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基于GaN器件的雙Buck逆變器可抑制共模電流原理詳解

tnwD_DGgrid ? 2017-12-01 13:44 ? 次閱讀
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目前市場上的光伏并網(wǎng)逆變器結(jié)構(gòu)按隔離方式來分,可分為隔離型和非隔離型,而抑制或消除共模電流是非隔離型光伏并網(wǎng)系統(tǒng)必須要解決的問題。

出于在非隔離型光伏并網(wǎng)逆變器中抑制共模電流的目的,研制一種基于GaN器件的雙Buck逆變器,該逆變器較傳統(tǒng)全橋電路,共模電流小、效率高、控制簡單。針對共模特性進(jìn)行分析研究,分別對其在正常工況與死區(qū)狀態(tài)的共模電流進(jìn)行理論分析,并進(jìn)行仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,得出該逆變器能夠很好地抑制共模電流的結(jié)論。

通過引入GaN器件來提高開關(guān)頻率解決拓?fù)渥陨黼姼休^大這一問題,并基于GaN器件對電路進(jìn)行損耗分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析基本吻合,驗(yàn)證了損耗分析的正確性。該逆變器的實(shí)測最高效率高達(dá)98.63%。

隨著工業(yè)經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展,我國的環(huán)境問題日益凸顯,因此大力發(fā)展可再生能源發(fā)電,特別是太陽能發(fā)電是解決我國能源危機(jī)和保證可持續(xù)發(fā)展的重要戰(zhàn)略。近年來,光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,雖然目前仍存在部分問題,但光伏發(fā)電的發(fā)展?jié)摿σ琅f吸引了眾多學(xué)者的關(guān)注。

目前市場上的光伏并網(wǎng)逆變器結(jié)構(gòu)按隔離方式來分,可分為隔離型和非隔離型。隔離型并網(wǎng)逆變器雖然保證了光伏電池板與電網(wǎng)的電氣隔離,有效避免了漏電流的危害,但是由于變壓器的存在,其效率普遍較低;非隔離型并網(wǎng)逆變器中因不存在變壓器,減少了變壓器的能量損耗,具有成本低、體積小、效率高等優(yōu)點(diǎn)。

但是由于光伏電池板與電網(wǎng)存在電氣連接,逆變器中功率器件的高頻動作所導(dǎo)致的共模電壓通過光伏板與大地之間的寄生電容,會在共模回路中形成共模電流,非隔離型光伏并網(wǎng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1所示。而共模電流會引起并網(wǎng)電流的畸變,對其他設(shè)備產(chǎn)生電磁干擾,最重要的是對人身安全構(gòu)成威脅[11]。因此抑制或消除共模電流是非隔離型光伏并網(wǎng)系統(tǒng)必須要解決的問題。

圖1 非隔離型光伏并網(wǎng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

另一方面,氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)材料作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一,以其高帶隙能量、高臨界擊穿電場和高電子遷移率的特性,開啟了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新格局。相較于傳統(tǒng)的硅(Silicon, Si)器件,GaN器件更適用于高頻、高壓、高溫、大功率場合和高輻射場合,具有巨大的發(fā)展?jié)摿ΑR虼私陙淼玫綇V泛研究和高速發(fā)展。

本文出于在非隔離型光伏并網(wǎng)逆變器中抑制共模電流的目的,介紹了一種雙Buck逆變器,該拓?fù)漭^傳統(tǒng)全橋電路結(jié)構(gòu)簡單、共模電流小、效率高、可靠性高。本文針對其共模特性進(jìn)行了研究,并通過仿真與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證,同時為了解決該拓?fù)渥陨黼姼休^大這一缺點(diǎn),引入氮化鎵器件,來提高開關(guān)頻率、減小電感體積,并基于氮化鎵器件對電路進(jìn)行了損耗分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

圖11雙脈沖測試平臺實(shí)物圖

結(jié)論

本文研制了一種基于GaN器件的雙Buck逆變器,對其共模特性進(jìn)行了研究與分析,并進(jìn)行了仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,得出該逆變器能夠很好地抑制共模電流的結(jié)論;由于引入了GaN器件TPH3006PS,開關(guān)頻率較高,減小了電感體積,該拓?fù)渥陨黼姼休^大這一缺點(diǎn)得以解決。

本文基于GaN器件對電路進(jìn)行了損耗分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析基本吻合,驗(yàn)證了損耗分析的正確性。該逆變器的實(shí)測最高效率高達(dá)98.63%。

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原文標(biāo)題:基于GaN器件的雙Buck逆變器共模與損耗

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