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中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)順利召開

kus1_iawbs2016 ? 2017-12-13 09:05 ? 次閱讀
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12月11日,中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟(以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)在北京市大興區(qū)天榮街9號(hào)世農(nóng)大廈3層會(huì)議室順利召開。此次評(píng)審會(huì)包含《碳化硅單晶》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測方法》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案討論兩部分內(nèi)容。

會(huì)議由寬禁帶聯(lián)盟秘書長陸敏博士主持,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉忠立教授、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司常務(wù)副總彭同華博士、北京三平泰克科技有限責(zé)任公司常務(wù)副總鄭紅軍、中國科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇博士、東莞天域半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)部經(jīng)理張新河博士、中國科學(xué)院電工研究所實(shí)驗(yàn)室技術(shù)負(fù)責(zé)人張瑾、中國科學(xué)院微電子研究所副研究員許恒宇博士、北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限公司W(wǎng)BG事業(yè)部副總經(jīng)理鮑慧強(qiáng)博士、北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司課題組長何麗娟、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)中心主任劉春俊博士、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院高級(jí)開發(fā)工程師鈕應(yīng)喜、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司質(zhì)量部副經(jīng)理陳志霞等寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)委員及團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)參與單位代表參加了本次會(huì)議。

參會(huì)人員合影

評(píng)審會(huì)現(xiàn)場

寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)2017年下半年共收到來自北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、中國科學(xué)院電工研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院四個(gè)牽頭單位團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定申請(qǐng)。12月11日上午,各申請(qǐng)單位代表對(duì)送審稿的主要內(nèi)容進(jìn)行了詳細(xì)介紹,與會(huì)專家進(jìn)行了逐條討論,從引用文件、術(shù)語定義、技術(shù)要求和試驗(yàn)方法等給予了各單位中肯的建議,最后與會(huì)專家一致同意以下4項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿通過審定:(1)《碳化硅單晶》(牽頭起草單位:北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司);(2)《碳化硅外延片表面缺陷測試方法》(牽頭起草單位:全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院);(3)《碳化硅外延層載流子濃度測定-汞探針電容-電壓法》(牽頭起草單位:中國科學(xué)院電工研究所);(4)《電動(dòng)汽車用功率半導(dǎo)體器件可靠性試驗(yàn)通用要求及試驗(yàn)方法》(牽頭起草單位:瀚天天成電子科技(廈門)有限公司)。與會(huì)代表建議起草單位吸收本次會(huì)議專家的修改意見后盡快形成報(bào)批稿,上報(bào)寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)秘書處審批,作為聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)頒布實(shí)施。

參會(huì)代表發(fā)言

截至2017年12月11日,2017年立項(xiàng)的4項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)起草單位都已在規(guī)定時(shí)間內(nèi)向?qū)捊麕?lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)提交了標(biāo)準(zhǔn)草案。12月11日下午,寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)組織專家討論了此4項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案:《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測方法》、《碳化硅單晶拋光片位錯(cuò)密度測試方法》、《6英寸碳化硅單晶拋光片》、《4H碳化硅同質(zhì)外延層厚度的紅外反射測量方法》。與會(huì)專家對(duì)4項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)草案的內(nèi)容進(jìn)行了逐條討論,從標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍、術(shù)語定義到標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)、內(nèi)容、格式等提出了許多科學(xué)合理、嚴(yán)謹(jǐn)專業(yè)的建議,各標(biāo)準(zhǔn)起草單位代表認(rèn)真聽取并采納了專家的建議。針對(duì)本次討論會(huì)的建議,各起草單位表示將進(jìn)一步修改和完善標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容,盡快形成征求意見稿,按照標(biāo)準(zhǔn)制定工作計(jì)劃進(jìn)度要求,有條不紊地推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)工作,以制訂出高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)業(yè)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),響應(yīng)國家標(biāo)準(zhǔn)化改革方案,為推進(jìn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)事業(yè)做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。


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原文標(biāo)題:中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)順利召開

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