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32768晶振全系列技術詳解(32768晶振誤差與32768用于BLE)

HsY5_chiphome_d ? 2018-02-27 05:25 ? 次閱讀

這是某電力產品的一個真實案例:一批電計量產品存在倉庫沒上線,剛好南方天濕氣重PCB上凝露,出現大量32768停振情況。所以今天我們要跟大家分享的就是32768晶振,后面我們還會提到幾個相關的案例和注意事項。

一張圖看盡石英晶振家族

圖片中已經對Tuning Fork(音叉)圈出來了!這就是今天要說的32768晶振的本質。壓電效應、諧振、泛音這些基礎性的名詞此處不再贅述,不會的可以自行問度娘。

音叉不僅僅是個學名,而是真實的存在的結構(圖中叉形部分就是切割好的石英)。

看完這個結構,后面講到一個案例(生產中32768大量損壞)時就容易理解了。

32768晶振要求配15pF電容嗎?

認真的說,這是一個經常出現的設計誤區,包括網上很多關于32768晶振的問答

我讀書時(忽略我的年紀)也確實這樣做的:去電子市場買來32768晶振,參照別人的原理圖配上15pF,22pf的電容就直接用。現在來看,這只是入門級的經驗值而已。

比如,同樣是日本KDS品牌的2*6封裝的32768晶振,就有兩種負載電容:

DT-26 32.768kHz 6PF 10PPM

DT-26 32.768kHz 12.5PF 10PPM

負載電容(英文符號CL或者CLoad)是2部分構成的:一部分是焊接的物料/實際電容,另一部分是PCB走線、焊盤引起的寄生電容/雜散電容Cstray (一般2-5pF)。

至此,已經解決了一部分人的疑惑:哦,原來晶振datasheet中的負載電容參數,并不是我要貼的電容值。

計算公式和圖示如下:

你也許會有疑問:我用的MCU原廠提供的參考設計,根本就沒有圖中的RD和RF

是的!沒錯!RD在目前流行的MCU中很少見。RF有少部分MCU或者IC還在用。

振蕩波形發生畸變、削峰時,可使用RD(幾十K到幾百K)。

RF常見采用1M歐姆,一般參照IC的datasheet,跟IC設計/內部驅動有關。

問題來了:我見過有的單片機接了32768晶振,但是沒接負載電容的,是有這種情況嗎?

答案是肯定的,因為有的IC可以配置選用內部的負載電容,比如TiMSP430x2xxx系列,內部配備了1pF,6pF,10pF,12.5pF四檔負載電容可選。

32768晶振誤差有多大?

晶振的誤差用PPM(百萬分之一)來表示,誤差由三部分構成:出廠誤差,溫度漂移,以及年老化率。

出廠誤差:一般是出廠前篩選控制一個范圍出來,比如±10PPM;

溫度漂移:如圖,32768晶振有個典型的溫度曲線;

年老化率:這個是很容易被忽視的參數,但是關系到產品使用的壽命,比如RF通信中如果使用劣質晶振、隨時間漂移較大,幾年后可能就通信不上了(特別是窄帶通信)。

這里也提到另外一個問題,就是前面圖中負載電容部分使用的2個電容CD和CG,通過微調這2個電容,可以微調晶振的頻率。在要求高的設計中,一般建議采用性能最穩定C0G (EIA標準,美國電工協會)或者NP0(美國軍用標準MIL)材質。

32768晶振誤差怎樣補償?

時鐘要求不高的普通的消費電子應用,32768晶振其實不用補償。有個例外,隨著智能手機的普及,BLE現已經廣泛的應用于消費電子,但是它的32768晶振部分還是要好好設計和控制的(后面會提到)。

從圖片的幾個典型值來看,30個PPM每天漂不到3秒鐘嘛,有必要補償嗎?

做國網電表的朋友肯定不會這樣想,因為標準要求時鐘誤差小于每天0.5秒。這其實是一個頭疼事,因為這就要求出廠誤差加溫漂控制到小于5PPM。解決方案有兩個:

一、SoC方案,要求主控MCU配備支持誤差修正的RTC模塊以及溫度采集。TI的msp430系列,部分型號帶有RTC模塊,支持寫入校準值和溫度補償值。鉅泉計量MCU,HT6xxx中也配備了帶補償的RTC模塊,如圖介紹。

二、使用外部已經做了溫度修正的晶振模塊,eg. ST的M41TC8025,EPSON的RX-8025T等等。

32768用于BLE

BLE低功耗藍牙技術,隨著iphone4S的熱賣得到了極大的推廣。

BLE低功耗的實現原理:絕大部分時間從機保持超低功耗休眠,包括關掉RF使用的高頻晶振(TI cc254x系列的32M,cypress BLE芯片的24M),間歇性的打開RF握手通信,保持鏈路的正常連接狀態。劃重點,這個時間間隔就是靠32768晶振來實現的。遇到過多家實際案例,如果這個晶振沒有做品質控制,就很容易出現超時斷開。

例如,cypress PSoC datasheet中就支持軟件配置來補償這個休眠時鐘:

在TI芯片中也有類似的機制。

當然,這不是哪家芯片廠自己想出來的;追根溯源,這個在bluetooth官方的specification中有明確的要求和約定。

32768晶振案例、設計、生產注意事項

A、注意手冊中的精度參數、負載電容、ESR等指標。

B、插件封裝的32768晶振,有人喜歡外殼焊接接地。如果手工焊接,烙鐵溫度過高或者焊接時間太長,很容易造成晶振的永久性損壞。這個也是真實的生產案例。

C、文章開頭,南方天潮濕的這個案例中,晶振區域、相關引腳一定要涂三防漆保護。

D、超聲波焊接塑膠外殼,非常容易引起32768晶振的損壞(頻率接近,超聲波引起晶振內音叉共振),這種真實案例也很多,切記!切記!

E、PCB layout中晶振布局和走線。網上也有,不多講,此處只給出幾個參考設計。

F、晶振、精密運放等器件,經常是怕焊錫膏的。原因是什么?焊錫膏等對弱信號是有影響的。我們也有多個生產后測試不良(清洗后板子后工作正常)的案例。

CAMBRIDGE UNIVERSITY書中的幾個振蕩電路賞析

歡迎各位在留言區發表不同的觀點跟我們一起探討。


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