理系統的要求極高,需要能夠承受高溫、高電壓等惡劣環境,而碳化硅功率器件正好滿足了這些要求。同時,碳化硅功率器件的高頻特性也使得電機驅動系統更加高效、靈活。

新能源發電:在新能源發電領域,碳化硅功率器件同樣發揮著重要作用。例如,在光伏發電系統中,碳化硅功率器件可以提高太陽能電池的轉換效率,降低系統成本;在風力發電系統中,碳化硅功率器件可以提高風力發電機的并網性能和運行穩定性。

電網保護:在電網保護領域,碳化硅功率器件可以用于制造高壓直流輸電設備、柔性直流輸電設備等關鍵設備。這些設備對于提高電網的輸電能力、降低輸電損耗具有重要意義。

三、碳化硅功率器件的優勢

碳化硅功率器件之所以能夠在多個領域得到廣泛應用,主要是因為其具有以下優勢:

高溫性能優異:由于碳化硅材料的禁帶寬度較寬,因此在高溫下仍能保持良好的電學性能。這使得碳化硅功率器件在高溫環境下仍能正常工作,提高了系統的可靠性和穩定性。

高頻特性突出:碳化硅功率器件的載流子遷移率遠高于硅材料,因此具有更高的工作頻率。這使得碳化硅功率器件在高頻應用中具有更高的效率和更低的損耗。

高耐壓能力:碳化硅材料的擊穿電場強度遠高于硅材料,因此碳化硅功率器件具有更高的耐壓能力。這使得碳化硅功率器件在高壓應用中具有更高的安全性和可靠性。

節能環保:碳化硅功率器件的高效率和低損耗特性使得其在使用過程中能夠減少能源消耗和減少熱量產生,從而實現節能環保的目標。

四、碳化硅功率器件的未來發展趨勢

隨著新能源汽車、新能源發電等領域的快速發展,碳化硅功率器件的市場需求將持續增長。未來,碳化硅功率器件的發展趨勢將主要體現在以下幾個方面:

技術創新:隨著材料科學、制造工藝等技術的不斷進步,碳化硅功率器件的性能將得到進一步提升。例如,通過優化PN結結構、提高材料純度等方式,可以進一步提高碳化硅功率器件的耐高溫、高頻等性能。

成本降低:隨著碳化硅功率器件的產業化進程加速,其制造成本將逐漸降低。這將使得碳化硅功率器件在更多領域得到應用,推動電力電子行業的持續發展。

多元化應用:隨著碳化硅功率器件的性能提升和成本降低,其應用領域將進一步拓展。例如,在智能電網、航空航天等領域,碳化硅功率器件將發揮更加重要的作用。

總之,碳化硅功率器件作為電力電子領域的新星,將在未來發揮越來越重要的作用。我們期待碳化硅功率器件在技術創新、成本降低和多元化應用等方面取得更多突破,為電力電子行業的持續發展注入新的動力。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrmsSOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。

“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

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原文標題:碳化硅功率器件:電力電子的新星

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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