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美光科技推出業(yè)界首款PCIe 5.0 60TB數(shù)據(jù)中心SSD

Micron美光科技 ? 來源: Micron美光科技 ? 2024-12-20 09:06 ? 次閱讀
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美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)近日宣布已開始與客戶進行6550 ION NVMe SSD認證。美光6550 ION SSD是全球速率領先的60TB數(shù)據(jù)中心SSD,也是業(yè)界首款E3.S及PCIe 5.0的60TB SSD1。該產(chǎn)品延續(xù)6500 ION SSD獲獎的成功經(jīng)驗,提供業(yè)界領先的性能、能效、耐用性、安全性以及機架密度,適用于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。6550 ION SSD在處理大容量NVMe工作負載方面表現(xiàn)出眾,如網(wǎng)絡AI數(shù)據(jù)湖、數(shù)據(jù)攝入、數(shù)據(jù)準備與檢查、文件與對象存儲、公有云存儲,以及分析型數(shù)據(jù)庫和內容分發(fā)。

“美光6550 ION SSD在功耗僅為20瓦的情況下,實現(xiàn)了12GB/s的傳輸效率,為數(shù)據(jù)中心的性能和能效樹立了新的標桿。作為首款采用E3.S外形規(guī)格的60TB容量SSD,美光6550 ION SSD的能效比同類產(chǎn)品高出多達20%,以滿足AI工作負載對大容量和低功耗的迫切需求。”

美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲業(yè)務部門總經(jīng)理

——Alvaro Toledo

提供卓越的性能和能效

美光6550 ION是業(yè)界首款PCIe 5.0 60TB數(shù)據(jù)中心SSD,讀寫帶寬優(yōu)于同類競品。1同時,該產(chǎn)品也是業(yè)界首款支持OCP 2.5的60TB SSD,因采取主動狀態(tài)電源管理(ASPM),相較于L0狀態(tài)的5瓦用電量,硬盤在L1閑置模式下用電量僅需4瓦,閑置時的節(jié)能效率高達20%。美光6550 ION搭載的G8 NAND技術可帶來額外的功耗優(yōu)勢,該技術較市場上其他60TBSSD競品的NAND技術領先一至三代2,僅需20瓦即可達到其標注的性能。與競品60TB SSD相比,美光6550 ION SSD的領先之處包括:

●順序讀取速率提高 179%,每瓦讀取帶寬提升 179%3

●順序寫入速率提高 150%,每瓦讀取寬帶提升 213%3

●隨機讀取速率提高 80%,每瓦讀取IOPS提高 99%3

在關鍵AI訓練工作負載方面,6550 ION SSD較其他60TB SSD產(chǎn)品具備顯著優(yōu)勢:

●NVIDIAMagnum IO GPUDirectStorage(GDS)性能提升147%,能效提升104%4

深度學習IO Unet3D測試的4KB傳輸性能提升30%,能效提高20%5

●AI模型檢查點完成時間縮短151%,而競品能耗高達209%6

盡管容量高達61.44TB,美光6550 ION SSD仍可在3.4小時內完全寫入,相比競品所需時間縮短高達150%7。這使得硬盤重建和AI訓練集準備的速率更快,進而縮短部署時間、提高GPU利用率,并增強大容量NVMe SSD的存儲韌性。

縮小體積,提升數(shù)據(jù)中心效率

美光6550 ION SSD支持U.2、E1.S和E3.S三種外形規(guī)格,作為全球首款E3.S 60TB SSD,美光6550 ION SSD具備市場領先的密度,可減少機架儲存需求高達67%8。該產(chǎn)品具備業(yè)界領先的空間使用效率,每機架單位(U)9可存儲超過1.2PB的數(shù)據(jù)。通過采用配備20個E3.S SSD的1U高密度服務器,運營商可在單一機架內實現(xiàn)44.2PB的總存儲容量10。市場中常見的2U服務器可容納最多24個U.2 SSD,每機架僅提供26.5PB的存儲容量,而美光的解決方案將密度提高了67%。此外,與122.88TB U.2 SSD相比,美光6550 61.44TB E3.S SSD的每TB性能提升高達3.3倍11,使得服務器能夠縮小體積并得到大幅整合,從而優(yōu)化數(shù)據(jù)中心的空間和效率。

提升硬盤耐用性及安全性

美光6550 ION SSD在60TB SSD中提供業(yè)界領先的耐用性,以1.0隨機每日整盤寫入耐用性(RDWPD)計算,隨機寫入達16KB,耐用性較市場上同類60TB SSD高出42%。1此外,美光6550 ION SSD具備業(yè)界領先的安全功能組合,包括SPDM 1.2認證和SHA-512等。美光6550 ION SSD在多個制造基地同時生產(chǎn),以確保供應鏈韌性,并采用垂直集成架構,融合美光自產(chǎn)的DRAM、NAND、控制器和固件。

行業(yè)引語

“美光6550 ION SSD的推出,標志著數(shù)據(jù)密集型和新興AI應用領域的突破性進展。這一存儲技術的創(chuàng)新為我們提供了更高密度且節(jié)能的解決方案,助力客戶基礎設施實力的提升。AMD非常期待能與美光合作,通過最新的第五代Gen AMD EPYC處理器平臺推動生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。”

AMD數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)和解決方案企業(yè)副總裁

—— Raghu Nambiar

“VAST Data Platform作為統(tǒng)一數(shù)據(jù)平臺,在單一軟件解決方案內集成儲存、數(shù)據(jù)庫及計算功能,為客戶提供推動先進計算和AI轉型所需的能力。將VAST數(shù)據(jù)平臺軟件與美光6550 ION SSD相結合,將為客戶帶來高容量、高性能與高能效,滿足現(xiàn)代AI工作負載的嚴苛要求。”

VAST Data產(chǎn)品部門主管

——Tomer Hagay

“WEKA客戶在現(xiàn)有WEKA數(shù)據(jù)平臺和美光6500 ION SSD的部署中已取得卓越成果。我們預計新推出的美光6550 ION SSD能憑借更高的性能密度與能效,為企業(yè)在AI環(huán)境下創(chuàng)造更多價值。美光6550 ION SSD憑借61.44TB的大容量,可助力我們的客戶在無需妥協(xié)性能的前提下,部署高機架密度的AI基礎設施解決方案。”

WEKA首席產(chǎn)品官

——Nilesh Patel

美光6550 ION SSD現(xiàn)已在全球范圍內出樣。同時,它也是美光業(yè)界領先的數(shù)據(jù)中心SSD存儲產(chǎn)品組合的一部分。

1與競品相比,美光6550 ION SSD容量高達61.44TB。對比基于6550 ION SSD發(fā)布時從公開渠道獲得的競品信息,美光6550 ION SSD及某競品SSD最大功耗為20瓦,而其他競品SSD最大功耗則為25瓦,因此可歸納出6550 ION SSD最大功耗較競品降低了20%。

2依據(jù)6550 ION SSD發(fā)布時從公開渠道獲得的競品信息,如腳注1所述,參與對比的61.44TB SSD基于業(yè)界第七代或更早期NAND閃存技術。

3基于該新聞稿發(fā)布時的公開信息,順序讀寫性能依據(jù)128KB傳輸大小與128隊列深度測得,競品每瓦讀寫帶寬根據(jù)公布的最大功耗值下的順序帶寬評級計算得出,隨機讀寫性能則基于4KB傳輸尺寸得出。

4由美光工程團隊進行測試,美光6550 ION SSD功耗上限為20瓦,競品功耗上限為25瓦,使用4KB傳輸尺寸及256 GDSIO時,測得性能提升147%。能效基于實測性能與SSD功耗數(shù)據(jù)。

5由美光工程團隊進行測試,美光6550 ION SSD功耗上限為20瓦,Solidigm D5-P5336功耗上限為25瓦。測試依據(jù)Unet3D基準,結合三項H100模擬加速器,針對4KB傳輸尺寸條件下的SSD性能與能效進行測量,并記錄相應的SSD耗電量。

6由美光工程團隊進行測試,美光6550 ION SSD功耗上限為20瓦,Solidigm D5-P5336功耗上限為25瓦。DLIO檢查點工作負載基于Llama3 405B參數(shù)LLM模型仿真的8 GPU服務器,檢查數(shù)據(jù)尺寸為415GB。

7基于該新聞稿發(fā)布時的公開信息,以100%的128KB順序寫入性能為基準進行計算。

8系統(tǒng)比較使用1U的20插槽SSD E3.S服務器,對比2U的24插槽U.2服務器。截至該新聞稿發(fā)布時,尚無競品推出E3.S外形規(guī)格的61.44TB容量SSD。

9使用美光61.44TB E3.S硬盤,同時每機架單位配置20個SSD。

10假設有36個機架單位可用于部署服務器/存儲系統(tǒng),用于計算機架的儲存容量。

11依據(jù)Anand Tech網(wǎng)站信息,并假定其他122.88TB SSD具備相似性能。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:美光首創(chuàng)E3.S封裝60TB SSD,能效高達67%

文章出處:【微信號:gh_195c6bf0b140,微信公眾號:Micron美光科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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