日前,長飛先進武漢基地項目首批設備正式搬入。
長飛先進武漢基地聚焦第三代半導體功率器件研發與生產,總投資預計超過200億元,其中項目一期總投資80億元,規劃年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。
對于半導體行業而言,廠房建設一般主要分為四個階段:設備選型、設備搬入、工藝驗證及產品通線。
2023年8月25日,長飛先進半導體第三代半導體功率器件研發生產基地落戶武漢新城;7天后,項目正式啟動建設。今年6月,主體結構全面封頂。從打下第一根樁到實現結構封頂,廠房建設耗時不到10個月,創造了百億級投資項目建設新速度。
本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環節,包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等,將為武漢基地構建全鏈條生產能力、加速通線量產奠定堅實根基。
JINGYANG
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審核編輯 黃宇
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