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充分解決世界能源環(huán)境問題:高壓直流輸電方案系統(tǒng)分析

東芝半導體 ? 2017-11-27 17:46 ? 次閱讀

世界能源環(huán)境正在發(fā)生一些新變化,對電網(wǎng)建設(shè)帶來了新的挑戰(zhàn),提出了新的要求,促使電網(wǎng)進行改進和革新,這些挑戰(zhàn)包括:

日益增加的光伏發(fā)電站和風力發(fā)電站,這些電能是不穩(wěn)定的

二氧化碳減排,促進了新能源的發(fā)展

電能網(wǎng)絡(luò)安全

……

高壓直流輸電是解決這些問題的最優(yōu)方案,特點如下:

輸送容量大:300萬千瓦~700萬千瓦

輸送距離遠:可達3000公里以上

電壓等級高:200kV~±500kV

輸電走廊窄:單位線路輸電密度是交流4倍,相同功率線路造價約為交流的2/3

功率損耗低

精確的功率流動控制

技術(shù)成熟,超過60年了

歐美國家已經(jīng)開始啟動和強化高壓直流輸電電網(wǎng)規(guī)劃和建設(shè)了:歐洲計劃在2050年前后建成以高壓直流輸電為骨干的泛歐超級智能電網(wǎng)(Super Smart Grid),以綜合利用整個歐洲、北非以及中東的可再生能源;美國在2025年前規(guī)劃40余項柔性直流輸電項目,以實現(xiàn)大區(qū)互聯(lián)。

中國對高壓直流輸電的需求也是巨大的,主要是為了改善能源消費結(jié)構(gòu),從而解決火電引發(fā)的中東部地區(qū)的霧霾問題,幾個調(diào)整方案如下:

利用高壓直流輸電將西北太陽能和西南水能輸送到東部負荷中心

構(gòu)建華北-東北廣域柔性直流輸電網(wǎng),實現(xiàn)大規(guī)模風電柔性并網(wǎng)

利用直流輸電技術(shù)開發(fā)海上風電

南方電網(wǎng)公司已經(jīng)確定了西電東送輸電網(wǎng)發(fā)展以直流輸電技術(shù)為主的發(fā)展路線,到2030年,廣東受端電網(wǎng)將落入12回直流甚至更多,廣西落入5回直流甚至更多。

隨著受端直流數(shù)量的進一步增加,多回直流集中饋入,傳統(tǒng)直流帶來的受端電網(wǎng)交直流相互運行風險增加,運行難度進一步加大。另外,隨著水電基地的偏遠化,直流送端所接入的交流電網(wǎng)更加薄弱,傳統(tǒng)直流面臨更多的技術(shù)挑戰(zhàn),研究、設(shè)計和設(shè)備制造難度加大。

因此,發(fā)展柔性直流輸電技術(shù)就顯得尤為重要了,柔性直流輸電的特點如下:

柔性直流在歐洲應用比較普遍,包括聯(lián)網(wǎng)、電力輸送、風電接入、背靠背等

柔性直流輸電工程造價、損耗已經(jīng)下降,綜合考慮占地等因素,與常規(guī)直流輸電具備可比性

柔性直流輸電對多直流饋入的受端電網(wǎng)安全意義重大,是改變大電網(wǎng)發(fā)展格局的戰(zhàn)略選擇

柔性直流輸電換流閥采用全控功率半導體開關(guān)器件,有塑料封裝IGBT和壓接封裝IGBT兩種,其中壓接IGBT的供應商情況見下表一:

IEGT 技術(shù)

IEGT是東芝大功率IGBT的專用名,IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor),即:柵極注入增強型晶體管。傳統(tǒng)的IGBT結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的阻斷電壓,會因為發(fā)射極側(cè)N基區(qū)的阻抗,造成較高的導通損耗。東芝采用IE結(jié)構(gòu),在發(fā)射極側(cè)N基區(qū)層形成高濃度的空穴和電子載流子,從而降低飽和壓降Vce(sat)。

東芝IEGT有兩種封裝:PMI模塊封裝和PPI壓接式封裝。榮信匯科一直使用壓接式封裝的IEGT,因此,后文里提到的IEGT專門指代壓接式封裝。

壓接式封裝更適合柔性直流輸電換流閥,其主要特點如下:

高可靠性來自于雙面散熱,內(nèi)部芯片無引線鍵合,不會因為導線焊接形成的分層結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生元件開裂

內(nèi)部抽真空,注入惰性氣體,確保長期可靠性

傳統(tǒng)的圓形封裝有利于壓接的平整度

有利于多顆器件的串聯(lián)應用

陶瓷外殼封裝的防爆性能優(yōu)于PMI

東芝1995年推出第一款I(lǐng)EGT產(chǎn)品,到目前為止,電流等級400A~3000A,電壓等級1700V~4500V。

榮信匯科在柔性直流輸電換流閥成功應用IEGT

柔性直流輸電換流閥多采用MMC VSC(模塊化多電平電壓源型變流器)方案,共6個橋臂,每個橋臂由多個相同的功率模塊串聯(lián)組成,這種方案的優(yōu)點包括:諧波少,高頻噪音低,開關(guān)損耗低等。功率模塊電路拓撲包括:半橋、全橋、鉗位雙橋等。

榮信匯科從2008年開始研發(fā)基于東芝IEGT的功率單元,并成功應用于大容量變頻器、大容量STATCOM、大容量柔直換流閥等多個領(lǐng)域。

主要工程業(yè)績見下表二:

柔性直流輸電換流閥對于可靠性要求非常高,因此,榮信匯科一直堅持使用IEGT,相比于塑料模塊IGBT(PMI),IEGT的可靠性體現(xiàn)在:

PMI失效后呈現(xiàn)開路狀態(tài);IEGT失效后呈現(xiàn)短路狀態(tài)。

PMI外殼采用塑料材質(zhì),耐受內(nèi)部的高溫高熱能力弱,容易開裂;IEGT外殼采用陶瓷,不容易開裂。

PMI壽命短,原因是器件內(nèi)部有容易老化的焊接層和連接線;IEGT內(nèi)部既沒有焊接層也沒有連接線。

PMI內(nèi)部的二極管浪涌能力弱,無法承受直流側(cè)短路所產(chǎn)生的故障電流。IEGT外配壓接式二極管,可以解決這個問題。

榮信匯科在南澳多端柔直塑城站換流閥采用了半橋功率模塊,其系統(tǒng)原理圖(圖1)如下:

圖1 多端柔直塑城站換流閥半橋功率模塊系統(tǒng)原理圖

基于IEGT的半橋功率模塊原理圖(圖2)如下,T1和T2是東芝85mm IEGT,內(nèi)部無二極管,D1和D2是英飛凌的85mm二極管。

圖2 基于IEGT的半橋功率模塊原理圖

IEGT功率模塊設(shè)計特點

下面將分幾個方面介紹這個半橋模塊的設(shè)計特點。

結(jié)構(gòu)和散熱設(shè)計

這個半橋模塊所采用的IEGT內(nèi)部沒有二極管,外配一款英飛凌的二極管,接觸面尺寸相同。兩只IEGT,兩只二極管,一只晶閘管,連同6塊散熱器,壓成一串。左側(cè)是直流母排和電容,右側(cè)是電源和控制板卡。散熱器兩個面都具備散熱能力,散熱器表面的溫度是均勻的。下圖是結(jié)構(gòu)布置示意圖(圖3):

圖3 結(jié)構(gòu)布置示意圖

使用晶閘管作為旁路開關(guān)

晶閘管與直流側(cè)電容并聯(lián),當功率模塊出現(xiàn)故障時,觸發(fā)晶閘管,晶閘管擊穿失效后,可以保持穩(wěn)定短路失效模式,就是失效后依然能穩(wěn)定的導通電流,這樣在二極管和晶閘管之間就形成了穩(wěn)定的電流通路,旁路成功。值得注意的是,只有采用壓接式IGBT和壓接式二極管才具備直流側(cè)晶閘管旁路的可能性。這個方案是榮信匯科的專利技術(shù)。

換流分析

對于全控型器件,例如MOSFET,IGBT,IGCT,關(guān)斷的時候,電流被切換到對應的續(xù)流二極管,在這個過程中,IGBT兩端會產(chǎn)生電壓過沖,從電路分析角度看,這個過沖是換流路徑里的雜散電感導致的。電壓過沖與雜散電感成正比,與電流下降變化率成正比。電壓過沖越大,關(guān)斷損耗越大,電場擊穿的風險越高,因此,在設(shè)計中需仔細評估雜散電感,不宜過大。

在IGBT開通的時候,負載電流從續(xù)流二極管切換到IGBT,由于二極管存在反向恢復電流,導致IGBT存在電流過沖,過沖大小與開通電流變化率有關(guān)。

功耗和結(jié)溫

IEGT在工作的時候要開通電流,導通電流和關(guān)斷電流,內(nèi)部的半導體芯片會發(fā)熱,熱量需及時的通過水冷散熱器傳導出去,否則芯片會過熱損壞。首先需要按照工況對發(fā)熱量(功耗)進行準確的估算,然后計算芯片的溫度,通過恰當合理的散熱設(shè)計,保證芯片溫度不超過器件廠家的推薦最大值,維持較低的失效率。在柔直系統(tǒng)里,有整流和逆變等不同工況,功率模塊的總功耗和單個器件的功耗也隨之不同,尤其需要注意的是,上橋臂和下橋臂的功耗不同,上下橋臂器件處于不對稱運行狀態(tài)。

柔性直流輸電的前景

中國的柔性直流輸電剛剛起步,發(fā)展速度很快,前景美好,預計將取代交流輸電和傳統(tǒng)直流輸電,成為主流輸電技術(shù)。柔性直流輸電換流閥采用全控型功率開關(guān)IGBT,相比于塑料封裝IGBT和方形壓接式IGBT,圓形壓接式IGBT具有顯著的優(yōu)勢。

東芝在圓形壓接式IGBT方面的技術(shù)實力、器件品質(zhì)和工程業(yè)績首屈一指,而作為東芝IEGT的最大客戶,榮信匯科已經(jīng)在柔性直流輸電、大功率變頻器、大容量STATCOM等領(lǐng)域廣泛采用了IEGT器件,應用時間超過10年,IEGT使用數(shù)量超過2.5萬片,工程項目超過50個,客戶遍布全球。

在全球范圍內(nèi),東芝是IEGT設(shè)計制造的首席專家,榮信匯科是圓形壓接式IGBT(包括IEGT)的首席應用專家,強強聯(lián)手,必將共創(chuàng)更美好的明天。

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原文標題:基于IEGT技術(shù)的柔性直流輸電系統(tǒng)分析

文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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