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浮柵晶體管的組成結構以及原理

中科院半導體所 ? 來源:半導體與物理 ? 2024-11-24 09:37 ? 次閱讀

浮柵晶體管主要是應用于于非易失性存儲器之中,比如nand flash中的基本單元,本文介紹了浮柵晶體管的組成結構以及原理。

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上圖就是浮柵晶體管大致的組成圖,是在NMOS的基礎上在控制柵極下的絕緣層之間加入了一層浮柵層,用于儲存電子。 其中與溝道接近的絕緣層二氧化硅厚度比較薄,電子在比較大的電場作用下,會隧穿進入浮柵層。

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在寫入電子時,在控制柵極施加相對于襯底的高壓時,離子阱的電子被吸引并隧穿進入浮柵層被存儲在其中,如果撤銷電壓之后,因為浮柵層被絕緣層包裹,浮柵層電子還是存儲在這個部位,此狀態計為邏輯0。

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在擦除電子時,需要在襯底加一個相對于柵極的高壓,浮柵層存儲的電子就會在電場作用下隧穿回到下面的P型半導體里。此狀態計為邏輯1。 浮柵晶體管巧妙的使用了物理里非常奇特的量子隧穿,用電場控制電子的存儲,是一類很重要的存儲器件。 END 轉載內容僅代表作者觀點 不代表中國科學院半導體所立場

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原文標題:半導體器件:浮柵晶體管

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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