在混合式氮化鎵VCSEL的研究，2010年本研究團隊優(yōu)化制程達到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵VCSEL，此元件是以磊晶成長AlN/GaN DBR以及InGaN MQW發(fā)光層再搭配Ta2O5/SiO2氧化物DBR所實現如圖7-12，其特點為在共振腔中插入了AlGaN電流阻擋層且將ITO厚度減薄至30奈米。2011年，為了達到更好的電流局限效果以及降低ITO的吸收，本研究團隊移除了結構中的ITO并在共振腔中加入氮化鋁的電流孔徑達成腔內的電流局限效果，如圖7-13，此外此電流局限孔徑之折射率差更可以提供橫向的光學局限，研究結果顯示AIN確實有達到電流局限的目的且得到窄線寬頻譜。

混合式結構直到2012年才另外有瑞士EPFL團隊使用AlInN/GaN DBR搭配TiO2/SiO2氧化物DBR成功制作出室溫脈沖電激發(fā)混合型GaN VCSEL，因為磊晶DBR的制作不易，在混合式VCSEL發(fā)展一直沒有重大突破。在2014年瑞典查默斯科技大學（Chalmers University of Technology）提出搭配電流局限層設計與光學局限關系之模擬分析，內容探討在制作電流局限層設計如何達到好的光場局限效果并保有優(yōu)異的電性特性，如圖7-14所示；在同樣結構設計下在2017年引入了熱透鏡的概念，一般認為熱在VCSEL元件是很大的問題，然而熱透鏡效應就是為了利用熱造成材料折射系數在孔徑中央變大進而達到更佳的光場局限效果，但是結果僅止于模擬，到目前為止尚未有實驗證實。

而本實驗室之研究團隊也于2014年提出電流局限層之設計如圖7-15所示，并進一步模擬分析電性與光場分布狀態(tài)，并提出同時可滿足壓抑高階模態(tài)與預測和控制載子流向之行為的新穎設計，提供最佳的指導方針于室溫電激發(fā)元件的制作上，同年也制作出淺蝕刻的結構，其品質因子 （quality factor）高達2600之共振腔，證明此結構具有橫向光學局限效果；并在2017年將此結構成功制作在電激發(fā)元件中，在p-GaN蝕刻30nm的深度并回填SiO2以達到電流局限層并同時具有光場局限效果如圖7-16。雖然在結構上對于電流特性與光場局限設計有不同探討，但是礙于制程技術的限制，穩(wěn)定制作出GaN VCSEL已經是一大挑戰(zhàn)，進一步改善結構增加元件特性僅止于模擬分析。2016年，臺灣臺科大團隊成功制作出混合式GaN VCSEL，他們嘗試蝕刻p-GaN制作光學局限層，且利用Si擴散制作出電流局限層，最后成功制作出3μm直徑之電流局限圖案，并觀察到雷射現象，如圖7-17。

隨著氮化鎵磊晶技術的提升，日本名城大學團隊發(fā)表了多篇混合式DBR為主的GaN VCSEL研究結果，藍紫光GaN VCSEL的操作特性才有重大的突破，雖然成長使用昂貴的GaN基板，但也因此得到高品質的磊晶結構。盡管磊晶DBR不容易達到極高的反射率，此團隊利用此特點，將磊晶DBR設計反射率較低并讓元件以下出光方式，因而得到極好的雷射出光效果，其輸出功率可達3mw以上，此外其元件不只在室溫下連續(xù)操作，因為使用GaN基板與磊晶DBR使得此結構有優(yōu)異的散熱效果，讓操作溫度甚至可達85°C。日本名城大學團隊與名古屋大學團隊合作，憑借著優(yōu)異的經驗與制程技術為基礎，著力于光場設計以達到更好的出光效果，在圖7-18中借由加入高折射率材料于介電質反射鏡與GaN介面中光學局限層的范圍，因為在電流局限范圍內較厚，其外圍是較低折射率材料進而達到光學局限的效果；同一年日本名城大學團隊也與橫濱Stanley電氣公司研發(fā)實驗室合作提出了另一結構，針對此概念在2018年名城大學團隊在混合式DBR結構中，蝕刻p-GaN并回SiO2作為電流局限層與光學局限層，并觀察到雷射現象，其出光功率達到了6 mW，如圖7-19。混合式GaN VCSEL在磊晶與制程技術提升下，在雷射輸出功率也達到非常高的輸出，但是必須使用昂貴的GaN基板是一大問題，此外下出光是利用拋光減薄并沉積抗反射層（anti-reflection, AR）以達到高出光效果，如何大面積的制作元件是另一項問題。