2024年，面對充滿挑戰且不確定的市場環境，英飛凌始終秉持創新驅動技術領先的原則，不斷突破技術與產品性能的邊界，接連推出了多款重量級產品。今日，小編帶你一起盤點2024年的高光時刻。

全新2000V CoolSiC MOSFET和二極管，

業界首發

作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiC MOSFET 2000V采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統。與1700V SiC MOSFET相比，這些器件還能為1500 VDC系統的過壓提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基準柵極閾值電壓為4.5V，并且配備了堅固的體二極管來實現硬換向。憑借.XT連接技術，這些器件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。該系列得益于其較低的開關損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統和電動汽車充電應用。最新推出的采用TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC肖特基二極管2000V G5系列與其完美適配。目前，該系列產品以及相應的評估板均已上市。

新一代碳化硅技術CoolSiC MOSFET G2，

達到業界單芯片最大功率密度

英飛凌全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V G2技術，在確保質量和可靠性的前提下，相較于上一代產品，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）優化了20%，進一步提升了整體能效。采用的.XT技術將芯片的瞬態熱阻降低了25%甚至更高。與傳統的鍵合技術相比，.XT技術不僅使芯片性能提升了15%，還將其使用壽命延長了80%。CoolSiC MOSFET G2的最大工作結溫從175攝氏度提升到200攝氏度，這一改進進一步增強了產品的堅固耐用性，并為用戶提供了更大的設計靈活性，使在過載條件下的開發設計成為可能。

最新推出的1200V CoolSiC MOSFET G2 TO-263-7封裝以及TO-247-4-HC封裝，分別實現了7毫歐和8毫歐的超低導通電阻，達到業界單芯片最大功率密度的領先水平。在達到最高功率密度和最低導通電阻的同時，CoolSiC MOSFET G2還保證2uS的短路耐受時間。CoolSiC MOSFE新一代G2技術繼續發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率，為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了巨大優勢。

高性能CIPOS Maxi智能功率模塊，

適用于功率高達4千瓦的工業電機驅動器

高性能CIPOS Maxi智能功率模塊IM12BxxxC1系列基于最新的 TRENCHSTOP IGBT7 1200V和快速二極管EmCon 7技術，具有卓越的控制能力和性能，大大提高了效率和功率密度。采用的DIP 36x23D封裝，提高可靠性、并優化PCB尺寸，降低系統成本，使其成為1200V IPM的最小封裝，在同類產品中具有最高功率密度和最佳性能。隔離式雙列直插模制外殼的設計，具有出色的熱性能和電氣隔離性能，滿足苛刻設計的EMI和過載保護要求。憑借其多功能引腳，這款IPM可為各種用途提供高度的設計靈活性。該產品組合三款新產品已全部上市，電流規格從10A到20A不等，輸出功率最高可達4.0kW，適用于電機驅動、泵、風扇、熱泵以及供暖、通風和空調用室外風扇等中低功率驅動器應用。

全新4.5kV XHP 3 IGBT模塊，

讓驅動器實現尺寸小型化和效率最大化

為了順應小型化和集成化的全球趨勢，XHP系列包括一款帶有一個發射極控制續流二極管和TRENCHSTOP IGBT4 450A半橋IGBT模塊，以及一款帶有發射極控制E4二極管的450A二極管半橋模塊。這兩個模塊的絕緣電壓均提高至10.4kV。通過將模塊并排放置的創新設計，簡化了并聯設計，使得模塊在并聯時只需要一個直流母線即可實現，有助于在不降低效率的情況下簡化并聯并且縮小尺寸，減少元器件的使用數量。目前，兩種型號的IGBT模塊FF450R45T3E4_B5和DD450S45T3E4_B5現已上市，適用于2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸的應用市場。

新型固態隔離器iSSI系列，

切換速度更快，功耗降低高達70%

全新固態隔離器產品iSSI產品系列可實現更快速、可靠的電路交換，并擁有光電固態所不具備的保護功能。這些隔離器采用無磁芯變壓器技術，支持高20倍的能量傳輸的同時，還具備了電流和溫度保護功能，實現更高的可靠性和更低的成本。與目前使用的傳統的固態隔離器驅動SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固態隔離器可驅動英飛凌的OptiMOS和CoolMOS，其功耗降低高達70%，進一步提高電子和機電系統的效率，適用于先進電池管理、儲能、可再生能源系統，以及工業和樓宇自動化系統應用。

新型EiceDRIVER Power全橋變壓器

驅動器系列，適用于結構緊湊、經濟高效

的柵極驅動器電源

EiceDRIVER Power 2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列采用具有功率集成技術和多項優化功能的緊湊型TSSOP8引腳封裝，可產生非對稱輸出電壓，通過獨特的占空比調整功能，專為非對稱式柵極驅動器電源進行了優化。該系列支持最高20V寬輸入電壓范圍，還集成了溫度、短路和欠壓鎖定（UVLO）保護以防止意外系統故障，適用于需要隔離式柵極驅動器的工業和消費類應用，包括太陽能應用、電動汽車充電、儲能系統、焊接、不間斷電源、驅動應用等。目前，該系列四個型號均已上市：2EP100R和2EP101R專為IGBT和SiC MOSFET柵極驅動器電源的低元件數設計進行了優化；2EP110R允許對占空比進行微調，使輸出電壓比與SiC和GaN功率開關的應用要求相匹配；2EP130R專為高度靈活的設計進行了優化，以滿足不同的應用要求。