鉭電容的漏電流是指在正常工作條件下，鉭電容器兩極之間存在的微弱漏電現(xiàn)象。這一現(xiàn)象主要由以下幾個因素導致：

一、制造材料的影響

鉭粉與鉭絲的質量：鉭粉、鉭絲的化學性能、物理性能、雜質含量、顆粒形狀及大小、擊穿電壓等都會直接影響鉭電容器的質量。特別是雜質含量，對形成氧化膜的質量有很大影響。難熔雜質如鎢、鉬、硅、鐵、銅等在燒結時難以完全去除，可能成為疵點的“晶核”，進而成為導電通道。

鉭粉的規(guī)格選擇：鉭粉有多種規(guī)格，根據(jù)電容器的工作電壓可分為高壓粉、中壓粉、低壓粉。各種粉的比容、物理性能、擊穿電壓都有所區(qū)別。在生產電容器時，必須根據(jù)電容器的規(guī)格合理、恰當?shù)剡x用鉭粉，以確保電容器的質量。

二、制造工藝的影響

燒結工序：鉭電容器的陽極芯子在成型時要經過高溫高真空的燒結，目的是成型和提純。如果提純效果不佳，殘留的雜質將成為介質膜中的“晶核”，這是造成漏電流的隱患。

形成工序：將鉭陽極放在電解液中，施加直流電壓，電解液中的氧離子和鉭陽極中的鉭形成Ta2O5膜層。形成溫度過高、形成時間過長、升壓電流密度過大、形成電壓過高都會對介質氧化膜產生晶化點，從而影響電容器的漏電流。

篩選工序：對鉭電容器的成品采取進一步加嚴檢驗的工藝，通常采用高、低溫篩選、長時間高溫老練篩選以及X光透射檢查等。篩選的溫度及電壓選擇需適當，太低不能有效剔除缺陷電容器，太高則可能導致合格產品因缺陷而失效被剔除。

三、使用條件的影響

工作電壓：電容器的實際工作電壓應低于其額定電壓。長期經受較高工作電壓可能導致氧化膜中的雜質或其他缺陷部位場強較高、電流密度較大，進而產生局部高溫點，留下誘發(fā)熱致晶化的隱患。

反向電壓：非固體電解質鉭電容器不允許反接在直流回路或接在純交流回路中。反向電壓可能導致陽極表面沉積銀等金屬，構成導電通道，從而增加漏電流。

工作溫度：電容器在電路板中布局時應遠離功率發(fā)熱器件。當電容器靠近發(fā)熱器件時，其工作溫度會升高，導致氧化膜中的雜質離子遷移速度增加，進而增大漏電流。

四、其他因素

介質吸收：絕緣氧化物中的離子在電場作用下發(fā)生運動，并在一定程度上導致電荷累積和釋放，這可能導致漏電流的增加。

外部環(huán)境：電容器應避免直接接觸水、鹽、油等環(huán)境。這些雜質離子可能將電容器陽極陰線與陰極連同，形成并聯(lián)導電通道，導致漏電流增大。

綜上所述，鉭電容漏電流的產生是由多種因素共同作用的結果。為了降低漏電流，需要從制造材料、制造工藝、使用條件以及外部環(huán)境等多個方面進行綜合控制。

審核編輯 黃宇