概述

在探討厚膜片式電阻器的ESD（Electrostatic Discharge，靜電放電）破壞原理時，我們首先需要了解其結構和組成。厚膜片式電阻器的電阻材料通常由金屬釉電阻體構成，這種電阻體由導電體、類似玻璃的絕緣體以及二者在高溫燒制過程中形成的具有半導體特性的反應層混合而成。電阻器的阻值主要由導電體、絕緣體和反應層的比例決定，其中導電體比例高則阻值低，絕緣體比例高則阻值高。

ESD對電阻體的影響

當電阻體遭受ESD沖擊時，導電路徑會瞬間通過大電流，導致焦耳熱效應，可能引起電阻體燒毀或熔化。這種熱效應會破壞部分導電體，從而使得電阻值上升。

ESD對絕緣體的影響

另一方面，當絕緣體遭受高電壓（強電場）沖擊時，可能會發(fā)生絕緣破壞，導致電阻值降低。

ESD引起的阻值變化

在電阻器遭受一定量的ESD沖擊后，電阻體的破壞程度將同時影響阻值的上升和下降。對于10Ω這類相對較低的阻值，導電體的影響更為顯著，因此整體阻值傾向于上升。而對于100kΩ這類較高的阻值，絕緣體的影響更為顯著，整體阻值傾向于下降。

結論

綜上所述，ESD對厚膜片式電阻器的影響是復雜的，它不僅取決于電阻器的初始阻值，還受到導電體和絕緣體比例的影響。在設計和使用電阻器時，必須考慮到ESD的潛在破壞作用，并采取相應的防護措施，以確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。

審核編輯 黃宇