傾佳電子楊茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢！

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傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

數(shù)據(jù)中心采用高壓直流（HVDC）供電系統(tǒng)相比傳統(tǒng)不間斷電源（UPS）具有多方面的優(yōu)勢，具體如下：

1. 效率更高

轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)簡化：HVDC系統(tǒng)僅需將交流電整流為直流電，省去了UPS中交流-直流-交流的逆變環(huán)節(jié)，減少了能量損耗。

低負(fù)載優(yōu)勢明顯：在低負(fù)載情況下，HVDC的效率優(yōu)勢更為突出，其運(yùn)行效率通常可達(dá)96%以上，甚至在離線模式下可達(dá)到97%以上。

2. 可靠性更高

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單：HVDC采用直流供電，避免了UPS中復(fù)雜的逆變器和并機(jī)設(shè)計(jì)，減少了故障點(diǎn)。

電池管理優(yōu)化：HVDC的電池與電源并聯(lián)，采用精細(xì)化管理，對電池壽命和可用性更友好。

快速切換能力：在市電中斷時(shí)，HVDC能夠快速切換到備用電源，保障設(shè)備持續(xù)供電。

3. 成本更低

設(shè)備成本：HVDC設(shè)備省去了逆變器等復(fù)雜部件，設(shè)備成本較低。

運(yùn)維成本：由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，HVDC的運(yùn)維成本也相對較低。

占地面積：HVDC系統(tǒng)集成度高，占地面積小，可節(jié)省60%-80%的空間，從而降低建設(shè)成本。

4. 靈活性和可擴(kuò)展性更強(qiáng)

模塊化設(shè)計(jì)：HVDC采用模塊化設(shè)計(jì)，可以根據(jù)需求靈活擴(kuò)容，擴(kuò)容過程簡單，不需要復(fù)雜的同頻同相要求。

適應(yīng)高功率密度：隨著數(shù)據(jù)中心算力需求的提升，HVDC能夠更好地支持高功率密度的服務(wù)器和高算力集群。

5. 未來發(fā)展趨勢更優(yōu)

高電壓輸出：新一代HVDC系統(tǒng)輸出電壓不斷提升（如750V、1000V），進(jìn)一步提高供電效率。

與清潔能源結(jié)合：HVDC系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活，能夠更好地與可再生能源（如太陽能、風(fēng)能）結(jié)合，促進(jìn)數(shù)據(jù)中心的可持續(xù)發(fā)展。

HVDC在效率、可靠性、成本、靈活性等方面均優(yōu)于傳統(tǒng)UPS，尤其在高功率密度和大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用中更具優(yōu)勢。

1. 系統(tǒng)需求與拓?fù)溥x擇

目標(biāo)功率：50kW，輸出電壓380V HVDC，效率≥95%。

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：

前端：三相全橋整流器（PFC），實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)（PF>0.99）與AC/DC轉(zhuǎn)換。

后端：LLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)隔離與電壓穩(wěn)定。

優(yōu)勢：碳化硅MOSFT高頻特性適配維也納整流器的高頻需求（50-100kHz），降低無源器件體積，提升功率密度。

2. 關(guān)鍵器件選型與參數(shù)驗(yàn)證

模塊型號：BMF240R12E2G3（1200V/240A，RDS(on)=5.5mΩ@25°C）。

電壓/電流適配性：

輸入電壓：三相380V AC，整流后DC母線電壓約540V。

輸出電流：50kW/380V≈131.6A，考慮冗余后設(shè)計(jì)電流150A。

模塊能力：單個(gè)模塊連續(xù)電流240A（80°C），可單模塊覆蓋單橋臂需求，無需并聯(lián)。

3. 損耗與散熱設(shè)計(jì)

導(dǎo)通損耗：

RDS(on)@175°C≈7mΩ（數(shù)據(jù)），電流有效值100A（按占空比50%計(jì)）。

單模塊導(dǎo)通損耗：1002×0.007×0.5=35W1002×0.007×0.5=35W。

開關(guān)損耗：

Eon+Eoff=0.37mJ+0.492mJ=0.862mJ（規(guī)格書參數(shù)）。

開關(guān)頻率50kHz時(shí)，單模塊開關(guān)損耗：0.862×50=43.1W0.862×50=43.1W。

總損耗：單模塊≈78W，6模塊總損耗≈468W。

散熱設(shè)計(jì)：

熱阻Rth(j-c)=0.09K/W，結(jié)溫升：78×0.09≈7°C78×0.09≈7°C。

環(huán)境溫度50°C時(shí)，結(jié)溫≤57°C（遠(yuǎn)低于175°C極限），需強(qiáng)制風(fēng)冷或液冷（推薦液冷以應(yīng)對數(shù)據(jù)中心高密度散熱）。

4. 系統(tǒng)保護(hù)與可靠性

過流/過壓保護(hù)：利用模塊內(nèi)置NTC（5kΩ@25°C，B值3375K）實(shí)時(shí)監(jiān)測溫度，結(jié)合驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)關(guān)斷。

隔離與安規(guī)：

模塊隔離電壓3000V，爬電距離11.5mm，滿足IEC 61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)。

采用Si3N4陶瓷基板，支持高功率循環(huán)（圖3/4驗(yàn)證高溫穩(wěn)定性）。

5. 機(jī)械與布局設(shè)計(jì)

封裝適配：模塊Press-FIT技術(shù)確保低接觸電阻，PCB需設(shè)計(jì)3.2mm引腳網(wǎng)格（規(guī)格書Page 10）。

結(jié)構(gòu)布局：

三相橋臂對稱布局，減少寄生電感。

散熱基板與液冷板集成，熱阻≤0.1K/W（模塊與散熱界面需涂抹2W/mK導(dǎo)熱硅脂）。

6. 效率與成本優(yōu)化

高頻優(yōu)勢：50kHz開關(guān)頻率下，磁性元件（電感/變壓器）體積減少30%，整體功率密度＞1kW/L。

成本對比：碳化硅系統(tǒng)雖初期成本高（模塊單價(jià)約硅基3倍），但節(jié)省散熱與無源器件成本，全生命周期成本降低15%。

7. 測試驗(yàn)證要點(diǎn)

效率測試：滿載效率≥96%（實(shí)測AC-DC段效率98%，DC-DC段98.5%）。

EMC測試：符合CISPR 32 Class B標(biāo)準(zhǔn)，高頻噪聲需優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)電阻（圖14/16指導(dǎo)RG選型）。

高溫老化：在85°C環(huán)境連續(xù)運(yùn)行72小時(shí)，結(jié)溫波動(dòng)＜5°C（依賴NTC閉環(huán)控制）。

設(shè)計(jì)總結(jié)

采用BMF240R12E2G3模塊的50kW HVDC系統(tǒng)，通過三相全橋整流+LLC拓?fù)?/strong>實(shí)現(xiàn)高效率（＞96%）、高功率密度與低溫升。關(guān)鍵優(yōu)勢包括：