特瑞仕半導體株式會社(日本東京都中央區 董事總經理:木村 岳史,以下簡稱“特瑞仕”)開發了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作為功率器件的新系列。
近年來,工業設備和汽車相關設備對低功耗、小型化和高效化的需求不斷增加。為了響應這些市場需求,特瑞仕不斷加強MOSFET技術。特別是針對工業設備、數據中心和服務器使用的48V直流電機,采用了支持耐壓100V的設計,兼具高性能與高性價比。
XPJ101N04N8R實現了最大4.4mΩ的導通電阻,而XPJ102N09N8R實現了最大9.4mΩ的導通電阻。這種低導通電阻能夠有效降低能量損失,有助于提高整個系統的效率。該產品擁有出色的FOM(Figure of Merit),非常適合需要高速切換特性的應用。可用于直流電機、開關電路等多種應用場景。
產品采用DFN5060-8L封裝(6.0 x 4.9 x h1.1mm),有助于設備的小型化。此外,這些產品符合歐盟RoHS指令,并為無鉛環保產品。
產品名 | 封裝 | VDSS | ID(A) | RDS(ON)(MAX.) |
---|---|---|---|---|
XPJ101N04N8R | DFN5060-8L | 100 | 122 | 4.4mΩ |
XPJ102N09N8R | DFN5060-8L | 100 | 59 | 9.4mΩ |
關于特瑞仕半導體株式會社
特瑞仕半導體株式會社(總公司:東京、東證第一部: 6616)從 1995年設立以來,作為國內唯一的模擬電源IC的專業廠家,以「Powerfully Small」為產品制造追求的目標,提供增加客戶產品的附加值的世界最小級的高效率模擬電源IC以及可以加快客戶產品開發的電源設計方案。
特瑞仕的產品以國內為首,通過海外6家分公司7處銷售點銷往世界各地,被廣泛用于工業機器,汽車用品,通信,電腦產品,穿戴電子等市場。
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7208瀏覽量
213752 -
封裝
+關注
關注
127文章
7960瀏覽量
143155 -
特瑞仕
+關注
關注
0文章
27瀏覽量
8537
原文標題:低導通電阻、高速切換 功率器件N溝道MOSFET產品線擴充XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R
文章出處:【微信號:gh_454737165c13,微信公眾號:Torex產品資訊】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
ADS131E04或者06芯片,IN5P~IN8P及IN5N~IN8N這些引腳需要如何處理?
ESP32-S3-DevKitC-1-N8R8燒錄提示內存不足,為什么?
ESP32-S3-WROOM-1(N8R8)是否需要連接外圍40MHz晶振?
ESP32-WROVER-E-N4R8和ESP32-WROOM-32E-N4R2內部封裝的電壓要求是什么?
1A,700V N溝道功率MOSFET UTC1N70-LC數據手冊
N溝道40 V,2.6 mOhm,160 A邏輯電平MOSFET PSMN2R5-40YLB數據手冊
![<b class='flag-5'>N</b>溝道40 V,2.6 mOhm,160 A邏輯電平<b class='flag-5'>MOSFET</b> PSMN2<b class='flag-5'>R</b>5-40YLB數據手冊](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
N溝道40 V,2.2 mOhm,180 A標準電平MOSFET PSMN2R2-40YSB數據手冊
![<b class='flag-5'>N</b>溝道40 V,2.2 mOhm,180 A標準電平<b class='flag-5'>MOSFET</b> PSMN2<b class='flag-5'>R</b>2-40YSB數據手冊](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
N溝道40 V,2.1 mOhm,180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數據手冊
![<b class='flag-5'>N</b>溝道40 V,2.1 mOhm,180 A邏輯電平<b class='flag-5'>MOSFET</b> PSMN2<b class='flag-5'>R</b>0-40YLB數據手冊](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
N溝道40 V,1.9 mOhm,200 A標準電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數據手冊
![<b class='flag-5'>N</b>溝道40 V,1.9 mOhm,200 A標準電平<b class='flag-5'>MOSFET</b> PSMN1<b class='flag-5'>R</b>9-40YSB數據手冊](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
N溝道40 V,1.8 mOhm,200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數據手冊
![<b class='flag-5'>N</b>溝道40 V,1.8 mOhm,200 A邏輯電平<b class='flag-5'>MOSFET</b> PSMN1<b class='flag-5'>R</b>7-40YLB數據手冊](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
N溝道40 V,2.8 mOhm,160 A標準電平MOSFET PSMN2R8-40YSB數據手冊
![<b class='flag-5'>N</b>溝道40 V,2.8 mOhm,160 A標準電平<b class='flag-5'>MOSFET</b> PSMN2<b class='flag-5'>R8</b>-40YSB數據手冊](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
N溝道MOSFET CCPAK1212包PSMN1R0-100ASF目標數據表
![<b class='flag-5'>N</b>溝道<b class='flag-5'>MOSFET</b> CCPAK1212包PSMN1<b class='flag-5'>R</b>0-100ASF目標數據表](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
評論