聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
峰值電流
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
119瀏覽量
12120 -
柵極驅(qū)動器
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
844瀏覽量
39393
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
新品 | EiceDRIVER? 6.5A 5.7 kVrms單通道柵極驅(qū)動器1ED314xMC12H
新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS單通道柵極驅(qū)動器1ED314xMC12HEiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器,具有6.5A

柵極驅(qū)動器的定義和結(jié)構(gòu)
柵極驅(qū)動器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件,主要用于增強場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制器能夠更好地控制這些
光兼容隔離式柵極驅(qū)動器的輸入電阻選擇指南
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光兼容隔離式柵極驅(qū)動器的輸入電阻選擇指南.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-14 09:41
?0次下載

峰值電流模式降壓LED驅(qū)動器應(yīng)用的環(huán)路響應(yīng)考慮
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《峰值電流模式降壓LED驅(qū)動器應(yīng)用的環(huán)路響應(yīng)考慮.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-25 14:27
?0次下載

了解并比較柵極驅(qū)動器的峰值電流能力技術(shù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解并比較柵極驅(qū)動器的峰值電流能力技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-13 10:45
?0次下載

技術(shù)分享 柵極驅(qū)動器及其應(yīng)用介紹
一、柵極驅(qū)動器介紹
1)為什么需要柵極驅(qū)動器?
2)功率器件開關(guān)過程介紹
3)三種常見驅(qū)動芯片介紹
二、隔離方案介紹
1)為什么需

如何為直流電機驅(qū)動器選擇柵極驅(qū)動器
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何為直流電機驅(qū)動器選擇柵極驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-02 11:50
?0次下載

碳化硅柵極驅(qū)動器的選擇標準
利用集成負偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動在設(shè)計電動汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動器和泵等高功率應(yīng)用時,系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因為與 IGBT 相比,SiC 技術(shù)具有更

柵極驅(qū)動器是什么?柵極驅(qū)動器有什么用?
柵極驅(qū)動器(Gate Driver)是一種電路,其主要功能在于增強場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。
什么是柵極驅(qū)動器?柵極驅(qū)動器的工作原理
的信號轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來控制MOSFET或IGBT的柵極,從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅(qū)動器在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色,廣泛應(yīng)用于電機控制、逆
替代LTC4449高速同步N道溝MOSFET柵極驅(qū)動器
1.?產(chǎn)品特性 ??15ns 典型傳播延遲 ??5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配 ??軌至軌柵極驅(qū)動 ??自適應(yīng)死區(qū)和直通保護 ??3A 峰值拉電流和

柵極驅(qū)動器的選型標準是什么
起著至關(guān)重要的作用。選型標準是確保柵極驅(qū)動器能夠滿足特定應(yīng)用需求的關(guān)鍵因素。以下是一篇詳盡、詳實、細致的關(guān)于柵極驅(qū)動器選型標準的文章。 ### 引言
柵極驅(qū)動器芯片的原理是什么
介紹柵極驅(qū)動器芯片的原理、結(jié)構(gòu)、功能和設(shè)計要點。 ### 1. 柵極驅(qū)動器芯片的基本原理 柵極驅(qū)動器
柵極驅(qū)動器芯片有哪些作用
柵極驅(qū)動器芯片有哪些作用 柵極驅(qū)動器芯片在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們主要用于控制功率晶體管、MOSFETs(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和IGBTs(絕緣柵雙極晶體管)
評論