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臺積電2nm制成細節公布:性能提升15%,功耗降低35%

jf_15747056 ? 來源:jf_15747056 ? 作者:jf_15747056 ? 2024-12-18 16:15 ? 次閱讀

12月17日消息,在于舊金山舉行的 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 上,全球晶圓代工巨頭臺積電公布了其備受矚目的2納米(N2)制程技術的更多細節,展示了該技術在性能、功耗和晶體管密度方面的顯著進步。

臺積電在會上重點介紹了其2納米“納米片(nanosheets)”技術。據介紹,相較于前代制程,N2制程在性能上提升了15%,功耗降低了高達30%,能效顯著提升。此外,得益于環繞式柵極(GAA)納米片晶體管和N2 NanoFlex技術的應用,晶體管密度也提高了1.15倍。N2 NanoFlex技術允許制造商在最小的面積內集成不同的邏輯單元,進一步優化了制程的性能。

通過從傳統的FinFET(鰭式場效應晶體管)技術過渡到專用的N2“納米片”技術,臺積電實現了對電流更有效的控制,使得制造商能夠根據不同的應用場景微調參數。納米片技術采用堆疊的窄硅帶結構,每條硅帶都被柵極包圍,相比FinFET技術,能夠實現更精確的電流控制。

與3納米及其衍生制程相比,臺積電的N2制程在性能上實現了顯著的提升。鑒于其明顯的代際改進,預計包括蘋果和英偉達在內的行業巨頭將大規模采用該制程。然而,伴隨性能提升的,是晶圓價格的上漲。據悉,N2制程晶圓的價格將比3納米制程高出10%以上。

審核編輯 黃宇

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