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芯片封裝可靠性測試詳解

芯長征科技 ? 來源:學(xué)習(xí)那些事 ? 2025-02-21 16:21 ? 次閱讀

以下文章來源于學(xué)習(xí)那些事,作者小陳婆婆

可靠性測試

可靠性,作為衡量芯片封裝組件在特定使用環(huán)境下及一定時(shí)間內(nèi)損壞概率的指標(biāo),直接反映了組件的質(zhì)量狀況,本文分述如下

可靠性測試概述

芯片封裝成品六項(xiàng)可靠性測試

1可靠性測試概述

可靠性測試的意義

可靠性測試旨在評估產(chǎn)品在特定狀態(tài)下的壽命影響,確認(rèn)產(chǎn)品質(zhì)量是否穩(wěn)定,并據(jù)此進(jìn)行必要的修正。與功能測試不同,可靠性測試更注重預(yù)測產(chǎn)品在長期使用中的表現(xiàn),從而幫助客戶以最快、最經(jīng)濟(jì)的方式評估芯片的狀況。

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可靠性測試的條件與項(xiàng)目

可靠性測試的條件通常與電壓、濕度和溫度等環(huán)境參數(shù)有關(guān)。不同的可靠性測試項(xiàng)目針對的是不同功能的元器件需求。

常用的可靠性測試項(xiàng)目歸類及闡述如下:

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溫度循環(huán)測試:評估芯片封裝組件在溫度變化下的適應(yīng)性和穩(wěn)定性。

濕度測試:檢測組件在潮濕環(huán)境下的耐腐蝕性和絕緣性能。

電壓應(yīng)力測試:驗(yàn)證組件在電壓波動或過載情況下的穩(wěn)定性和可靠性。

機(jī)械強(qiáng)度測試:評估組件在受力情況下的耐久性和抗損壞能力。

其他專項(xiàng)測試:如熱沖擊測試、鹽霧測試等,針對特定應(yīng)用場景下的可靠性需求。

進(jìn)行可靠性測試時(shí),封裝廠通常會參照以下國際組織的標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范:

國際電工委員會(IEC)

美國軍規(guī)(Mil-std)

國際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(IPC)

半導(dǎo)體工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織(JEDEC)

日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(JIS)

2芯片封裝成品六項(xiàng)可靠性測試

在芯片封裝領(lǐng)域,封裝廠為確保產(chǎn)品質(zhì)量,通常會執(zhí)行一系列可靠性測試。以下是六項(xiàng)常見的可靠性測試項(xiàng)目,每項(xiàng)測試都有其特定的內(nèi)容與目的:

1. 溫度循環(huán)測試(Temperature Cycling Test, TCT)

測試內(nèi)容與目的:通過將封裝體暴露在高低溫氣體轉(zhuǎn)換的環(huán)境中,評估封裝體抵抗溫度差異化的能力。該測試旨在檢驗(yàn)芯片產(chǎn)品中不同熱膨脹系數(shù)的金屬間接口的接觸良率。

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測試條件:常見的測試條件為-65℃至150℃之間往復(fù)循環(huán)1000次,但具體條件可能因封裝廠而異。

失效機(jī)制:電路的短路和斷路、材料的破壞及結(jié)構(gòu)機(jī)械變形。

2. 熱沖擊測試(Thermal Shock Test, TST)

測試內(nèi)容與目的:與溫度循環(huán)測試類似,但通過將封裝體暴露于高低溫液體的轉(zhuǎn)換環(huán)境中來測試其抗熱沖擊的能力。該測試同樣旨在評估金屬間接口的接觸良率。

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測試條件:常見的測試條件與溫度循環(huán)測試相似,但使用的是液體介質(zhì)。

失效機(jī)制:與溫度循環(huán)測試相似,包括電路的短路和斷路、材料的破壞及結(jié)構(gòu)機(jī)械變形。

區(qū)別:TCT偏重于芯片封裝的測試,而TST偏重于晶圓的測試。

3. 高溫儲藏試驗(yàn)(High Temperature Storage Test, HTST)

測試內(nèi)容與目的:通過將封裝體長時(shí)間暴露于高溫環(huán)境中,測試其在長期高溫狀況下的性能穩(wěn)定性。該測試旨在評估封裝體中物質(zhì)活性增強(qiáng)、物質(zhì)遷移擴(kuò)散對電路性能的影響。

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測試條件:通常將封裝體置于150℃的高溫氮?dú)鉅t中,持續(xù)500小時(shí)或1000小時(shí)。

失效機(jī)制:電路的短路和斷路、材料的破壞及結(jié)構(gòu)機(jī)械變形。

4. 蒸汽鍋試(Pressure Cooker Test, PCT)

測試內(nèi)容與目的:主要測試封裝產(chǎn)品抵抗環(huán)境濕度的能力,并通過增加壓強(qiáng)來縮短測試時(shí)間。該測試旨在評估芯片產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓條件下的濕度抵抗能力。

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測試條件:通常將封裝體置于130℃、85%相對濕度的環(huán)境中,并施加2個標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的壓力。

失效機(jī)制:化學(xué)金屬腐蝕、封裝塑封異常。

5. 加速應(yīng)力測試(High Accelerated Temperature and Humidity Stress Test, HAST)

測試內(nèi)容與目的:在高溫高濕以及偏壓的環(huán)境下測試封裝體的抗?jié)穸饶芰ΑT摐y試旨在加速芯片產(chǎn)品的失能過程,以評估其在極端條件下的性能穩(wěn)定性。

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測試條件:通常將封裝體置于130℃、85%相對濕度的環(huán)境中,并施加1.1伏特的偏壓和2.3個標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的壓力。

失效機(jī)制:線路腐蝕、封裝塑封異常。

6. Precon測試(Precondition Test)

測試內(nèi)容與目的:模擬芯片封裝完成后運(yùn)輸?shù)较掠谓M裝廠裝配成最終產(chǎn)品的過程中可能經(jīng)歷的環(huán)境變化。該測試旨在了解電子元器件的吸濕狀況,并評估其在后續(xù)加工過程中的性能穩(wěn)定性。

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測試條件:測試前確認(rèn)封裝電器成品性能無問題,然后進(jìn)行溫度循環(huán)測試(如TCT)、吸濕測試和后段焊錫加工過程的模擬。

失效機(jī)制:爆米花效應(yīng)、分層失效等問題,這些問題通常是由于封裝體在吸濕后遭遇高溫導(dǎo)致內(nèi)部水分急速膨脹所致。

為突破傳統(tǒng)載板生產(chǎn)工藝的瓶頸,引入了類載板制造方法,為硬質(zhì)載板的生產(chǎn)帶來了升級機(jī)會,并拓寬了封裝廠新材料供應(yīng)商的選擇范圍。通過以上措施,可以確保電子產(chǎn)品在長期使用中的穩(wěn)定性和性能,提高客戶滿意度,并推動芯片封裝行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

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