技術資料#LMG3522R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許將轉換速率控制在 15V/ns 至 150V/ns 之間，可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。LMG3526R050 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，當實現零電壓切換時，該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。
*附件：LMG352xR050 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650 V 50 mΩ GaN FET 數據表.pdf
高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告，從而簡化了器件負載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。
特性
- 650V 硅基氮化鎵 FET，帶集成柵極驅動器
- 集成高精度柵極偏置電壓
- 200V/ns FET 抑制
- 3.6MHz 開關頻率
- 15V/ns 至 150V/ns 轉換速率，用于優化開關性能和降低 EMI
- 采用 7.5V 至 18V 電源供電
- 強大的保護
- 逐周期過流和鎖存短路保護，具有 < 100ns 響應
- 在硬開關時可承受 720V 浪涌
- 針對內部過熱和 UVLO 監控進行自我保護
- 高級電源管理
- 數字溫度 PWM 輸出
- LMG3526R050 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，便于軟開關轉換器
- 頂部冷卻的 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣和熱路徑分開，以實現最低功率環路電感
參數
方框圖
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