意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術的優勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應用場景設計。
新推出的工業級晶體管STL300N4F8和車規晶體管STL305N4F8AG，額定漏極電流均超過300A，最大導通電阻RDS(on)僅為1mΩ，能夠在高功率應用中實現卓越的能效。其動態性能也得到了顯著提升，總柵極電荷典型值為65nC，同時擁有低電容(Ciss, Crss)，確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。
此外，該系列MOSFET體二極管具有低正向電壓和快速反向恢復特性，這些特點有助于提高系統的能效和可靠性。在工業和汽車等高要求的應用場景中，這些特性尤為重要，能夠確保系統的穩定運行和延長使用壽命。
意法半導體的這一新品推出，再次展示了其在MOSFET技術領域的領先地位。未來，意法半導體將繼續致力于技術創新和產品研發，為用戶提供更加高效、可靠的半導體解決方案。
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