歐司朗光電半導體（Osram Opto Semiconductors）表示，目前正牽頭一個由政府出資的研究小組，共同開發一款高功率、面向大眾市場的紫外（UV）LED芯片。紫外光可用于各種應用，如固化（干燥）、消毒、生產、醫藥和生命科學。傳統的非LED光源，如汞蒸氣燈，具有一定的潛在危害。而且市場上的許多UV LED芯片在某些有用的波長上發光不具有成本優勢。

歐司朗表示：“我們合作的目標是提供高功率紫外LED以覆蓋各種應用”，“這些LED將最終取代傳統的、含汞的UV光源。”

歐司朗表示，新的高功率芯片“也有可能開辟新的應用領域。”

UV對LED制造商來說是一個新興領域。供應商包括RayVio、Nikkiso、Vital Vio、Sensor Electronic Technology、以及LG Innotek等。

由歐司朗牽頭的研究小組由德國聯邦教育和研究部（BMBF）資助。它希望在2020年前開發一款250nm波長到310nm左右的原型，涵蓋部分UV-B和UV-C光譜。

一般紫外光的范圍是約100nm到約380或400nm。它是光譜中的短波不可見的部分。

歐司朗發布了一張正在開發中的UV LED芯片照。該照來自德國萊布尼茨聯合會費迪南德布勞恩研究所（Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik (FBH)）。

其中一個挑戰是提高UV-B和UV-C光譜的效率，這要求材料上有突破，并且擴展了UV-A固化效用以外的應用。歐司朗牽頭的團隊正使用氮化鎵鋁（AlGaN）材料系統。

除了歐司朗之外，另外四個研究小組是：德國萊布尼茨聯合會費迪南德布勞恩研究所（Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik (FBH)）；柏林工業大學；LayTec AG；和FBH拆分的UVphototonics NT GmbH。

歐司朗負責270-290-nm的范圍，FBH處理290-310nm范圍的外延，并將外延晶圓加工進UV芯片中；柏林工業大學在AlGaN領域有專業技術，將重點放在250-270 nm的范圍；LayTec為控制外延和等離子刻蝕系統提供技術；FBH優化芯片設計，著眼于高電流和高效冷卻。此外，它還從其他合作伙伴那里收集過程數據，并提供給研究小組。

歐司朗表示：“新型LED的光輸出在300±10 nm處有望超過120 mW，在280±10 nm處超過140 mW，在260±10 nm處超過80 mW”，“研究小組也正在對LED的老化行為作出重大改進，以便它們可以使用更長時間、更經濟地運行。”