晶閘管作為一種重要的半導體器件，其主要參數(shù)決定了其在電路中的應用和性能。以下是晶閘管的主要參數(shù)概述：

一、電壓參數(shù)

1. 斷態(tài)重復峰值電壓（UDRM） ：
   • 定義：在門極斷路且結(jié)溫為額定值時，允許重復加在晶閘管上的正向斷態(tài)最大脈沖電壓。
   • 注意事項：選用時，一般取該值為正常工作電壓峰值的2~3倍作為安全裕量。
2. 反向重復峰值電壓（URRM） ：
   • 定義：在門極斷路且結(jié)溫為額定值時，允許重復加在晶閘管上的反向最大脈沖電壓。
   • 注意事項：同樣需要留有安全裕量。
3. 通態(tài)峰值電壓（UTM） ：
   • 定義：晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時的瞬態(tài)峰值電壓，一般為1.5~2.5V。
4. 額定電壓（UR） ：
   • 定義：通常取UDRM和URRM中較小的值作為晶閘管的額定電壓。
5. 其他電壓參數(shù) ：
   • 如斷態(tài)不重復峰值電壓（UDSM）、反向不重復峰值電壓（URSM）等，這些參數(shù)描述了晶閘管在特定條件下的電壓承受能力。

二、電流參數(shù)

1. 通態(tài)平均電流（IT(AV)） ：
   • 定義：在環(huán)境溫度為+40°C和規(guī)定的散熱冷卻條件下，晶閘管在導通角不小于170°電阻性負載的單相、工頻正弦半波導電時，所允許通過的最大電流平均值。
   • 注意事項：實際使用時，應根據(jù)電流波形計算容許使用的電流有效值，并留有安全裕量，一般取1.5~2倍。
2. 維持電流（IH） ：
   • 定義：維持晶閘管導通所必需的最小電流。
   • 注意事項：維持電流與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，維持電流越小，晶閘管越難關(guān)斷。
3. 其他電流參數(shù) ：
   • 如通態(tài)不重復浪涌電流（IT(SM)或IF(SM)）、通態(tài)有效值電流（IT(RMS)）等，這些參數(shù)描述了晶閘管在特定條件下的電流承受能力。

三、觸發(fā)參數(shù)

1. 觸發(fā)電壓（VGT） ：
   • 定義：在規(guī)定的環(huán)境溫度和A、K間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)所需的最小門極直流電壓。
   • 注意事項：觸發(fā)電壓一般較低，通常為1.5V左右。
2. 觸發(fā)電流（IGT） ：
   • 定義：在規(guī)定的環(huán)境溫度和A、K間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)所需的最小門極直流電流。

四、動態(tài)參數(shù)

1. 開通時間（tgt） ：
   • 定義：晶閘管從接收到觸發(fā)信號到完全導通所需的時間。
2. 關(guān)斷時間（tq） ：
   • 定義：晶閘管從導通狀態(tài)到完全關(guān)斷所需的時間。
3. 斷態(tài)電壓臨界上升率（du/dt） ：
   • 定義：在額定結(jié)溫和門極開路的情況下，不導致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率。
4. 通態(tài)電流臨界上升率（di/dt） ：
   • 定義：在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。

五、其他參數(shù)

1. 熱阻（Rth） ：
   • 定義：晶閘管內(nèi)部到外部環(huán)境的熱阻，影響散熱性能。
2. 結(jié)溫（Tj） ：
   • 定義：晶閘管在正常工作時的PN結(jié)最高溫度。
3. 功率損耗（Pdiss） ：
   • 定義：晶閘管在導通和開關(guān)過程中的功率損耗。
4. 模塊絕緣電壓（Visol） ：
   • 定義：晶閘管模塊的絕緣性能參數(shù)，表示模塊能承受的最大絕緣電壓。
5. 門極峰值功率（PGM） 和 門極平均功率（PG(AV)） ：
   • 定義：分別表示門極在峰值和平均條件下的功率消耗。

綜上所述，晶閘管的主要參數(shù)涵蓋了電壓、電流、觸發(fā)、動態(tài)以及其他多個方面，這些參數(shù)共同決定了晶閘管的工作條件、性能和可靠性。在選用晶閘管時，需要根據(jù)具體的應用場景和電路要求來綜合考慮這些參數(shù)。