傳統的SRAM是一種易失性存儲器，這意味著它需要持續供電以維持其中的數據；一旦斷電，數據就會丟失。相比之下，非易失性存儲器（如閃存）可以在沒有電源的情況下保持數據。SRAM兼容的非易失性存儲器可以通過鐵電存儲器（FRAM）來實現非易失性。FRAM鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，這種材料即使在斷電后也能保持其狀態。

鐵電存儲器是一種具有非易失性和隨機訪問特性的存儲器，非易失性允許在斷電時保留數據，隨機訪問則能夠實現快速數據寫入。由于鐵電存儲器能夠在電源故障和斷電時安全地存儲正在寫入的數據，因此可以確保設備中記錄的參數信息和日志數據的安全。采用鐵電存儲器產品的應用已經廣泛應用于工廠自動化、測量設備、ATM和醫療設備等領域。

當方案使用SRAM記錄數據時，需要裝備有防止突然斷電的后備電池。由于鐵電存儲器具備非易失、按字節高速讀寫和高讀寫耐久度等特征，則該方案通過將SRAM替換成鐵電存儲器，可以省去電池。省去電池后，不僅可以減少產品的零部件成本和電池維護成本，還有助于優化產品尺寸。

SF25C20性能參數介紹：

? 容量：2M bit，提供SPI接口；

? 工作頻率是25兆赫茲；

? 高速讀特性：支持40MHz高速讀命令；

? 工作環境溫度范圍：-40℃至85℃；

? 封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS；

? 性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）；

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