H6801 芯片關鍵參數匯總
類別 參數細節
輸入電壓范圍 2.7V ~ 25V（工作范圍）；啟動電壓低至2.5V
輸出電壓范圍 可調輸出，最高36V（需外部反饋電阻設置）
工作模式 自動切換PWM/PFM/Burst模式，輕載效率優化
開關頻率 固定390kHz，支持抖頻技術（降低EMI）
轉換效率 >95%（典型值，取決于外圍設計）
待機功耗 EN拉低時，關機電流<2μA
保護功能 輸入過壓保護（OVP: 25.2V）、過流保護（OCP）、過溫保護（OTP）
封裝形式 ESSOP-10，底部散熱片連接GND，優化散熱
LDO供電 內置40V LDO，增強系統穩定性
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引腳功能定義（ESSOP-10封裝）
引腳號 名稱 功能描述
1 VIN 電源輸入，需就近接濾波電容
2 EN 使能端：高電平（≥2V）工作；低電平（≤0.4V）關機
3 SS 軟啟動控制，外接電容設置啟動時間（避免浪涌電流）
4 FB 反饋端，接電阻分壓網絡調節輸出電壓（公式：Vout = 0.8V × (1 + R1/R2)）
5 COMP 補償網絡，連接RC電路穩定環路
6 GND 功率地，需低阻抗連接至散熱銅箔
7-8 SW 開關節點，連接電感與肖特基二極管
9-10 NC 空腳
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保護功能詳細規格
1. 輸入過壓保護（OVP）
o 觸發閾值：25.2V ±5%
o 動作：停止升壓，SW端關斷，直至輸入電壓恢復至正常范圍。
2. 過流保護（OCP）
o 峰值電流限制：通過外部電感及MOSFET參數設定（需計算電感飽和電流）。
3. 過溫保護（OTP）
o 關斷溫度：150°C（典型值）
o 恢復溫度：125°C（滯后設計，防止振蕩）。
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設計注意事項
1. 電感選型
o 建議使用4.7~22μH飽和電流充足的電感，如鐵硅鋁磁芯材質，降低高頻損耗。
2. 二極管選擇
o 必須采用40V以上肖特基二極管（如SS34），以減小反向恢復損耗。
3. EMI優化
o 利用抖頻特性，布局時減小SW節點環路面積，必要時添加RC snubber電路。
4. 散熱設計
o PCB底部鋪設GND銅箔并增加過孔，利用芯片散熱片提升熱性能。
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典型應用電路示例
12V輸入 → 24V/2A輸出
? 反饋電阻：R1=28.7kΩ, R2=1kΩ（Vout=0.8×(1+28.7/1)=24V）
? 電感：10μH/5A（推薦Coilcraft MSS1048）
? 輸出電容：47μF陶瓷電容（X7R）+ 100μF電解電容（低ESR）
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應用場景擴展設計
? 太陽能供電系統：搭配MPPT算法控制器，輸入側增加TVS管防止浪涌。
? LCD背光驅動：FB端疊加PWM信號實現調光（需隔離電容避免干擾反饋）。
? 音頻功放電源：輸出級并聯高頻濾波電容（0.1μF陶瓷電容）抑制開關噪聲。
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效率曲線參考
負載條件 效率（典型值）
輕載（10mA） 82% (PFM模式)
中載（500mA） 93% (PWM模式)
重載（2A） 96%
電路原理圖

審核編輯 黃宇