根據(jù)[霍爾效應(yīng)]原理制成的高斯計(jì)在測(cè)量磁場(chǎng)中，有著廣泛的應(yīng)用。高斯計(jì)對(duì)磁場(chǎng)測(cè)量的準(zhǔn)確度一般在5%-0.1%，但不同的設(shè)備，或同型號(hào)的設(shè)備，不同的探頭，或同一支探頭的不同側(cè)面，去測(cè)量同一磁體表面，同一位置的磁場(chǎng)時(shí)，顯示的結(jié)果大不一樣，誤差大者甚至超過(guò)20%。

除了人為及環(huán)境因素干擾外，還有哪些因素影響磁場(chǎng)測(cè)量的準(zhǔn)確度？

原因一：霍爾探頭芯片有源區(qū)相對(duì)測(cè)試點(diǎn)的位置差異

其一是不同探頭內(nèi)霍爾芯片的安裝位置不同。在磁場(chǎng)測(cè)量時(shí)，雖然位置不變，但內(nèi)部霍爾芯片感受到的并不是同一位置的磁場(chǎng)，所以測(cè)量結(jié)果可能因位置的不同而有所差異。

其二是探頭內(nèi)部霍爾芯片的尺寸。不同型號(hào)的霍爾探頭內(nèi)，所封裝霍爾芯片的有源區(qū)尺寸及有源區(qū)到芯片封裝表面的距離不同，有源區(qū)尺寸較大的霍爾芯片，適用于測(cè)量平均磁場(chǎng)強(qiáng)度。有源區(qū)小的霍爾芯片就則能更好的反映表面磁場(chǎng)的分布以及微小磁場(chǎng)區(qū)域特性，所測(cè)到的峰值也更接近該區(qū)域的[最大磁感應(yīng)強(qiáng)度]實(shí)際值。

原因二：霍爾芯片的非線性度

霍爾芯片存在非線性度的影響，造成了測(cè)量低磁場(chǎng)和測(cè)量高磁場(chǎng)時(shí)的準(zhǔn)確度有差異，需要通過(guò)采用高線性度的霍爾芯片，和采用高斯計(jì)內(nèi)部非線性修正采集的數(shù)值。

總的來(lái)說(shuō)，探頭內(nèi)[霍爾芯片]的尺寸、封裝結(jié)構(gòu)及非線性度對(duì)磁場(chǎng)測(cè)量的準(zhǔn)確度起著關(guān)鍵的作用。在實(shí)際應(yīng)用中，選擇合適尺寸和類(lèi)型的探頭，是確保磁場(chǎng)測(cè)量準(zhǔn)確性的關(guān)鍵。湖南永磁測(cè)控旗下霍爾探頭有多種型號(hào)可選，還可根據(jù)產(chǎn)品進(jìn)行定制，測(cè)量精度更高，是磁場(chǎng)測(cè)量必備元件，有需要可聯(lián)系我們哦！

審核編輯 黃宇