浮柵晶體管的組成結構以及原理
浮柵晶體管主要是應用于于非易失性存儲器之中，比如nand flash中的基本單元，本文介紹了浮柵晶體管的組成結構以及原理。
上圖就是浮柵晶體管大致的組成圖，是在NMOS的基礎上在控制柵極下的絕緣層之間加入了一層浮柵層，用于儲存電子。 其中與溝道接近的絕緣層二氧化硅厚度比較薄，電子在比較大的電場作用下，會隧穿進入浮柵層。
在寫入電子時，在控制柵極施加相對于襯底的高壓時，離子阱的電子被吸引并隧穿進入浮柵層被存儲在其中，如果撤銷電壓之后，因為浮柵層被絕緣層包裹，浮柵層電子還是存儲在這個部位，此狀態計為邏輯0。
在擦除電子時，需要在襯底加一個相對于柵極的高壓，浮柵層存儲的電子就會在電場作用下隧穿回到下面的P型半導體里。此狀態計為邏輯1。 浮柵晶體管巧妙的使用了物理里非常奇特的量子隧穿，用電場控制電子的存儲，是一類很重要的存儲器件。 END 轉載內容僅代表作者觀點 不代表中國科學院半導體所立場
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原文標題：半導體器件：浮柵晶體管
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