硅片形貌效應在光刻工藝中十分重要，特別是在現代集成電路制造中，如FinFET等先進器件結構以及雙重圖形技術的廣泛應用下，硅片表面的微小不平整性對光刻結果的影響變得尤為顯著。

本文是關于硅片形貌效應及其與底部抗反射涂層（BARC）沉積策略關系的解析，分述如下：

沉積策略比較

多晶硅線附近的光刻膠殘留

雙重圖形技術中的線寬變化

沉積策略比較

1.1 平面化沉積工藝 特點：BARC層頂部形成平面，但在硅片臺階頂部以外的區域，BARC層較厚。 問題：臺階兩側較厚的BARC層導致反射光形成駐波，影響光刻膠的曝光均勻性，產生光刻膠殘留和線條寬度波動。 1.2 保形沉積工藝 特點：BARC層厚度均勻，與硅片表面形貌保持一致。 問題：盡管減少了駐波效應，但硅片或BARC臺階的散射作用降低了臺階兩側光刻膠/BARC界面處的光強，導致線條寬度波動和光刻膠殘留。

1.3 解決方案與優化方向 優化BARC沉積工藝：進一步開發能夠更精確控制BARC層厚度和均勻性的沉積技術，以減少對光刻膠形貌的負面影響。 結合化學機械拋光（CMP）：在BARC沉積前，通過CMP技術進一步改善硅片表面的平整度，降低硅片形貌效應。 光刻工藝參數調整：根據BARC沉積后的硅片表面形貌，調整光刻機的曝光參數（如曝光劑量、焦距等），以優化光刻圖案的質量。 仿真與建模：利用嚴格的電磁場仿真模型對硅片形貌效應進行深入研究，為工藝優化提供理論支持。 綜上所述，硅片形貌效應是現代光刻工藝中不可忽視的重要問題，特別是在先進制造工藝中。通過優化BARC沉積策略和結合其他技術手段，可以有效減輕硅片形貌效應對光刻圖案質量的影響，提高集成電路制造的良品率和性能。未來，隨著制造工藝的進一步發展，對硅片形貌效應的深入研究和精確控制將變得更加重要。

多晶硅線附近的光刻膠殘留

在半導體制造中，多晶硅線作為后續工藝步驟的掩模，其存在會對光刻膠的曝光和顯影過程產生顯著影響。當BARC無法使用或不適用于特定工藝時，多晶硅線對光的散射作用尤為關鍵。 2.1 現象描述 多晶硅線的散射作用：多晶硅線不透光，會將入射光散射到光刻膠的其他位置。頂部散射光在光刻膠內引起駐波效應，而垂直邊緣的散射則降低了兩側區域的曝光劑量。

光刻膠殘留：由于多晶硅線兩側曝光劑量減少，光刻膠在這些區域未能充分曝光，導致顯影后形成殘留。 線寬變化：多晶硅線頂部的散射光增加了頂部區域的曝光劑量，可能導致線寬變化。 2.2 解決方案 優化照明條件：采用強離軸照明可以減少光刻膠殘留，因為離軸光能更好地控制曝光劑量的分布。 調整光刻膠配方：開發對散射光更敏感或更耐受的光刻膠材料，以減少殘留和提高圖案質量。 精確控制工藝參數：通過精確控制曝光時間、顯影條件等工藝參數，可以優化光刻膠的曝光和顯影過程，減少殘留。

雙重圖形技術中的線寬變化

雙重圖形技術（DPT）是一種先進的光刻技術，通過多次曝光和刻蝕步驟來形成更精細的圖案。在DPT中，硅片形貌效應對最終圖案的質量具有重要影響。 3.1 現象描述 光刻-凍結-光刻-刻蝕（LFLE）工藝：在第一次曝光和光刻膠工藝步驟后，光刻膠的折射率通過凍結步驟發生變化。這種變化會影響后續曝光過程中的光強分布。 折射率變化的影響：折射率增加導致更多光線偏折進入光刻膠底部，增加了局部曝光劑量。這會導致第二次曝光后線寬發生變化。

3.2 解決方案

精確控制折射率變化：通過優化凍結步驟的工藝條件，精確控制光刻膠折射率的變化量，以減少對后續曝光過程的影響。 嚴格仿真與優化：利用嚴格電磁場仿真方法，對DPT工藝中的硅片形貌效應進行仿真和優化，以選擇合適的材料和工藝參數。 圖形設計拆分：在圖形設計階段就考慮硅片形貌效應的影響，通過合理的圖形拆分和布局來減少線寬變化。 隨著半導體制造工藝的不斷發展，掩模和硅片面特征尺寸的不斷減小，電磁散射效應在光刻中的重要性日益凸顯。嚴格電磁場仿真方法成為描述這些效應的重要手段。在掩模和硅片形貌效應的研究中，需要綜合考慮材料的光學特性、工藝參數以及照明條件等因素，以優化光刻工藝，提高圖案質量。同時，對于雙重圖形技術等先進工藝，更需要精確控制硅片形貌效應，以確保最終產品的性能和質量。