高臺階基底晶圓貼蠟方法是半導體制造中的一個關鍵步驟，特別是在處理具有高階臺金屬結構的晶圓時。以下是一種有效的高臺階基底晶圓貼蠟方法：

一、方法概述

該方法利用膠厚和蠟厚將高臺階填平，并使用較輕的物理壓力以及抽真空技術來確保晶圓與陶瓷盤之間的緊密貼合。此方法不僅有效避免高臺階金屬被壓碎，還能保證晶圓片內(nèi)厚度偏差（TTV）值在可接受范圍內(nèi)。

二、具體步驟

勻膠處理：

使用勻膠機對晶圓進行二次勻膠。勻膠機設定轉速為1500r/min，首先進行第一層勻膠，時間為3分鐘，勻膠結束后對晶圓進行烘干。

再次將晶圓放置在勻膠機內(nèi)，在相同轉速下進行第二層勻膠，時間為2分鐘。

厚度測量與去邊膠：

使用高度測量儀測量勻膠后的晶圓背面厚度。

對高出的區(qū)域進行去邊膠處理，以確保晶圓背面厚度保持平整。

涂蠟與晶圓粘接：

在加熱至80°C的陶瓷盤上預涂工業(yè)蠟。

將晶圓通過預涂的工業(yè)蠟粘接在陶瓷盤上。

施加物理壓力與抽真空：

在晶圓上覆蓋一層直徑大于晶圓直徑的無塵紙。

在無塵紙上放置一個加壓重物（如陶瓷盤），施加較輕的物理壓力。

使用抽真空裝置（包括真空泵、氣管和真空罩）對晶圓進行抽真空處理，時間為5分鐘。

冷卻與檢驗：

抽真空完成后，取出物件并自然冷卻。

去除加壓重物和無塵紙，用酒精清除晶圓背面的蠟漬。

使用測量儀器對晶圓進行測厚檢驗，確保晶圓片內(nèi)厚度偏差小于15um。

三、注意事項

工藝參數(shù)控制：在勻膠、涂蠟、抽真空等步驟中，要嚴格控制各項工藝參數(shù)，以確保加工質(zhì)量和穩(wěn)定性。

設備維護：定期對勻膠機、測量儀器、抽真空裝置等設備進行維護和保養(yǎng)，確保設備的精度和可靠性。

環(huán)境要求：在加工過程中，要保持工作環(huán)境的清潔和穩(wěn)定，避免灰塵、振動等因素對加工質(zhì)量的影響。

四、方法優(yōu)勢

低成本：該方法采用低成本及簡單的物理方式進行貼蠟，降低了生產(chǎn)成本。

高效性：通過勻膠、涂蠟、抽真空等步驟的協(xié)同作用，實現(xiàn)了晶圓與陶瓷盤之間的緊密貼合，提高了加工效率。

高質(zhì)量：該方法有效避免了高臺階金屬被壓碎的問題，并能保證晶圓片內(nèi)厚度偏差（TTV）值在可接受范圍內(nèi)，從而提高了產(chǎn)品質(zhì)量。

綜上所述，這種高臺階基底晶圓貼蠟方法具有低成本、高效性和高質(zhì)量的優(yōu)勢，適用于半導體制造中需要處理高臺階金屬結構的晶圓。

五、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術，傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多層結構，厚度可從μm級到數(shù)百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm ，精度可達1nm。

1，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強，一改過去傳統(tǒng)晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。