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MS41929——雙通道超低噪聲 256 細分微步進低壓電機驅(qū)動

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2024-10-31 17:47 ? 次閱讀

產(chǎn)品簡述

MS41929 是一款雙通道 5V 低壓步進電機驅(qū)動芯片,通過

具有電流細分的電壓驅(qū)動方式以及扭矩紋波修正技術(shù),實現(xiàn)了

超低噪聲微步進驅(qū)動。

芯片另外內(nèi)置一個直流電機驅(qū)動器,上下開關(guān)的電阻之和

低至 1.1Ω。

MS41929 內(nèi)置了晶振放大模塊,可以使用無源晶振。

wKgaoWcjSHKAXYO9AABFXcKzW8s500.png

主要特點

?電壓驅(qū)動方式,256 細分微步進驅(qū)動電路(兩通道)

?每個 H 橋最大驅(qū)動電流±0.5A

?四線串行總線通信控制馬達

?內(nèi)置雙路 LED 驅(qū)動(開漏輸出)

?內(nèi)置直流電機驅(qū)動,最大驅(qū)動電流±0.5A

?無源晶振

?QFN32 封裝(帶散熱片)

應(yīng)用

?機器人、精密工業(yè)設(shè)備

?攝像機

?監(jiān)控攝像機

產(chǎn)品規(guī)格分類

wKgZomcjSLOAJECVAAAlPjyg8ZI956.png

管腳圖

wKgZomcjSM2Af_uqAAD0jv_in40860.png

管腳說明

wKgaoWcjSP2AMix8AAHTI4irzRk592.png

內(nèi)部框圖

wKgZoWcjSRCAA6Q3AAEElz55sY4100.png

極限參數(shù)

絕對最大額定值

芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會對器件造成永久的損壞,芯片長時間處于極限工作

狀態(tài)可能會影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測試得出,并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

wKgZoWcjTDuAHRxqAADOLPmMKkM370.png

注:1. 絕對最大額定值,是指在容損范圍內(nèi)使用的場合。

2. 容損值,是指在 TA= 85°C 時封裝單體的值。實際使用時,希望在參考技術(shù)資料和 PD- TA特性圖的基礎(chǔ)上,

依據(jù)電源電壓、負荷、環(huán)境溫度條件,進行不超過容損值的散熱設(shè)計。

3. 容損值、工作環(huán)境溫度以及存儲溫度的項目以外,所有溫度為 TA= 25°。

4. 輸入電壓(DVDD + 0.3)不可超過 4.0V。

wKgaoWcjTGSAUphLAABFNSHIwcQ473.png

端子容許電流電壓范圍

注:1. 容許端子電流電壓范圍,是指不被破壞的限界范圍,不保證實際工作狀態(tài)。

2. 額定電壓值,是指對 GND 的各端子的電壓。GND 是指 GNDD,MGNDA,MGNDB,GND5 的電壓。另外,

GND = GNDD = MGNDA = MGNDB=GND5。

3. 3V 電源,是指 DVDD 的電壓。

4. 在下面沒有記述的端子以外,嚴禁從外界輸入電壓和電流。

5. 關(guān)于電流,“+”表示流向 IC 的電流,“-”表示從 IC 流出的電流。

wKgZomcjTIiAZuChAADsQzKnWZo598.png

電氣參數(shù)

MVCCx =VDD5= 5V, DVDD =3.3V。沒有特別規(guī)定,環(huán)境溫度為TA= 25°C ±2°C。

wKgZoWcjTPCAa05kAAIosHoKNgk850.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZoWcjTQOACW7AAAKc3wyNHmg260.png

wKgaoWcjTRKAF4lhAAC49qiMSqk139.png

功能描述

1. 串行接口

wKgZoWcjTfWAYOTdAAFdUYK4cmw962.png

電氣參數(shù)(設(shè)計參考值)

VDD5=MVCCx =5V, DVDD = 3.3V。

注意:沒有特別規(guī)定,環(huán)境溫度為 TA= 25°C ±2°C。本特性為設(shè)計參考值,僅供參考。

1.1 串行口輸入

wKgZomcjTiSANWuoAAD1UdsXRPM840.png

1. 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換在 CS 的上升沿開始,在 CS 的下降沿停止。

2. 一次轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)流單位是 24 位。

3. 從 SIN 引腳輸入地址和數(shù)據(jù)時,在 CS = 1 的條件下,時鐘信號 SCK 保持一致。

4. 在 SCK 信號的上升沿,數(shù)據(jù)被打入 IC。同時,數(shù)據(jù)輸出時,在 SOUT 引腳讀出(數(shù)據(jù)在 SCK 的上升

沿輸出)。

5. 當(dāng) CS=0 時,SOUT 輸出高阻態(tài)。并且當(dāng) CS=1 時,輸出“0”除非有數(shù)據(jù)讀出。

6. 當(dāng) CS=0 時,復(fù)位整個串行接口控制。

1.2 數(shù)據(jù)格式

wKgZomcjTxOAEt3lAAA_cmV-lTQ985.png

C0:寄存器讀寫選擇: 0:寫模式;1:讀模式

C1:不使用

A5?A0:寄存器地址

D15?D0:寫入寄存器的數(shù)據(jù)

1.3 寄存器分布圖

wKgaomcjTymAcyGrAAFXkT0_1yY458.png

wKgaomcjTziAduJ5AAKtFI0Khes200.png

1.5 寄存器建立時刻

wKgaomcjT1WAanHHAAFxzo6nuHE789.png

wKgZoWcjT2GAKL3sAACI6oZorGc985.png

* 0→1:起作用于DT1;1→0:起作用于DT2x。

原則上來說,用于細分步進的寄存器的建立,應(yīng)該在起始點延時的這段時間段內(nèi)執(zhí)行完(參考第

14頁圖)。在起始點延時這段時間外,寫入的數(shù)據(jù)也能被存入寄存器。然而,如果寫操作在刷新時間

后繼續(xù)執(zhí)行的話,好比在起始點激勵延時的最后,建立刷新時刻不會在計劃的時刻有效。舉例說明:

如果在起始點激勵延時后更新的數(shù)據(jù)1?4如下圖一樣被寫入,數(shù)據(jù)1和2在a時刻立即被更新,數(shù)據(jù)3和4

在b時刻被更新。即使數(shù)據(jù)是連續(xù)寫入的,更新的時間間隔了1個VD的周期。

由于上述原因,為了數(shù)據(jù)及時更新,寄存器數(shù)據(jù)的建立需要在起始點延時的這段時間段執(zhí)行完。

wKgaomcjT3-AJR0RAAC5i7Ai4uU268.png

MODESEL_FZ設(shè)置輸入IC內(nèi)部的VD_FZ的極性。

當(dāng)設(shè)置為“0”,極性基于VD_FZ的上升沿。當(dāng)設(shè)置為“1”,極性基于VD_FZ的下降沿。

MODESEL_FZ 選擇輸入 VD_FZ 的極性。因此,基于 MODESEL_FZ 的選擇時刻,產(chǎn)生如下圖所示的邊沿

和 VD_FZ 的邊沿?zé)o關(guān)。

wKgaoWcjUD6AGffxAABOg1W_Z_Y699.png

3. 步進電機細分步進驅(qū)動

3.1 模塊框圖

wKgaomcjUGiAYumTAAF3QNzIanc103.png

3.2 相關(guān)設(shè)置的建立時刻

建立時刻和相關(guān)時間如下所示。

地址 27h 到 2Ah 的設(shè)置同 22h 到 25h 的設(shè)置相同,所以 27h 到 2Ah 的描述就省略了。如果相關(guān)寄

存器被刷新,則每一個 VD 周期來到時,會實現(xiàn)一次設(shè)置的加載刷新。當(dāng)同樣的設(shè)置被執(zhí)行時超過 2

個 VD 脈沖時,沒有必要在每個 VD 脈沖都寫入寄存器數(shù)據(jù)。

DT1[7:0](起始點延時,地址 20h)

更新數(shù)據(jù)時間設(shè)置。在系統(tǒng)硬件復(fù)位后(引腳 RSTB:低→高),開始激勵和驅(qū)動電機前(DT1 結(jié)

束)這段時間內(nèi),必須設(shè)置此項.

由于這個設(shè)置在每次 VD 脈沖來到時更新,沒有必要一定在起始點延遲時內(nèi)寫入。

PWMMODE[4:0], PWMRES[1:0](微步進輸出 PWM 波頻率,地址 20h)

設(shè)置微步進輸出 PWM 波頻率。需要在開始激勵和驅(qū)動電機前設(shè)置執(zhí)行(DT1 結(jié)束)。

DT2A[7:0](起始點激勵延時,地址 22h)

更新數(shù)據(jù)時間設(shè)置。復(fù)位后(引腳 RSTB:低→高),需要在開始激勵和驅(qū)動電機前被設(shè)置執(zhí)行

(DT1 結(jié)束)。

PHMODAB[5:0](相位矯正,地址 22h)

通過矯正線圈 A 和 B 的相位差,驅(qū)動器產(chǎn)生的噪聲會減少。合適的相位矯正必須依據(jù)于電機的旋

轉(zhuǎn)方向和速度,此設(shè)置需要隨著旋轉(zhuǎn)方向(CCWCWAB)或者旋轉(zhuǎn)速度(INTCTAB)的變化而改變。

PPWA[7:0],PPWB[7:0](峰值脈沖寬度,地址 23h)

設(shè)置 PWM 最大占空比。設(shè)置需要在開始激勵和驅(qū)動電機前被設(shè)置執(zhí)行(DT1 結(jié)束)。

PSUMAB[7:0](步進電機步進數(shù),地址 24h)

1 個 VD 的時間間隔內(nèi)的電機的轉(zhuǎn)動次數(shù)設(shè)置。

每次 VD 脈沖輸入時,電機轉(zhuǎn)動所設(shè)置的次數(shù)。因此,設(shè)置次數(shù)為“0”是可以停止電機的轉(zhuǎn)動。

當(dāng)設(shè)置的轉(zhuǎn)動次數(shù)總額超過了 1 個 VD 脈沖的時間,超出部分會被取消。

wKgaoWcjUKiAHZXkAABjO5LeD28718.png

wKgaoWcjUM-ATrxwAAM7xVe92Yg166.png

wKgaoWcjUPWAQbBTAAJ4wLlifjM458.png

wKgaoWcjUQWASTmSAADE-_SqaGg878.png

PWMMODE[4:0]通過設(shè)置系統(tǒng)時鐘 OSCIN 的分頻數(shù)來設(shè)置微步進輸出 PWM 的頻率。

PWMMODE[4:0]能在 1?31 的范圍內(nèi)設(shè)置,PWM 波的頻率在 PWMMODE = 0 和 PWMMODE = 1 時候的取

值是一樣的。

PWMRES[1:0]與 PWMMODE[4:0]一起決定 PWM 頻率。

PWM 頻率由下面的式子進行計算

PWM 頻率 = OSCIN 頻率 / ((PWMMODE × 23 ) × 2PWMRES)

OSCIN = 27MHz 時,PWM 的頻率如下表: (kHz)

wKgZoWcjUTmAUWp0AADO6iZ3D2M433.png

wKgaoWcjUUiALrFJAAJxsRGSqD4208.png

wKgZomcjUVmAI6gkAAIoWYiBQMU854.png

wKgZomcjUWmAYRd8AAHIkRcKySw705.png

如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgaomcjUXWALHyLAAIDHJOwkNU544.png

wKgZomcjUYCAAe88AAQSFBxqXKU386.png

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如有需求請聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZoWcjUbuAV8UnAADouXKvpVs631.png

(1) 開始結(jié)束時序

電源信號、RSTB 和 OSCIN 的開始結(jié)束時序如下圖所示:

wKgaoWcjUdWAXtfhAABqLo_Zp8E628.png

(2) 輸入引腳的輸入電容

輸入引腳的電容值為 10pF 或者更小。

(3) OSCIN 和 VD 信號的時刻

一旦 VD 信號(VD_FX 或者 VD_IS 輸入)和 OSCIN 同步,那么 VD 信號和 OSCIN 信號對輸入時刻沒

有約束。

(4) 掉電模式

當(dāng) PDWNB = 0,掉電模式被設(shè)置。

掉電模式下,光圈模擬部分的電路停止工作(電機驅(qū)動不受影響)。當(dāng)只有電機驅(qū)動在使用時,

設(shè)置 PDWNB 為“0”可以減少功耗。

掉電模式下,相關(guān)引腳的操作如下:

wKgZoWcjUfCANQxXAAAxN8rdJFQ951.png

wKgZoWcjUf-ACronAAHN_r3KsxA601.png

wKgaoWcjUhCASXC1AAHKVxVwXd4271.png

典型應(yīng)用電路圖

wKgZoWcjTVCAQ_YBAAC9dmzsAGQ099.png

注:應(yīng)用中 MS41929 Pin23, 24 接 27MHz 無源晶振, 也可以從 Pin23 外接 27MHz 時鐘輸入。注意,直

耦合輸入時鐘幅度需要超過 2.4V,接 0.1μF 電容耦合交流輸入時,輸入時鐘幅度需要超過 1V。

封裝外形圖

QFN32

wKgZoWcjTXSAcbAYAAEEt4q4T3o544.png

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇

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