TIDM-02013 是一款雙向車載充電器參考設計。該設計包括一個交錯式連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 功率級,后接一個 CLLLC DCDC 功率級,所有功率級均使用單個 C2000? 實時控制微控制器 (MCU) 進行控制,同時利用 TI 氮化鎵 (GaN) 功率模塊。
*附件:采用 C2000? MCU的CCM圖騰柱 PFC和CLLLC DCDC的7.4kW車載充電器參考設計.pdf
這種電源拓撲結構能夠實現雙向功率流(PFC 和并網逆變器),并使用 GaN 器件,從而提高了效率并減小了電源的尺寸。此參考設計提供的硬件和軟件可加快上市時間。
特征
- PFC 模式:交流輸入(90 V
RMS至 264 VRMS)、50 Hz 至 60 Hz,高壓線路時額定功率為 7.4 kW - 96.5% 的峰值總系統效率
- 功率密度為 3.8 kW/L
- 內置頻率響應分析儀 (SFRA),用于驗證和設計控制回路
- 低過零失真以及有源同步整流
應用
?混合動力、電動和動力傳動系統
?直流快速充電站
?電源轉換系統(PCS)
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
功率因數
+關注
關注
10文章
571瀏覽量
39555 -
PFC
+關注
關注
47文章
984瀏覽量
106569 -
CCM
+關注
關注
0文章
148瀏覽量
24183 -
車載充電器
+關注
關注
2文章
252瀏覽量
24266
發布評論請先 登錄
相關推薦
交錯式CCM圖騰柱無橋功率因數校正設計包括BOM及層圖
描述交錯連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件,由于具有電源效率高和尺寸減小
發表于 10-24 16:15
電動車車載充電器解決方案概述
,可以使用UCC25600+UCC27714來設計變換器。因為電動車充電器需要與其他系統通信。因此一般客戶將選擇C2000芯片來設計半橋LLC DC/DC變換器。其他信息探索針對
發表于 08-22 04:45
設計基于SiC-MOSFET的6.6kW雙向EV車載充電器
的輸出功率,采用TO-247封裝的C3M0060065D 650V 60mohm SiC MOSFET,為CCM圖騰柱
發表于 10-25 10:02
1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC 參考設計
`一種數字控制的緊湊型 1kW 交流/直流電源設計,適用于服務器電源單元 (PSU) 和電信整流器應用。該高效設計支持兩個主要功率級,包括一個前端連續導通模式 (CCM) 圖騰柱無橋功
發表于 06-22 18:22
開源咯~交錯式 CCM 圖騰柱無橋功率因數校正 (PFC) 設計方案
交錯連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件,由于具有電源效率高和尺寸減小的特
發表于 07-28 15:40
基于 GaN 的交錯式 CCM 圖騰柱無橋 PFC 參考設計
使用 C2000? MCU 和 LMG3410 控制交錯連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正功率級的方法,LMG
發表于 04-12 14:11
使用C2000 MCU的雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設計
此參考設計為3kW 雙向交錯式連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 功率級,
發表于 01-17 09:51
如何設計基于SiC-MOSFET的6.6kW雙向電動汽車車載充電器?
的反向恢復性能,交錯式CCM圖騰柱PFC可作為3.3 kW OBC 的前端級[9]。針對高功率密度和簡單控制,本設計選用單相單扼流圈
發表于 02-27 09:44
針對HEV/EV車載充電器的雙向CLLLC諧振雙有源電橋參考設計
說明:具有雙向電源流功能和軟開關特性的 CLLLC 諧振 DAB 是混合動力電動汽車/電動汽車 (HEV/EV) 車載充電器和能源存儲應用的一種理想 候選方案。此設計演示了在閉合電壓和閉合電流環路模式中使用
發表于 03-30 14:46
?10次下載
PMP41006.1-由 C2000? 和 GaN 實現 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1kW PCB layout 設計
電子發燒友網站提供《PMP41006.1-由 C2000? 和 GaN 實現 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1
發表于 05-20 18:13
?2次下載

TIDM-02008-采用 C2000™ MCU 的雙向高密度 GaN CCM 圖騰柱 PFC PCB layout 設計
電子發燒友網站提供《TIDM-02008-采用 C2000™ MCU 的雙向高密度 GaN CCM
發表于 05-19 09:47
?2次下載

TIDA-010236:適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設計
此參考設計是一款 4kW 連續導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC),具有頂部冷卻的氮化鎵 (GaN) 子板和TMS320F2

評論