近日，環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對(duì)SiC的市場(chǎng)預(yù)期仍較為保守，但2026年的前景似乎更為樂觀。

報(bào)道指出，2024年市場(chǎng)供過于求影響全球SiC行業(yè)，價(jià)格跌破生產(chǎn)成本，擾亂了全球供應(yīng)鏈。徐秀蘭透露，價(jià)格已暴跌超過50%，達(dá)到前所未有的低點(diǎn)。盡管6英寸SiC襯底價(jià)格現(xiàn)已穩(wěn)定，但短期內(nèi)復(fù)蘇尚不明顯。

此前有消息稱，白宮正尋求重新談判美國《芯片和科學(xué)法案》的獎(jiǎng)項(xiàng)，并已暗示將推遲一些即將到來的半導(dǎo)體撥款。

對(duì)此，徐秀蘭表示，目前沒有收到芯片法案補(bǔ)助要改變的通知，環(huán)球晶會(huì)持續(xù)進(jìn)行全球化，在當(dāng)?shù)毓?yīng)硅晶圓是既定方向。該公司從2022年投入興建美國新廠，至今計(jì)劃沒有改變，與美國政府希望的方向應(yīng)當(dāng)是不謀而合，可以在地供應(yīng)美國廠商先進(jìn)制程、硅光子或機(jī)器人應(yīng)用需要的硅晶圓。

在設(shè)備端，徐秀蘭表示，碳化硅長晶設(shè)備與切割、研磨、拋光等加工設(shè)備的技術(shù)也在不斷進(jìn)步。新型長晶設(shè)備能夠提高碳化硅晶體的生長速度和質(zhì)量，而先進(jìn)的加工設(shè)備則能提升襯底的平整度和表面質(zhì)量，進(jìn)一步滿足高端芯片制造的要求。