據媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同時,展望未來五年,該領域有望實現15%至20%的年均復合成長率。
大摩的半導體產業分析師詹家鴻進一步透露,三星已計劃在2026年將HBM4基底技術的生產任務轉交給臺積電。面對市場需求的強勁增長,臺積電正加速其產能擴張步伐,并預計在2025年將資本支出提升至380億美元。
此外,在高性能計算(HPC)和人工智能(AI)領域需求的強勁推動下,臺積電原本計劃在2026年將CoWoS技術的產能擴大至每月8萬片。然而,由于英偉達對該技術的需求異常旺盛,臺積電已決定將這一產能擴充計劃提前至2025年底前完成。因此,臺積電在未來五年內有望實現15%至20%的年均復合成長率。
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