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意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管

科技綠洲 ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2024-12-11 14:27 ? 次閱讀

意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術的優(yōu)勢,并具備出色的抗噪能力,專為非邏輯電平控制的應用場景設計。

新推出的工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG,額定漏極電流均超過300A,最大導通電阻RDS(on)僅為1mΩ,能夠在高功率應用中實現(xiàn)卓越的能效。其動態(tài)性能也得到了顯著提升,總柵極電荷典型值為65nC,同時擁有低電容(Ciss, Crss),確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。

此外,該系列MOSFET體二極管具有低正向電壓和快速反向恢復特性,這些特點有助于提高系統(tǒng)的能效和可靠性。在工業(yè)和汽車等高要求的應用場景中,這些特性尤為重要,能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。

意法半導體的這一新品推出,再次展示了其在MOSFET技術領域的領先地位。未來,意法半導體將繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新和產品研發(fā),為用戶提供更加高效、可靠的半導體解決方案。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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