先進封裝領(lǐng)域爆紅，聯(lián)電積極搶進并傳出捷報，奪下高通高速運算（HPC）先進封裝大單，將應(yīng)用在AI PC、車用，以及現(xiàn)在正熱的AI服務(wù)器市場，甚至包括高帶寬內(nèi)存（HBM）整合。聯(lián)電迎來業(yè)績新動能之余，更打破先進封裝市場由臺積電獨家掌握的態(tài)勢。

聯(lián)電不對單一客戶響應(yīng)，強調(diào)先進封裝是公司積極發(fā)展的重點，并且會攜手智原、硅統(tǒng)等子公司，加上內(nèi)存供應(yīng)伙伴華邦，攜手打造先進封裝生態(tài)系。

聯(lián)電布局先進封裝，目前在制程端僅供應(yīng)中介層（Interposer），應(yīng)用在RFSOI制程，對營收貢獻相當(dāng)有限。全球所有先進封裝制程生意仍被臺積電掌握，隨著高通有意采用聯(lián)電先進封裝制程打造高速運算（HPC）芯片，等于為聯(lián)電打開新生意，并打破先進封裝市場由臺積電獨家掌握的態(tài)勢。

知情人士透露，聯(lián)電奪下高通先進封裝大單，相關(guān)細節(jié)是高通正規(guī)劃以半客制化的Oryon架構(gòu)核心委托臺積電先進制程量產(chǎn)，再將晶圓委托聯(lián)電進行先進封裝，預(yù)計將會采用聯(lián)電的WoW Hybrid bonding（混合鍵和）制程，這意味聯(lián)電全面跨足先進封裝市場。

業(yè)界分析，高通為了拓展AI PC、車用及服務(wù)器等市場，將采用聯(lián)電的先進封裝晶圓堆棧技術(shù)，并將結(jié)合PoP封裝，取代過去傳統(tǒng)由錫球焊接的封裝模式，讓芯片與芯片之間的訊號傳輸距離更近，達到無須再透過提升晶圓制程，就可提高芯片運算效能的目的。

業(yè)內(nèi)指出，先進封裝最關(guān)鍵的制程就是需要曝光機臺制造的中介層，加上需要超高精密程度的硅穿孔，讓2.5D或3D先進封裝堆棧的芯片訊號可相互聯(lián)系，聯(lián)電則具備生產(chǎn)中介層的機臺設(shè)備之外，且早在十年前就已將TSV制程應(yīng)用超威GPU芯片訂單上，等于聯(lián)電完全具備先進封裝制程量產(chǎn)技術(shù)的先決條件，成為獲得高通青睞的主要原因。

業(yè)界認為，高通以聯(lián)電先進封裝制程打造的新款高速運算芯片，有望在2025下半年開始試產(chǎn)，并在2026年進入放量出貨階段。

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審核編輯 黃宇